Содержание
- 2. Биполярные транзисторы В 1947 г. американские ученые Дж. Бардин и В. Браттейн создали п/п-ковый триод, или
- 3. На фото - первый в мире полупроводниковый транзистор на прижимном контакте
- 4. Это событие имело громадное значение для развития п/п-ковой электроники. Транзисторная структура легла в основу обширного класса
- 5. Различают npn-транзисторы и pnp-транзисторы Стрелкой обозначен эмиттер, направление стрелки, как и в случае диода, от p-типа
- 6. Центральную часть транзистора называется базой (Б), левая высоколегированная – эмиттер (Э), правая, низколегированная – коллектор (К).
- 7. Распределение примеси в pnp-транзисторе
- 9. Зонная диаграмма p-n-p транзистора при ТДР
- 10. В электрическую схему транзистор можно включить тремя режимами (в зависимости от того, какой электрод является общим
- 11. ОЭ ОБ ОК
- 12. Включение транзистора по схеме с общей базой Пусть ЭП включен в прямом направлении, КП – в
- 14. Такая полярность напряжения обеспечивает открытое состояние ЭП и закрытое состояние КП, что соответствует активному режиму работы
- 15. Вследствие диффузии инжектированные НЗ движутся через базу к КП, частично рекомбинируя с ОНЗ – дырками в
- 16. Распределение ННЗ в базе
- 17. Распределение токов
- 18. Отношение приращения IК к вызвавшему его приращению IЭ при постоянном напряжении на коллекторе называют коэффициентом передачи
- 20. Не все инжектированные Э-м дырки доходят до К-ра, некоторая их часть рекомбинирует в базе, поэтому плотность
- 21. Выполнение этого условия позволяет обеспечить высокие значения коэффициента переноса (обычно ). Преимущественное легирование одной из областей
- 22. Уравнение диффузии дырок в области базы в стационарном режиме Граничные условия: при x = 0 :
- 23. Решение уравнения имеет вид:
- 24. Плотность дырочного тока найдем, дифференцируя последнее выражение по х: Полагая х = 0 и х =
- 25. Используя выражения (1) и (2), найдем коэффициент переноса: Для нахождения коэффициента инжекции γ необходимо знать полный
- 26. при x = 0 : при x =
- 27. Электронную компоненту тока ЭП на границе с базой получим из этого выражения при x=0: Эмиттерный ток
- 28. Если бы эмиттерный ток целиком состоял из ННЗ (γ = 1) и все они доходили до
- 29. Для нахождения коэффициента передачи тока эмиттера найдем электронную составляющую тока коллектора, для этого решим уравнение диффузии
- 30. Решение имеет вид: Зная электронную и дырочную составляющие тока коллектора, получаем полный ток через коллекторный переход
- 31. Уравнения (3), (4) и (7) примут более простой вид, если гиперболические функции, входящие в них, разложить
- 33. Учитывая связь ОНЗ и ННЗ , можно записать:
- 34. Ток базы IБ тр-ра будет состоять из трех компонент, включающих электронный ток в ЭП рекомбинационный ток
- 35. Тепловой ток коллектора при включении по схеме ОБ IКБ0 имеет две составляющие: где Is – тепловой
- 36. Входная и выходная ВАХ p-n-p транзистора в схеме ОБ активная область отсечка насыщение
- 37. Уравнения транзистора в схеме ОБ
- 38. Распределение ННЗ в базе pnp-транзистора в нормальном режиме
- 39. Распределение ННЗ в базе pnp-транзистора в режиме насыщения
- 40. Распределение ННЗ в базе pnp-транзистора в режиме отсечки
- 41. С ↑ UК ширина базы ↓, → ↓ вероятность рекомбинации дырок в базе, и при постоянном
- 42. Включение транзистора в схеме ОЭ Включение транзистора по схеме с общим эмиттером
- 43. Расчет ВАХ в схеме ОЭ
- 44. Входные ВАХ транзистора в схеме ОЭ отсечка
- 45. При обратных напряжениях на КП и фиксированном напряжении на ЭП |UБЭ| постоянной будет концентрация дырок в
- 46. При обратном смещении, процесс тепловой генерации будет преобладать над процессом рекомбинации . Генерированные е-ны уходят из
- 47. Выходные ВАХ транзистора в схеме ОЭ
- 48. Влияние напряжения Эрли на выходные ВАХ транзистора -
- 49. Включение транзистора по схеме с общим коллектором Если входная и выходная цепи имеют общим электродом коллектор
- 51. Скачать презентацию