Содержание
- 2. Транзисторы Транзистор - полупроводниковый прибор, позволяющий усиливать мощность электрических сигналов. Подразделяются на биполярные и полевые. транзисторы
- 3. Область транзистора, которая расположена между двумя (p-n) переходами называется базой. Область транзистора, из которой происходит инжекция
- 4. U к-э = Uк-б + Uб-э Uб-э U к-э ≈ Uк-б
- 5. Режимы работы Активный режим. На эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный – обратное. Этот
- 6. Режим насыщения. Оба перехода находятся под прямым напряжением. Ток в выходной цепи транзистора максимален и практическая
- 7. Параметры транзистора . α - статический коэффициент передачи тока эмиттера, α = дифференциальное сопротивление цепи базы,
- 8. Чаще используется включение транзистора по схеме общий эмиттер. В этом случае эмиттер является общим как для
- 9. Определим ток коллектора применительно к схеме ОЭ. ВАХ схемы общий эмиттер Iэ = Iк + Iб.
- 10. . ВАХ схемы общий эмиттер Коллекторная характеристика Iк = ƒ(Uкэ,Iб) Iк Uкэ Iб = 0 Iб
- 11. Входная характеристика Iб = ƒ(Uбэ,Uкэ) Переход Б - Э включен в прямом направлении, чему соответствует пряма
- 12. Влияние изменения температуры на ВАХ Токи в транзисторе сильно зависят от изменения температуры. - Ток удваивается
- 13. Вид реального транзистора КТ908А 132
- 14. Первый отечественный транзистор П1 144
- 15. Лекция 8 Тема 4. Полевые транзисторы Идея работы полевого транзистора была высказана в 1930 г. В
- 16. полевые транзисторы Полупроводниковый электропреобразовательный прибор, способный усиливать мощность электрических сигналов. Особенность работы транзисторов состоит в том,
- 17. 4.1 Классификация ПТ ПТ с p-n-переходом МДП-транзистор n-канальный р-канальный встроен. канал индуцир. канал n-канальный n-канальный р-канальный
- 18. Классификация ПТ - с управляющим p-n-переходом, с изоляцией диэлектриком - МДП-транзисторы. В зависимости от того, как
- 19. Классификация ПТ - индуцированный канал. - n-типа (n-канальные), - р-типа (р-канальные). В зависимости от конструктивного исполнения
- 20. Система обозначений полевого транзистора Транзистор с управляющим p-n-переходом С И З n-канальный р-типа Транзистор со встроенным
- 21. 4.2 Принцип работы ПТ Структура ПТ с управляющим p-n-переходом ПТ представляет собой пластину слаболегированного полупроводника n-типа,
- 22. Сток (С) Исток (И) Затвор (З) р n- + р-n- Канал Uзи – + – Ic
- 23. Принцип работы ПТ Подключим к структуре внешние источники напряжения. Управляющий p-n-переход включен в обратном направлении и
- 24. Принцип работы ПТ При некотором напряжении Uзи канал полностью перекроется обедненной область p-n-перехода и ток стока
- 25. 4.3 Вольт-амперные характеристики ПТ Основными статическими характеристиками полевого транзистора являются: выходная или стоковая Ic = ƒ(Uси,
- 26. Вольт-амперные характеристики ПТ Стокозатворная характеристика Ic = ƒ(Uзи, Uси) Uзи В Ic мА 4 2 Ic.нач
- 27. 4.4 Параметры ПТ В общем случае ВАХ транзистора являются нелинейными. Однако при небольших значениях переменных составляющих
- 28. Параметры ПТ Малосигнальные параметры связаны соотношением μ = S • rси Параметры транзистора можно определить экспериментально,
- 29. Лекция 9 4.5 Полевые транзисторы с изолированным затвором В транзисторах этого типа затвор отделен от полупроводника
- 30. МДП транзистор со встроенным каналом С И З Металл Al SiO2 p- p-типа канал n-типа П
- 31. Встроенный канал Режим обеднения. На затвор подается отрицательное напряжение по отношению к истоку. Под действием электрического
- 32. МДП транзисторы с индуцированным каналом С И З Металл Al SiO2 n- n-типа p - +
- 33. МДП транзисторы с индуцированным каналом Режим обогащения. На затвор подается отрицательное напряжение по отношению к истоку.
- 34. МЕП транзисторы МЕП - металл-полупроводник В последнее время широкое распространение получили транзисторы с управляющим p-n-переходом. Металлический
- 35. 4.6 Ячейка памяти на основе МОП-транзистора Используются транзисторы с индуцированным каналом. Предназначены для создания быстродействующей программируемой
- 36. ячейка флэш-памяти При записи информации в ячейку памяти на затвор подается импульс напряжения. В результате происходит
- 37. ячейка флэш-памяти При стирании информации электроны уходят с плавающего затвора (также в результате туннелирования) в область
- 38. Полевые транзисторы малой мощности
- 39. Лекция 10 Тема 5. Тиристоры
- 40. 5.1 Тиристоры Тиристорами называют полупроводниковые приборы с тремя и более p-n-переходами В зависимости от числа выводов
- 41. Тиристоры В процессе работы тиристор может находиться в одном из двух возможных состояний. В одном их
- 42. 5.2 Устройство тиристора U A Катод УЭ1 П1 П3 П2 Управляющие электроды УЭ2 Анод R н
- 43. Контакт к внешнему p-слою называют анодом, а к внешнему n-слою - катодом. Внутренние области р- и
- 44. На физические процессы в тиристоре основное влияние оказывают два фактора: зависимость коэффициента передачи по току α
- 45. динистор Через коллекторный переход П2 потечет ток, обусловленный дырочной и электронной составляющими. I2p = I1·α1, I2n
- 46. динистор Пока напряжение на аноде относительно не велико, ток динистора будут определяться обратным током коллектора. При
- 47. динистор Волт-амперная характеристика динистора Ia Ua Uвкл 191 Динисторы применяются в быстродействующих системах защиты схем, нагрузки
- 48. 5.4 Тиристор Тиристор имеет дополнительный вывод от одной из баз эквивалентного транзистора. Электрод называется управляющим. Управление
- 49. Тиристоры Волт-амперная характеристика тиристора Ia Ua Uвкл Iу = 0 Iу > 0 Iу > 0
- 50. 5.5 Симисторы В силовой преобразовательной технике широко используются симметричные тиристоры – симисторы, триаки. Каждый симистор подобен
- 51. Симисторы Волт-амперная характеристика симистора Ua 195
- 52. 5.6 Классификация и система обозначений В основу обозначений тиристоров положен буквенно-цифровой код Первый элемент – исходный
- 53. Графическое обозначение тиристоров Динистор Тиристор Симистор управление по катоду и по аноду А А А К
- 54. 5.7 Применение тиристоров Тиристоры применяются в силовых преобразователях электрической энергии: - управляемые выпрямители, - конверторы, -
- 55. тиристоры
- 56. Усилители Частный случай управления потоком электрической энергии от источника питания к нагрузке, при котором путем затраты
- 57. Усилители Сигнал – напряжение или ток, определенным образом изменяющиеся во времени Простейший сигнал: U(t) = Um·sin(ωt+φ)
- 58. Усилители Усилитель Источник питания Помехи Источник сигнала Нагрузка усилителя Общая структурная схема Источник сигнала – например,
- 59. Усилители Общая структурная схема усилителя Требования к усилителю: процесс управления должен быть непрерывным, линейным, однозначным. o
- 60. Усилители Параметры усилителя -- Коэффициент усиления: - по напряжению Кu = Uвых/Uвх, - по току КI
- 61. Усилители Параметры усилителя -- Входное Rвх и выходное Rвых сопротивления усилителя: Rвх = Uвх/Iвх, Rвых =
- 62. Усилители Основная характеристика усилителя -- Амплитудная характеристика зависимость амплитуды выходного напряжения (тока) от амплитуды входного напряжения
- 63. Усилители ∆Uвх ∆Uвых Uвх Параметры Кu = ∆Uвых / ∆Uвх КI = ∆Iвых / ∆Iвх Кp
- 64. 6.2 Включение транзистора в схему усилительного каскада Усилительный каскад – электронное устройство, содержащее активные элементы –
- 65. Режим работы транзистора Перед тем как подавать на вход усилителя сигнал необходимо обеспечить начальный режим работы
- 66. Начальный режим транзистора задается с помощью двух схем: Фиксированный ток базы, фиксированное напряжение базы. Uбэ Режим
- 67. Ток базы Режим работы транзистора Iб = Ек Rб – Uбэ Rб Напряжение Uбэ Ек Iб
- 68. Рассмотрим коллекторную цепь транзистора. Режим работы транзистора Rб1 Iб Rк Iк Uкэ + Ек На основании
- 69. Режим работы транзистора Ек = Iк·Rк + Uкэ при Iк = 0, Uкэ = Ек, -
- 70. Начальный режим работы транзистора Ек = Iк·Rк + Uкэ Начальный режим транзистора характеризуется токами и напряжениями
- 71. Начальный режим работы транзистора Влияние элементов схемы и внешних факторов на положение нагрузочной прямой, рабочей точки
- 72. Начальный режим работы транзистора - Изменение тока базы приводит к перемещению РТ по нагрузочной прямой. Предельные
- 73. Начальный режим работы транзистора При экспериментальном получении ВАХ транзистора используется режим, при котором Rк = 0,
- 74. Ячейка усилителя на электронных лампах. Вверху виден усилитель в интегральном исполнении, выполняющий функции, аналогичные ламповому усилителю.
- 75. 6.3 Методы стабилизации положения РТ Под действием внешних и внутренних дестабилизирующих факторов положение РТ может измениться
- 76. Методы стабилизации положения РТ Используется несколько схем стабилизации: - эмиттерная стабилизация (обратная связь по току), -
- 77. В результате напряжение уменьшается, что приводит к закрыванию транзистора и уменьшению тока коллектора. Полной компенсации влияния
- 78. Если Rэ = 0, термостабилизация отсутствует. Если Rэ >> Rб, = α. где α ≈ (0,9
- 79. Пример. Оценим значение коэффициента Sт. Примем: Определим: = = эмиттерная стабилизация положения РТ - Rб1 =
- 80. Ток базы, задающий режим транзистора, определяется напряжением Uкэ и сопротивлением Rб. Iб = Uкэ/Rб Если по
- 81. Включим вместо резистора Rб2 термозависимое сопротивление, например, терморезистор. t о t Его температурная характеристика Термостабилизация положения
- 82. В качестве термозависимых элементов в интегральной схемотехнике используют p-n-переход. Он имеет отрицательный ТКН. Для получения низкоомного
- 83. Сопротивление Rэ обеспечивает эмиттерную стабилизацию, сопротивление Rф – коллекторную. Методы стабилизации положения РТ могут применяться совместно
- 84. На фотографии виден кристалл с транзистором
- 85. 6.4 Прохождение сигнала через усилительный каскад Подключим ко входу усилителя источник сигнала Ес = Um·sinωt. На
- 86. Ес о о t Под действием этих напряжений в цепи базы потечет постоянный ток и переменный
- 87. Входная цепь усилительного каскада или цепь базы транзистора Ес о iб о С1 Rб1 Iб Rк
- 88. В коллекторной цепи также течет ток начального режим транзистора Iк и переменная составляющая о Ток переменной
- 89. н о о Коллекторная цепь транзистора Iк Uкэ Iб = 0 Iб1 ′ Iб.нас Iб •
- 90. Из построения видно: предельные значения положения рабочей точки ограничены характеристиками тока базы Iб = 0 (точка
- 91. Из построения следует: амплитудное значение напряжения сигнала равно 10 мВ, амплитудное значение напряжения на коллекторе равно
- 92. 6.5 Усилительный каскад Подключим к каскаду нагрузку по переменному току Направления токов показаны условно. Усилительный каскад
- 93. Примем, что нагрузкой каскада является входное сопротивление аналогичного каскада. Часть переменной составляющей тока коллектора ответвляется в
- 94. Сопротивление Rэ обеспечивает обратную связь, о необходимую для стабилизации положения рабочей точки. Емкость выбирается такой, чтобы
- 95. о Бескорпусные транзисторы
- 96. Проектирование (синтез) электронных схем сводится к решению трех задач: - определение режима по постоянному току, исходя
- 97. Принципиальная схема каскада Распределенную нагрузку сосредоточим в одном сопротивлении Rн. о 6.6.1 Каскад ОЭ Ес iб
- 98. Физическая эквивалентная схема замещения транзистора. Рассматриваем только переменную составляющую тока коллектора, поэтому генератор Iкэ далее учитывать
- 99. В результате эквивалентная схема каскада ОЭ выглядит следующим образом. Для анализа схемы необходимо получить соотношения, связывающие
- 100. Выберем такую частоту и такие величины емкостей, чтобы емкостные сопротивления оказались много меньше остальных сопротивлений схемы.
- 101. Оказалось, что Rб1 и Rб2, Rк и Rн включены параллельно, заменим их одним Rб и Rкн
- 102. Определим параметры каскада Учтем также, что rк >> rэ и rк >> Rкн. * * Кi
- 103. параметры каскада Определим Кu через режим работы транзистора Rвх = [rб + (В + 1)·rэ]; (В
- 104. Оценим значения параметров Параметры схемы: - Rн = ∞ (нагрузка отключена холостой ход), - h11 =
- 105. Принципиальная схема каскада о 6.6.2 Каскад ОБ Uвых = Uн Rб1 Rк Rб2 Ес Rс С1
- 106. Учтем предыдущие ограничения и эквивалентную схему ОБ можно представить следующим образом. α - статический коэффициент передачи
- 107. Параметры усилительного каскада ОБ КIб = iвых /iвх = iк/iэ = α Кuб = Uвых/Uвх =
- 108. Таким образом, каскад ОБ имеет низкое входное сопротивление и применяется для согласования низкоомного выходного сопротивления источника
- 109. Принципиальная схема каскада 6.6.3 Каскад ОК Rб1 Rк Rэ Ес Rс С1 + + С2 Сф
- 110. 258 Эквивалентная схема Б rб B·iб Rc Rб Uвх rк” rэ Э К Ес iвх =iб
- 111. Параметры каскада ОК 259 Учтем начальные договоренности Rвх = h11э + (В+1)Rэн. Rвх = Uвх/iвх =
- 112. Начальный режим транзистора о Параметры каскада ОК Uвх = Rвх·iб, Uвых = Rэн·iэ, Кuк = Uвых/Uвх
- 113. 261 Параметры каскада ОК Таким образом каскад ОК имеет следующие особенности: -- высокое входное сопротивление Rвх
- 114. о Параметры каскада ОК Пример Примем ·iэ = 1 мА, rэ ≈ 25 Ом, В =
- 115. 6.7 Методы улучшения параметров каскадов Лекция 15 Полученные соотношения позволяют более осознанно подходить к проектированию электронных
- 116. ∑ Анализ параметров каскадов 1. Существенно увеличить В можно с помощью составного транзистора Б К Э
- 117. Параметры каскада ОК 2. Для увеличения Кuэ необходимо увеличивать Rк. Однако увеличивать Rк до бесконечности нельзя,
- 118. 266 Параметры каскада ОК Идеальным элементом в этом смысле является биполярный транзистор, включенный по схеме ОБ.
- 119. о Источник тока Rвых Rн Iн Uн Если Rвых >> Rн, то ток в цепи будет
- 120. 268 Параметры каскада ОК Обратимся к коллекторным характеристикам. Сопротивления Rк и Rн по переменному току включены
- 121. * Параметры каскада ОК Режим транзистора по постоянному току можно выбрать любым, например, Uк = 5В,
- 122. Параметры каскада ОК Однако нагрузка каскада Rн задана и, зачастую, Rн Для увеличения Кuэ необходимо увеличивать
- 123. Параметры каскада ОК 271 Rвх = h11э + (В+1)Rэн. Но h11э >1. Rвх ≈ В·Rэн. Для
- 124. Например. Е = 10 В, Rвых = 1 Ом, Rн = 20 Ом. Напряжение Uн =
- 125. Пример источника напряжения о R Rн Может изменяться входное напряжение Е, ток нагрузки Iн, а рабочая
- 126. Подключение каскада ОК Его большое входное сопротивление не нагружает предыдущий каскад, а низкоомный выход не нагружается
- 127. Параметры каскада Таким образом, для уменьшения h11э можно увеличить ток эмиттера (коллектора). 275 Для увеличения Кuэ
- 128. о Каскад ГСТ При использовании транзистора в качестве ГСТ следует помнить о следующем: 1. Выходное сопротивление
- 129. 277 VT1 R3 R1 R2 VT2 + Схема «токовое зеркало» Транзистор VT1 – рабочий, включенный по
- 130. 278 Каскад ГСТ R1 VT1 R2 R3 VT2 VT3 + Uвых ГСТ можно включить в коллекторную
- 131. о Каскад ГСТ Но транзистор VT2 является коллекторной нагрузкой усилительного транзистора VT1. Кuэ = В Rвх
- 132. Если Uвх Делитель напряжения с элементом, имеющим нелинейную ВАХ R Uвых о о rд + о
- 133. 281 Делитель напряжения с элементом, имеющим нелинейную ВАХ R Uвых о о rд – Uобр Iобр
- 134. о Делитель напряжения с элементом, имеющим нелинейную ВАХ R Как изменится напряжение на базе при изменении
- 135. 283 Ограничитель напряжения со стабилитроном КС147А R Uвых о о rд 4,7В Uпр Iпр Um >
- 136. Лекция 17 Некоторые пояснения к курсовому проекту.
- 137. каскад ОЭ Ес iб ~ С1 Rб1 Rк Rб2 Ек iвх С2 Сэ Rэ Uвых =
- 138. Что произойдет, если «забыли» включить сопротивление Rб1 Постоянное напряжение на базе равно нулю, ток базы равен
- 139. Что произойдет, если «забыли» включить сопротивление Rб2, сопротивление Rб1 включено Постоянное напряжение на базе максимальное и
- 140. «Забыли» подключить емкость Сэ Х Сэ Для постоянных токов и напряжений ничего не изменилось. Ес iб
- 141. Исходный «нормальный» режим работы каскада Iк Uкэ Iб • iб • Iб=0 • • РТ Uвх
- 142. Кристалл интегральной микросхемы
- 143. 291
- 144. 293 Литература Основная литература: 1. Булычев А. Л., Лямин П. М. Электронные приборы. М.: Лайт Лтд.,
- 145. 294 Литература Дополнительная литература: 7. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. – СПб.: Корона прин,1998. 8. Жеребцов
- 146. 295 Бескорпусной транзистор с упаковкой
- 147. 296 Электроваккумные приборы
- 148. 297 Мощный генераторный триод с радиатором
- 149. 298 Электровакуумный пентод
- 151. Скачать презентацию