Содержание
- 2. 2.3. Электросиловая микроскопия В электросиловой микроскопии для получения информации о свойствах поверхности используется электрическое взаимодействие между
- 3. Пусть между зондом и образцом подано постоянное напряжение U0 и переменное напряжение U~ = U1 ·Sin(ωt).
- 4. Таким образом, Z-компонента электрической силы, действующей на зонд со стороны образца, равна Из последнего выражения следует,
- 5. Сила взаимодействия зонда с поверхностью на основе простой модели плоского конденсатора может быть представлена в виде
- 6. Поскольку сама величина зависит от расстояния зонд-образец, дляисследования диэлектрических свойств образцов применяется двухпроходная методика. В каждой
- 8. Скачать презентацию
2.3. Электросиловая микроскопия
В электросиловой микроскопии для получения информации о свойствах
поверхности используется
2.3. Электросиловая микроскопия
В электросиловой микроскопии для получения информации о свойствах
поверхности используется
Рис. 84. Схема измерения электрического взаимодействия зонда с образцом
Пусть между зондом и образцом подано постоянное напряжение U0 и
переменное напряжение
Пусть между зондом и образцом подано постоянное напряжение U0 и
переменное напряжение
Система зонд – образец обладает некоторой электрической емкостью С, так что энергия такой системы может быть представлена в следующем виде:
Тогда электрическая сила взаимодействия зонда и образца равна
А ее Z-компонента может быть представлена в виде
Таким образом, Z-компонента электрической силы, действующей на зонд со
стороны образца, равна
Из
Таким образом, Z-компонента электрической силы, действующей на зонд со
стороны образца, равна
Из
составляющие:
постоянную составляющую
составляющую на частоте 2 ω
составляющую на частоте ω
Детектирование амплитуды колебаний кантилевера на частоте 2ω позволяет
исследовать распределение вдоль поверхности величины C' z (x , y )
производной от емкости по координате z (так называемая емкостная микроскопия [39]). С помощью этого метода можно изучать локальные диэлектрические свойства приповерхностных слоев образцов. Для получения высокого разрешения в данной методике необходимо, чтобы электрическая сила в системе зондовый датчик - образец определялась, в
основном, взаимодействием между зондом и поверхностью.
Сила взаимодействия зонда с поверхностью на основе простой модели плоского конденсатора
Сила взаимодействия зонда с поверхностью на основе простой модели плоского конденсатора
где α – постоянная величина, R – характерный радиус закругления кончика
зонда, h –расстояние зонд-поверхность (или толщина пленки диэлектрика на проводящей подложке). С другой стороны сила, действующая на кантилевер со стороны образца:
где α – постоянная величина, L - длина кантилевера, W - ширина кантилевера, H - расстояние до поверхности (определяется размерами зонда). Из условия F PS > F CS следует:
Отсюда для типичных значений параметров зондовых датчиков (L ~ 100 мкм, W ~ 30 мкм, H ~ 30 мкм, R ~ 10 нм) можно получить следующую оценку: h < 10 нм.
Поскольку сама величина зависит от расстояния зонд-образец,
дляисследования диэлектрических свойств образцов
Поскольку сама величина зависит от расстояния зонд-образец,
дляисследования диэлектрических свойств образцов
напряжение, и осуществляется повторное сканирование (рис. 85). На втором проходе датчик движется над поверхностью по траектории, повторяющей рельеф образца. Поскольку в процессе сканирования локальное расстояние между зондовым датчиком и поверхностью в каждой точке постоянно, изменения амплитуды колебаний кантилевера на частоте 2ω будут связаны с изменением емкости системы зонд-образец вследствие изменения диэлектрических свойств образца.
Рис. 85. Двух-проходная методика ЭСМ