Содержание
- 2. Лекция 6-7. Содержание лекции 7
- 3. Лекция 6-7. Содержание лекции 7. Продолжение
- 4. Виды памяти Внутренняя память (микросхемы): - оперативное запоминающее устройство (ОЗУ, RAM - Random Access Memory); -
- 5. ОЗУ: - статическая память (SRAM); - динамическая (DRAM); - регистровая (RG). ПЗУ: - программированные изготовителем (ROM);
- 6. Элемент памяти (ЭП): триггер, миниатюрный конденсатор, транзистор , плавкая перемычка (или ее отсутствие). Упорядоченный набор ЭП
- 7. Емкость ЗУ - в единицах кратных числу 210 = 1024 = 1K. Для длины слова равной
- 8. Обозначение выводов микросхем памяти: A – шина адреса; D0 – шина выходных данных; W/R – операция
- 9. В правом верхнем углу указывается состояние выходных шин, например: - выход имеет три состояния: 0, 1,
- 10. Способы организации элементов памяти Поразрядная выборка информации: каждый элемент памяти содержит только одну ячейку памяти (адресуется
- 11. Каждой из двух в степени «n» ячеек памяти однозначно соответствует «n» - разрядное двоичное число, называемое
- 12. Например, адресом 511-ой ячейки будет число 1 1111 1111 (BIN) = 511(DEC) = 1FF(HEX). Емкость ЗУ
- 13. Способы поиска информации (адресация) Память 2D включает в себя: - матрица элементов памяти, ряд строк со
- 14. Дешифратор сокращает количество выводов микросхемы. Дешифратор DC соединяет совмещенные вход-выход DI0 согласно коду адреса A с
- 15. Организация памяти 2D
- 16. При записи, информация с шины данных параллельным кодом передается через буферы D1 в элементы памяти. Буферы
- 17. Память 3D включает в себя: - матрица элементов памяти из n квадратных подматриц (для записи-чтения одного
- 18. Функциональная схема подматрицы памяти 3D
- 19. При записи или считывании информации выбираются n элементов памяти, по одному из каждой подматрицы. Они находятся
- 20. При записи информационный сигнал с шины данных записывается через буферы D1 в элементы памяти. Буферы D2
- 21. Память 2DM включает в себя: - матрица элементов памяти (ряд строк с адресами (первая часть адресного
- 22. Часть схемы памяти 2DM строка из двух двоичных n – разрядных чисел: первое слово: D10…D1n-1, второе
- 23. Дешифратор X выбирает строки, каждая содержит группы элементов памяти, равные по емкости. Первая группа - для
- 24. Например, дешифратор X, в соответствии с адресом, выбирает седьмую строку. Согласно сигналу управления дешифратора Y, мультиплексоры
- 25. Пример организации памяти с емкостью 1024 разрядов, для выборки 256 слов длиной по четыре двоичных разряда
- 26. Оперативная память (Random Access Memory, с произвольной выборкой) статическая (SRAM) Применяется для хранения, приема и выдачи
- 27. Данная память имеет высокое быстродействие (цикл обращения 8-20 нс), относительно небольшую информационную емкость, энергетическую зависимость (при
- 28. ОЗУ статического типа
- 29. В качестве элемента памяти используется D-триггер. В микросхеме 537РУ10, например, каждая ЯП состоит из восьми триггеров
- 30. Доступ к ЯПj: Дешифратор столбцов (DCc - заводится k адресных линий); Дешифратор строк (DCr - n-k
- 31. Пример микросхемы статической оперативной памяти SRAM, информационной емкостью 1К · 4, с десятью адресными входами (A),
- 32. Модуль памяти 1К·16 на основе четырех микросхем 1К · 4 ШД – шина данных (16 разрядов);
- 33. Увеличение объема памяти
- 34. ОЗУ динамического типа Элемент памяти - микроконденсатор в интегральном исполнении. Две одноименные k-линии каждой группы подключаются
- 35. Динамическая память Информация хранится в виде зарядов на конденсаторах малой емкости (~0,05 пФ). Если конденсатор заряжен,
- 36. Динамическая оперативная память DRAM, информационной емкостью 4М · 4 или 1048576 бит · 4, с одиннадцатью
- 37. Для уменьшения числа выводов микросхем памяти используется адресное мультиплицирование. В динамических ЗУ адресный код считывается за
- 38. Пример подключения линий адреса входам через MUX(2-1) и DMX(1-2)
- 39. Примечание подключение 18-и линий адреса к 9-и адресным входам через 9-ть MUX(2-1)
- 40. Пример. Микросхемы динамической оперативной памяти серии К565РУ емкостью от 16 К до 1024 К. Структура элементов
- 41. Динамическая оперативная память в компьютерах (SIMM, EDO, SDRAM) имеет цикл обращения около10 нс, информационная емкость микросхемы
- 42. Энергонезависимая память (NVSRAM) Пример: Статическая оперативная память: Заряды поддерживаются встроенной в микросхему литиевой батарейкой большой емкости.
- 43. Постоянная память Постоянная память содержит неизменную информацию, которую можно только считывать, длительно хранить и многократно использовать
- 44. Масочные постоянные запоминающие устройства Запись информации в постоянные ЗУ (ПЗУ, ROM – Read Only Memory) производится
- 45. Программируемые постоянные ЗУ Микросхемы ППЗУ (PROM – Programmable Read Only Memory) конструктивно аналогичны масочным постоянным ЗУ
- 46. Перепрограммируемые постоянные ЗУ Для этой памяти допустимо многократное стирание и запись информации. Перепрограммируемые постоянные ЗУ (REPROM
- 47. Если заряда нет, то при выборе в соответствии с адресом элемента памяти, транзистор откроется (состояние логической
- 48. Флэш-память отличается способом получения и сохранения заряда, управляющего работой транзистора. Управляющий вход полевого транзистора размещен внутри
- 49. Электрический заряд открывает транзистор (замыкание контакта). Это состояние соответствует логической единице. В случае если электрического заряда
- 50. Отличие динамического ОЗУ от статического: - мультиплексирование адресных входов; - регенерация хранимой информации; - повышенная емкость
- 51. Программируемые цифровые интегральные микросхемы Основаны на реализации дизъюнктивной нормальной формы (ДНФ) с помощью элементов И, ИЛИ,
- 52. Структурная схема ПЦИС Пример фрагмента логической матрицы Логические элементы: мультиплексоры, демультиплексоры, триггеры.
- 53. Пример фрагмента ПЦИС
- 54. Преимущества перед дискретными элементами: - Уменьшение габаритов; - Увеличение быстродействия; - Повышение надежности; - Защита от
- 55. ВОПРОСЫ
- 57. Скачать презентацию