Магнетронное напыление титана

Август 24, 2022

Главная
Разное
Магнетронное напыление титана

Содержание

2. Уже несколько десятков лет в машиностроении, микроэлектронике и медицине используются тонкие пленки нитрида титана (TiN). Пленки
3. Традиционный метод нанесения покрытия: метод вакуумного дугового испарения. Недостатки: сложность конструкции источников, наличие в потоке осаждаемого
4. Импульсные магнетронные распылительные системы (МРС) дуального типа Схема экспериментальной установки для нанесения слоев нитрида титана методом
5. Пленки TiN имеют поликристаллическую структуру с ориентацией по кристаллографическим направлениям (111), (200), (220). Увеличение энергии осаждаемых
6. Морфология поверхности зависит от расстояния «мишень-подложка». При удаленном расположении подложки от плоскости мишени, поверхность покрытия имеет
8. Скачать презентацию

Слайд 2

Уже несколько десятков лет в машиностроении, микроэлектронике и медицине используются тонкие

пленки нитрида титана (TiN).
Пленки могут служить в качестве защитных, декоративных, коррозионностойких и барьерных слоёв.
Используются для создания диодов, интегральных схем и т.д.

Нитрид титана обладает уникальным сочетанием свойств:
высокие значения показателей твердости и упругости, температуростойкости и химической инертности, высокие электро- и теплопроводность.

Слайд 3

Традиционный метод нанесения покрытия: метод вакуумного дугового испарения.
Недостатки: сложность конструкции источников,

наличие в потоке осаждаемого вещества капельной фазы.
Это исключает возможность использование метода в микроэлектронике.

Для нанесения высококачественных покрытий TiN наилучшим является метод реактивного магнетронного распыления.
Преимущества: отсутствие капельной фракции, высокие функциональные характеристики, скорости осаждения сравнимы с методом дугового испарения, температурное воздействие на подложку незначительное.

Слайд 4

Импульсные магнетронные распылительные системы (МРС) дуального типа
Схема экспериментальной установки для нанесения

слоев нитрида титана методом реактивного магнетронного распыления при пониженном давлении: ИИ – ионный источник, МРС – магнетронная распылительная система, БП – блок питания; РРГ – регулятор расхода газа

Подложка: монокристаллический кремний; Мишень: ВТ1-0
Газ: Ar/N2
Рабочее давление: 2х10^-2 Па

Слайд 5

Пленки TiN имеют поликристаллическую структуру с ориентацией по кристаллографическим направлениям (111),

(200), (220).

Увеличение энергии осаждаемых частиц стимулирует формирование покрытий TiN по следующей схеме: TiN(200) → TiN(111) → TiN(220)

Слайд 6

Морфология поверхности зависит от расстояния «мишень-подложка». При удаленном расположении подложки от

плоскости мишени, поверхность покрытия имеет большое число конусных пиков. В случае приближения подложки к мишени формируется более сглаженная структура, снижается шероховатость поверхности Ra.
Также принимается во внимание распределение силовых линий магнитного поля дуальной МРС.

АСМ-фотографии поверхности пленок TiN

Механические свойства пленок TiN