Содержание
- 2. Учебный план. Часть 1 – механика нано-объектов в среде Механизмы формирование наносистем в твердых телах. Упругие
- 3. Учебный план. Часть 2 – нано-электро-механические системы Материалы и технология изготовления нано-электро-механических систем. Элементы нано-электро-механических систем.
- 4. Литература Основная Cleland A.N. “Foundations of Nanomechanics” (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 2003). Freund L.B., Suresh
- 5. Классификация нано-объектов пленка или слой нить или проволока островок или точка 1D 2D 0D
- 6. Пример: вертикально излучающий лазер vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) (a) Schematic of the vertical cavity
- 7. Пример: нано-электро-механические системы (НЭМС) Electron micrographs of silicon NEMS structures made by surface micromachining and e-beam
- 8. Формирование наноструктур Эпитаксия, наращивание, напыление Само-организация на поверхности или в объеме Литография и травление
- 9. Планарные технологии
- 10. Напыление – Sputtering, Physical deposition
- 11. Напыление Бомбардировка ионами, возможно в присутствии внешних полей: СВЧ, магнетронное, и др. Распыляемая мишень осаждается на
- 12. Молекулярно-пучковая (лучевая) эпитаксия – molecular-beam epitaxy (MBE) Схема типичной промышленной установки
- 13. Процессы на поверхности при МПЭ
- 14. Газофазная эпитаксия (Vapor Phase Epitaxy) в хлоридной системе или с использованием металло-органических соединений metal-organic chemical vapor
- 15. Процессы на поверхности при MOCVD Процессы, происходящие при MOCVD
- 16. Моды эпитаксиального роста Технология молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) или газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений (MOVPE, MOCVD).
- 17. Движущая сила эпитаксии – пересыщение (supersaturation) газовой фазы и адсорбционного слоя ΔF = kTv ln(p/pe), where
- 18. Само-организация
- 19. Три стадии формирования наночастиц Нуклеация (Nucleation) - Гомогенное или гетерогенное образование зародышей новой фазы за счет
- 20. Поверхностная энергия γ > 0 – коэффициент поверхностного натяжения S – площадь поверхности Формирование частицы новой
- 21. Нуклеация в объеме Работа, необходимая для создания зародыша новой фазы Критический зародыш Вероятность образования зародыша новой
- 22. Нуклеация островка на поверхности Young 1805 θ > 0 – распад пленки на островки (Volmer -
- 23. Нуклеация при пересыщении на поверхности
- 24. Давление под искривленной поверхностью Для двух фаз, находящихся в равновесии, γ = 1 Дж/м2 k =
- 25. Самоорганизация при пересыщении на поверхности Выращивание субмонослойных островков Распад тонких пленок на островки Выращивание усов (whiskers,
- 26. Механизм роста ПЖК Пересыщенный пар кристаллическая подложка пересыщенная жидкость кристалл ус whisker nanowire nanorod
- 27. ZnO nanowires on sapphire (a) Plan view and (b) glancing view of ZnO nanowires grown on
- 28. ZnO nanostructures Typical SEM images showing morphologies of ZnO structures: dense filmlike rods (a), dense filmlike
- 29. Одномерные наноструктуры G H I J A schematic summary of the kinds of quasi-one dimensional nanostructures:
- 30. Synthesis of core–shell nanowires a, Gaseous reactants (red) catalytically decompose on the surface of a gold
- 31. Si–Si homoepitaxial core–shell nanowires. a, b, Diffraction contrast and highresolution TEM images, respectively, of an unannealed
- 32. Ge–Si core–shell nanowires
- 33. Si–Ge and Si–Ge–Si core–shell nanowires. Elemental mapping cross-section indicating a 21-nm-diameter Si core (blue circles), 10-nm
- 34. Coaxially-gated nanowire transistors a, Device schematic showing transistor structure. The inset shows the cross-section of the
- 36. Скачать презентацию