Содержание
- 2. Другие направления деятельности предприятия: разработка и производство оптоэлектронных компонентов и модулей; изготовление подложек арсенида галлия стандарта
- 3. Изготовление пластин арсенида галлия GaAs Мы изготавливаем пластины арсенида галлия GaAs по технологии epi-ready с использованием
- 4. Область применения пластин GaAs Производство дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона, дискретных и матричных фотоприемников, светодиодов,
- 5. Характеристики пластин GaAs
- 6. Рециклинг пластин GaAs Рециклинг - восстановления пластин GaAs на собственном технологическом участке, позволяющее повторное их использование.
- 7. Результаты сравнительных исследований пластин GaAs с зарубежными аналогами Исследования проводились: Научно-исследовательской лабораторией молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии
- 8. Методы исследования Были выращены тестовые эпитаксиальные структуры и проведены следующие исследования: измерения дефектности пластин на Surfscan
- 9. Измерения дефектности пластин на Surfscan 6220. ОАО «НПП «Исток» им. Шокина», Фрязино.
- 10. Сравнение АСМ структур phemt Пластина МИНИИРМ 20x20мкм rms=0,363мкм 1x1мкм rms=0,223мкм 1x1мкм rms=0,310мкм 20x20мкм rms=0,488мкм Пластина Wafer
- 11. Данные фотолюминесценции
- 12. Электронные транспортные свойства Электронные транспортные свойства исследовались на меза-структурах, сделанных при помощи фотолитографии в форме квадратов
- 13. Оба образца демонстрируют хорошее совпадение КДО, не зависящее от типа используемой подложки. Спектр рентгеновской дифракции Измерялись
- 14. Распределение концентрации носителей заряда (электронов) методом сканирования пропускания ИК-излучения с энергией квантов 0,07 эВ Результаты следующие:
- 15. Результаты исследований Проведенный анализ пластин показал: подложки производства ОАО "Минский НИИ радиоматериалов", не уступают по качеству
- 16. Технология изготовления пластин GaAs
- 17. Применяется три основных метода выращивания кристаллов: · горизонтальная или вертикальная плавка по методу Бриджмена; · горизонтальное
- 18. Слиток калибруют по диаметру, ориентируют по торцу и направлению базового среза, изготовляют базовый и дополнительные срезы
- 19. Для определения кристаллографического направления, вдоль которого должен быть расположен базовый срез, а также значения и направления
- 20. Резание слитка проводят алмазными кругами с внутренней режущей кромкой (АКВР). Слиток с ориентированной осью закрепляют базовым
- 21. Скругление краев пластин для предотвращения появления на пластине сколов и трещин Схема снятия фаски по периметру
- 22. Двухсторонняя шлифовка свободным абразивом. Назначение данной операции – удаление механически нарушенного слоя. Она позволяет уменьшить прогибы
- 23. Двухсторонняя предварительная химико-механическая полировка пластин. Данная операция предназначена для удаления механически нарушенного слоя с поверхности пластин,
- 24. Между перечисленными выше основными технологическими стадиями присутствуют операции по химической обработке, травлению, промывке и сушке пластин.
- 25. Заключительными этапами технологического процесса являются: контроль параметров готовых пластин и упаковка. Микроскоп Nikon с призмой Камарского.
- 26. Каждая пластина упакована в полупрозрачную разъемную коробку, соответствующую диаметру и обеспечивающую закрепление пластин внутри коробки. Каждая
- 28. Скачать презентацию