МДП полевой транзистор

Содержание

Слайд 2

Основные элементы структуры МДП-транзистора Основной элемент для этих транзисторов – структура

Основные элементы структуры МДП-транзистора

Основной элемент для этих транзисторов – структура металл-диэлектрик-полупроводник.


Затвор – это управляющий электрод
Подложка – монокристаллический полупроводник, на котором изготавливается МДП-транзистор
Две сильнолегированные области – исток и сток
Канал – область подложки под истоком, стоком и затвором
Подзатворный диэлектрик – диэлектрический слой между затвором и каналом
Слайд 3

В зависимости от технологии изготовления различают две разновидности МДП-транзисторов: со встроенным

В зависимости от технологии изготовления различают две разновидности МДП-транзисторов: со встроенным каналом,

созданным в процессе изготовления, и с индуцированным каналом, который наводится электрическим полем под действием напряжения на затворе. Канал может быть p–типа и n–типа.
Слайд 4

Принцип работы МДП-транзистора Эффект поля. Эффект поля состоит в том, что

Принцип работы МДП-транзистора

Эффект поля. Эффект поля состоит в том, что под

действием внешнего электрического поля изменяется концентрация свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника.
В зависимости от знака и величины приложенного напряжения , приложенного к затвору наблюдаются 4 состояния ОПЗ: обогащение, обеднение, сильная и слабая инверсии.

 

Слайд 5

Может работать только в области слабой и сильной инверсии, т.е. в

Может работать только в области слабой и сильной инверсии, т.е. в

том случае, когда инверсионный канал между истоком и стоком отделен от квазинейтрального объема подложки областью обеднения.

Принцип работы МДП-транзистора

Слайд 6

Выбор знаков напряжений в МДП-транзисторе

Выбор знаков напряжений в МДП-транзисторе

 

Слайд 7

Характеристики МДП-транзистора в области плавного канала

Характеристики МДП-транзистора в области плавного канала

Слайд 8

Характеристики МДП-транзистора в области плавного канала

Характеристики МДП-транзистора в области плавного канала

 

 

Слайд 9

Характеристики МДП-транзистора в области отсечки

Характеристики МДП-транзистора в области отсечки

 

Слайд 10

Характеристики МДП-транзистора в области отсечки

Характеристики МДП-транзистора в области отсечки

 

Слайд 11

Эффект смещения подложки

Эффект смещения подложки

 

Слайд 12

Эффект смещения подложки

Эффект смещения подложки

Слайд 13

Малосигнальные параметры

Малосигнальные параметры

 

Слайд 14

Малосигнальные параметры в области плавного канала

Малосигнальные параметры в области плавного канала

 

Слайд 15

Малосигнальные параметры в области отсечки

Малосигнальные параметры в области отсечки