Цифровые ключи на биполярных транзисторах. Схемотехника, принципы работы, параметры и характеристики

Содержание

Слайд 2

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Ключевые схемы

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Ключевые схемы

Слайд 3

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Ключ на биполярном транзисторе (насыщенный)

IБнас>IК/h21Э =IБгр qНАС=IБнас/IБгр

Слайд 4

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Начальный участок ВАХ биполярного транзистора

Iк≤0.1IКнас (транзистор выключен)
Режим пассивного запирания: 0

Слайд 5

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Ключ на биполярном транзисторе (насыщенный)

URу=RУIК0 UБЭзап=Uзап-IК0RУ Режим глубокой отсечки: UБЭ<0 IБ=-IК0 RУ

Слайд 6

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

CЭ(dUБЭ/dt)+CК(dUБК/dt)+dQБ/dt+QБ/τБ=IБ QБ/τБ – рекомбинационная составляющая dQБ/dt - составляющая , связанная с изменением пространственного заряда базы CЭ(dUБЭ/dt)<

Зависимость тока базы от параметров транзистора

Слайд 7

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Входная характеристика

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Входная характеристика

Слайд 8

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Передаточная характеристика

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Передаточная характеристика

Слайд 9

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна 2016 Выходная характеристика

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Выходная характеристика

Слайд 10

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Выходная характеристика

Высокий уровень выходного напряжения
IK=0
IRk=Iвых
Iвых=(Eп-Uвых)/RК
IК=IRк+Iвых
Для низкого уровня выходного напряжения Iб=IбН

Слайд 11

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Диаграммы включения транзистора

Слайд 12

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Процессы включения транзистора
tt=t0 Uу=Uу.зап+Uу.нас
Интервал задержки включения (t0-t1) tзад
UБЭ=Uу.нас-(Uу.нас-UБЭзап)е-t/τc
τc=(CЭ+CК)Rу

Слайд 13

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Процессы включения транзистора
Интервал формирования фронта коллекторного тока ( t1-t2) tФ dQБ/dt+QБ/τБ=Iбнас QБ (t=t0)=0 Iбнас=IКнас/h21Э
QБ(t)=IБнасτБ(1-e-t/τБ) IКнас=QБгр/τБ τБ=h21Э/2πfa

Слайд 14

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Процессы включения транзистора
Интервал накопления избыточного заряда в базе (t2-t3) tнак

QБнас=IБнасτнак tнак≈(2…3) τнак

Слайд 15

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Диаграммы выключения транзистора

Слайд 16

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Процессы выключения транзистора
Интервал рассасывания избыточного заряда базы (t0-t1) tрас QБнас=IБнасτнак QБгр=IКнасτнак/ h21Э

ΔIБ=IБнас-IБзап IБзап=(Uзап+UБЭ)/(Rу+rБ)

Слайд 17

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Процессы выключения транзистора
Интервал формирования спада коллекторного тока (t1-t2) tсп tСП=τБln(IКнас/h21Э-IБзап)/(-IБзап) Интервал установления стационарного закрытого состояния (t2-t3) tуст

Слайд 18

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Входной и выходной сигналы

Слайд 19

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Ненасыщенный биполярный ключ

Слайд 20

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Входная характеристика

UКUвхUК≤UБЭн
IБ=IВХ-IОС
UК=UБ-UДпр
UБЭнас≈UДпр
Uк≈0

Ненасыщенный биполярный ключ

Слайд 21

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Ненасыщенный биполярный ключ
Передаточная характеристика

Слайд 22

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Цифровые ключи на биполярных

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Цифровые ключи на биполярных транзисторах Весна

2016

Ненасыщенный биполярный ключ
Выходная характеристика

- Предыдущая
Многогранники
Следующая -
Үй тапсырмасын тексеру

Похожие презентации

Колыбель Ньютона
Презентация по физике "Удельная теплота сгорания" - скачать бесплатно
Системи внутрішньоквартального електропостачання міст та схеми їх конструктивного виконання
Презентация Атомная энергетика Урок в 9 классе
Мощность. Единицы мощности
Потенциальная и кинетическая энергия
Соединение деталей заклёпками
Презентация по физике "Звуковые волны (8-9 класс)" - скачать
Дифракція світла
Енергія. Механічна енергія. Закон збереження механічної енергії
Лабораторная работа Измерение относительной влажности воздуха
Определение абсолютной скорости и абсолютного ускорения точки
Линзы. Виды линз
Кипение. Температура кипения
Theoretical principles of bioenergetics
Приборы для измерения давления и их применения
Биофизика и ее место в естествознании. Физическая сущность методов диагностики, применяемых в медицине и ветеринарии
Принципы построения автоматических систем
Источники света. Распространение света
Группы минералов по показателям преломления
Тепловые двигатели
Реактивное движение
Гололедные, гололедно-ветровые нагрузки
Исследованиение зависимости коэффициента вязкости жидкости от температуры
Ремонт зубчатых колес коробки подач токарных станков
X-radiation
Библиотека физических задач (на тепловые явления)
Механика полета (теория полета). Введение. Предмет изучения
Вы можете прислать нам Вашу презентацию и мы опубликуем ее на сайте.
Обратная связь
Для правообладателей
Email: Нажмите что бы посмотреть