Защита от ESD с помощью высоковольтных транзисторов

различным внешним факторам, в том числе к электростатическим разрядам. Именно по этому особое внимание при их проектировании уделяется защите от ESD
Цель работы: TLP-исследования 40В NMOS транзисторов A и В-типа выполненных по технологии КНИ КМОП 180 нм на TLP-тесте ES620. 

в непосредственной близости заряженными объектами. Он возникает вследствие трибоэлектрического эффекта, т. е. перехода электронов с поверхности одного тела на поверхность другого в результате трения. Чаще всего причиной воздействия ESD на микросхему становится прикосновение человека, переносящего этот заряд.
Повреждение микросхемы ESD разрядом

структурами, выполненного по технологии КНИ КМОП 180нм.

45 В) 

Сечение 40В NMOS транзистора B-типа (по спецификации напряжение пробоя сток-подложка 46 В)

Схема ggMOS транзистора

Схема ggMOS с запуском на цепочке из 4 и 8 диодов Зенера

при -0.5 В и 5.5 В относительно истока транзистора (синий и красный графики). Напряжение необратимого пробоя Vbd~57 В. Величина тока утечки неизвестна, т.к. источник уходит в ограничение по току 1 мА.

TLP-характеристика 40В NMOS транзисторов A-типа шириной 720 мкм (черный график), утечка при -0.5 В и 5.5 В относительно истока транзистора (синий и красный графики). Напряжение необратимого пробоя Vbd~57 В. Величина тока утечки неизвестна, т.к. источник уходит в ограничение по току 1 мА.

TLP-характеристика 40В NMOS транзисторов A-типа шириной 1080 мкм (черный график), утечка при -0.5 В и 5.5 В относительно истока транзистора (синий и красный графики). Напряжение необратимого пробоя Vbd~52 В. Величина тока утечки неизвестна, т.к. источник уходит в ограничение по току 1 мА.

цепочке из 4х диодов Зенера (черный график), утечка при -0.5 В и 5.5 В относительно истока транзистора (синий и красный графики). Напряжение срабатывания ~ 17.5 В. Необратимый пробой при Vbd~28 В. 

TLP-характеристика 40В NMOS транзисторов A-типа шириной 1800 мкм с запуском на цепочке из 8и диодов Зенера (черный график), утечка при -0.5 В и 5.5 В относительно истока транзистора (синий и красный графики). Напряжение срабатывания ~ 36 В. Необратимый пробой при Vbd~42 В. 

0.55 мкм (черный график), утечка при -0.5 В и 5.5 В относительно истока транзистора (синий и красный графики). Напряжение срабатывания ~ 52 В. Необратимый пробой при Vbd~60.5 В. Сопротивление в открытом состоянии Ron~19 Ом.

TLP-характеристика 40В NMOS транзисторов В-типа шириной 1200 мкм (черный график) и длиной канала 1 мкм, утечка при -0.5 В и 5.5 В относительно истока транзистора (синий и красный графики). Напряжение срабатывания ~ 52 В. Необратимый пробой при Vbd~62 В. Сопротивление в открытом состоянии Ron~19 Ом.