Содержание
- 2. Учебные вопросы: Устройство, принцип действия, классификация и система условных обозначений. Работа полевого транзистора. Статический режим работы
- 3. Вопрос 1. Устройство, принцип действия, классификация и система условных обозначений. Поскольку работа ПТ основана на движении
- 4. История создания ПТ Идея ПТ с изолированным затвором была предложена австро-венгерским физиком Ю.Э. Лилиенфельдом в 1926—1928
- 5. В 1960 году М. Аталла и Д. Кант предложили использовать структуру «металл – диэлектрик (окисел) –
- 6. Сопротивлением канала управляет третий электрод. Он помещается посредине, рисунок 2. Рисунок 2 –Устройство ПТ с управляющим
- 7. Проводящий канал - это область в полупроводнике, в которой регулируется поток носителей заряда. В связи с
- 8. Полевые транзисторы обладают следующими преимуществами по сравнению с биполярными: - высокое входное сопротивление по постоянному току
- 9. Классификация ПТ В зависимости от того, как затвор изолируется от канала, различают два типа полевых транзисторов:
- 10. Рисунок 4. Классификация основных типов ПТ В свою очередь ПТ с изолированным затвором подразделяются на: -
- 11. Рисунок 5. Устройство и принцип действия ПТ с управляющим pn– переходом и каналом n- типа
- 12. Рисунок 6. Устройство и принцип действия МДП транзистора с индуцированным каналом n- типа
- 13. Рисунок 7. Устройство и принцип действия МДП транзистора со встроенным каналом n- типа
- 14. Вопрос 2. Транзисторы с управляющим p-n переходом Полевой транзистор с управляющим p-n переходом — это ПТ,
- 15. . Рисунок 8 - Устройство и работа ПТ с управляющим p-n переходом и каналом n-типа: а
- 16. . Таким образом, полевой транзистор по принципу действия аналогичен вакуумному триоду. Исток в полевом транзисторе подобен
- 17. Вопрос 2. Работа полевого транзистора. Работа ПТ описывается двумя основными зависимостями: - стоко-затворными (передаточными) характеристиками. Это
- 18. . МДП-транзисторы МДП-транзистор – это униполярный транзистор, имеющий один или несколько металлических затворов, изолированных от полупроводникового
- 19. . МДП-транзисторы выполняют двух типов — со встроенным и с индуцированным каналом. МДП-транзисторы представляют собой в
- 20. . Рисунок 11 – МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа МДП-транзистор со встроенным каналом Рассмотрим особенности МДП-транзисторов
- 21. В исходной пластине кремния p-типа с помощью диффузионной технологии созданы области истока, стока и канала n-типа.
- 22. Рисунок 12 – Характеристики МДП со встроенным каналом
- 23. . Рисунок 13 – МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа МДП-транзистор с индуцированным каналом В МДП -транзисторах
- 24. Транзисторы с индуцированным каналом работают в режиме обогащения. При подаче на затвор транзистора с индуцированным каналом
- 25. Рисунок 14 – Характеристики МДП с индуцированным каналом МДП-транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с p-n
- 26. Вопрос 3. Статический режим работы и его параметры. Статическими характеристиками (СХ) называются функциональные зависимости, описывающие взаимосвязь
- 28. Статические параметры Для анализа устройств на основе ПТ аналитическим методом его представляют в виде линейного активного
- 30. Y - система, описывается следующими уравнениями: dIвх = y11 dUвх + y12 dUвых, (4) dIвых =
- 31. Крутизна S: у21 = S, Внутреннее (дифференциальное) сопротивление Ri: Ri=1/y22 = ΔUвых /ΔIвых при Uвх= const.
- 32. Контрольные вопросы 1. Полевые транзисторы и их разновидности. 2. Принцип работы полевого транзистора с управляющим р-п
- 34. Скачать презентацию