Теоретические основы бокового каротажа

Сентябрь 13, 2022

Главная
Физика
Теоретические основы бокового каротажа

Содержание

2. ОБЛАСТИ ИССЛЕДОВАНИЯ ОБЫЧНЫМИ (а, б) И ФОКУССИРОВАННЫМИ (в) ЗОНДАМИ
3. СХЕМА ТРЕХЭЛЕКТРОДНОГО ЗОНДА СХЕМА СЕМИЭЛЕКТРОДНОГО ЗОНДА
4. Схемы бокового каротажа с трехэлектродным (а) и семиэлектродным (б) зондами
5. Вычисление коэффициента К для семиэлектродного зонда. ΔUM1N1 = ΔUM2N2 = 0 Потенциал в точке М1 будет
6. Вычисление коэффициента К для семиэлектродного зонда. По условию UM1=UN1, следовательно или IЭ = сI0. Разность потенциалов
7. Вычисление коэффициента К для семиэлектродного зонда.
8. ДИАГРАММЫ ФОКУСИРОВАННЫХ ЗОНДОВ
9. Понятие геометрического фактора в методе БК. Модель к расчету общего сопротивления среды. ΔRi= дифференциальный геометрический фактор
10. Понятие геометрического фактора в методе БК. Интегральный геометрический фактор. Анализ формулы (24) позволяет сделать следующие выводы:
11. Понятие геометрического фактора в методе БК. Интегральный геометрический фактор. ρк = ρс Вс + ρзп Взп
13. Скачать презентацию

Слайд 2

ОБЛАСТИ ИССЛЕДОВАНИЯ ОБЫЧНЫМИ (а, б) И ФОКУССИРОВАННЫМИ (в) ЗОНДАМИ

Слайд 3

СХЕМА ТРЕХЭЛЕКТРОДНОГО ЗОНДА
СХЕМА СЕМИЭЛЕКТРОДНОГО ЗОНДА

Слайд 4

Схемы бокового каротажа с трехэлектродным (а) и семиэлектродным (б) зондами

Слайд 5

Вычисление коэффициента К для семиэлектродного зонда.
ΔUM1N1 = ΔUM2N2 = 0
Потенциал в

точке М1 будет создаваться как центральным, так и экранными электродами и будет равен

.
Аналогично в точке N1

Слайд 6

Вычисление коэффициента К для семиэлектродного зонда.
По условию UM1=UN1, следовательно
или
IЭ =

сI0.

Разность потенциалов ΔUNN1 будет численно равна потенциалу электрода N1

IЭ = сI0.

(21)

Слайд 7

Вычисление коэффициента К для семиэлектродного зонда.

Слайд 8

ДИАГРАММЫ ФОКУСИРОВАННЫХ ЗОНДОВ

Слайд 9

Понятие геометрического фактора в методе БК. Модель к расчету общего сопротивления

среды.

ΔRi=

дифференциальный
геометрический фактор

Функция b = f(r) представляет гиперболу.

Слайд 10

Понятие геометрического фактора в методе БК. Интегральный геометрический фактор.
Анализ формулы (24)

позволяет сделать следующие выводы:
1. Геометрические факторы не зависят от электрических параметров среды, а лишь от геометрии изучаемого пространства;
2. БК наиболее эффективен в скважинах, вскрытых на соленых растворах ( ↓ρс ), и при высоком сопротивлении пород (↑ ρп );
3.Так как Вj представляет собой отношение части пространства, представленного скважиной, зоной проникновения и неизмененным пластом ко всему пространству, то геометрический фактор характеризует вклад той или иной части пространства в измеряемое ρк;

ρк = ρс Вс + ρзп Взп + ρп Вп (24)

Слайд 11

Понятие геометрического фактора в методе БК. Интегральный геометрический фактор.
ρк = ρс

Вс + ρзп Взп + ρп Вп (24)

Анализ формулы (24) позволяет сделать следующие выводы:
4. Сумма геометрических факторов
Вс + Взп + Вп = 1.
Так как

то зависимость В=f(r) будет представлять собой логарифмическую функцию, асимптотически приближающуюся к единице.

Теоретические основы бокового каротажа

Содержание

ОБЛАСТИ ИССЛЕДОВАНИЯ ОБЫЧНЫМИ (а, б) И ФОКУССИРОВАННЫМИ (в) ЗОНДАМИ

СХЕМА ТРЕХЭЛЕКТРОДНОГО ЗОНДАСХЕМА СЕМИЭЛЕКТРОДНОГО ЗОНДА

Схемы бокового каротажа с трехэлектродным (а) и семиэлектродным (б) зондами

Вычисление коэффициента К для семиэлектродного зонда.ΔUM1N1 = ΔUM2N2 = 0Потенциал в

Вычисление коэффициента К для семиэлектродного зонда.По условию UM1=UN1, следовательно илиIЭ =