Твердотельная электроника. Семинар №7. Расчет характеристик МОПТ в рамках идеальной модели

Август 4, 2022

Главная
Разное
Твердотельная электроника. Семинар №7. Расчет характеристик МОПТ в рамках идеальной модели

Содержание

2. Расчет характеристик МОПТ в рамках идеальной модели Дано: n-МОПТ, Uзи=5В, Uси=0 - 10 В Найти: В
3. Задача 1 Ход решения: Построение ВАХ: Граница крутой и пологой области ВАХ: Vgst=Vgs-Vt=5-1=4[B] 2. Ток стока
4. Задача 2 В рамках идеальной модели для n-МОП-транзистора рассчитать и построить ВАХ транзистора при V=Uзи=Uси= 0
6. Скачать презентацию

Слайд 2

Расчет характеристик МОПТ в рамках идеальной модели
Дано:
n-МОПТ, Uзи=5В, Uси=0 - 10

В

Найти:

В рамках идеальной модели рассчитать и построить выходную ВАХ транзистора

Решение:

Идеальная модель для расчета ВАХ n-МОПТ

Vds=Vcи
Vgs=Vзи
Vgst=Vзип=Vзи-Vпор
Vdss=Vсин=Vзип
Id=Ic

Слайд 3

Задача 1
Ход решения:
Построение ВАХ:
Граница крутой и пологой области ВАХ: Vgst=Vgs-Vt=5-1=4[B]
2.

Ток стока насыщения Ids=Icн по формуле для пологой области

Выходная ВАХ МОПТ

Слайд 4

Задача 2
В рамках идеальной модели для n-МОП-транзистора рассчитать и построить
ВАХ

транзистора при V=Uзи=Uси= 0 - 10 В (проходная ВАХ)

Решение:

Vds=Vgs=V
Vdss=V-Vt
При V>Vt, V>Vdss – используем формулу
для пологой области ВАХ

Вид ВАХ для задачи 2

Схема включения МОПТ в задании 2