Содержание
- 2. Информация, циркулирующая в вычислительной системе в виде двоичных слов, хранится в памяти. В зависимости от места
- 3. Микросхемы памяти (или просто память, или запоминающие устройства — ЗУ, английское "Memory") представляют собой следующий шаг
- 4. Внутренняя память Представляет собой полупроводниковые запоминающие устройства (ЗУ). Полупроводниковые ЗУ выполняются на больших интегральных схемах (БИС).
- 5. ЗУ имеет регулярную структуру, т.е. состоит из однотипных ячеек памяти (ЯП). ЯП предназначена для хранения одного
- 6. Организация памяти В памяти может храниться N n-разрядных слов.
- 7. Режимы работы памяти: Занесение информации в память – запись; Выборка информации из памяти –считывание; Хранение информации
- 8. В режиме записи необходимо: Организовать обращение по адресу ячейки, где будет размещена информация; Подать записываемую информацию;
- 9. Основные характеристики памяти Организация (оценивается количеством ЯП и их разрядностью). Обозначается Nxn. Информационная емкость (М) –
- 10. Единицы измерения информации:
- 11. Быстродействие (определяется временем обращения к ЗУ) При записи время обращения tобр. складывается из времени поиска ячейки
- 12. Классификация внутренней памяти по функциональному назначению
- 13. Классификация внутренней памяти по способу обращения
- 14. Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) БИС ОЗУ предназначены для кратковременного хранения оперативной, часто изменяющейся информации. ОЗУ является
- 15. По способу хранения информации микросхемы ОЗУ подразделяются на статические и динамические. В динамических ОЗУ (DRAM) элемент
- 16. При считывании происходит разряд конденсатора (разрушающее считывание), поэтому специальные схемы снова подзаряжают конденсаторы (регенерация). Также к
- 17. В статических ОЗУ (SRAM, RAM) элемент памяти представляет собой триггер, в который может быть записана информация
- 18. Структурная схема статического ОЗУ Микросхемы ОЗУ состоят из накопителя и схем управления. Накопитель предназначен для хранения
- 19. Накопитель состоит из элементов матрицы nxN, где n – номера столбцов или разрядов хранимого слова, N
- 20. Дешифратор адресного кода Аm-1…А1А0 (mx2m) предназначен для активации одной из адресных шин при поступлении сигнала выбора
- 21. Усилители считывания реализуют режим чтения содержимого ячейки ОЗУ при подаче активного сигнала для считывания на W/R
- 22. УГО микросхемы ОЗУ в общем виде Микросхемы ОЗУ имеют три типа выводов: Информационные Адресные Управляющие
- 23. На информационные входы DIn-1…DI1DI0 поступают n-разрядные входные данные, которые необходимо записать в ячейку. С информационных выходов
- 24. Микросхема ОЗУ может работать в трех режимах: хранения и режимы обращения (записи и считывания). Вход CS
- 25. Вход WR/RD (W/R) или RD/WR (R/W) – вход записи/чтения (write/read) определяет тип обращения. Он может быть
- 26. В отечественных сериях микросхемы ОЗУ имеют буквенный код РУ. Например,
- 27. Одноразрядная оперативная память в основном бывает с раздельными шинами входных и выходных данных. Многоразрядная оперативная память
- 28. Например, Микросхемы имеют выходы 3С, что позволяет отключать их от шины, переводя в состояние Z.
- 29. Исходя из разрядности адресной шины микросхемы, можно рассчитать количество различных адресов , а следовательно можно определить
- 30. Например, определить организацию и информационную емкость микросхемы ОЗУ К565РУ2, организовать запись «1» в 109 ячейку памяти.
- 31. Организация режима записи заданного слова в указанную по номеру ячейку: 1)необходимо определить адрес ячейки и подать
- 32. Задания для самостоятельной работы: Определить организацию микросхем ОЗУ К541РУ1, К541РУ2 и рассчитать их информационную емкость. Обеспечить
- 33. Построение модуля ОЗУ заданного объема Микросхемы оперативной памяти довольно часто объединяются для увеличения разрядности данных (длины
- 34. Наращивание разрядности обрабатываемого слова Для этого микросхемы ОЗУ соединяются параллельно. Входы CS всех микросхем объединяются, также
- 35. Например, увеличение разрядности данных в два раза:
- 36. Наращивание количества ячеек памяти Для этого микросхемы соединяются последовательно. Для увеличения количества ячеек вдвое достаточно 2-х
- 37. Например, увеличение разрядности адреса на 1 бит (т.е. наращивание в 2 раза количества ячеек):
- 38. Если необходимо увеличить количество ячеек более чем в 2 раза, то применяют дешифратор. Младшие разряды адреса
- 39. Например, увеличение количества ячеек в 4 раза (увеличение разрядности адреса на 2 бита):
- 40. Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) ПЗУ служат для длительного хранения постоянной информации, не изменяющейся в процессе работы
- 41. Основным элементом, используемым для обеспечения хранения информации, является перемычка на определенном участке электрической цепи. При наличии
- 42. В ПЗУ запись информации (программирование) производится заранее вне вычислительного устройства с применением дополнительных технологических операций, таких
- 43. Масочные ПЗУ Этому типу памяти соответствует обозначение ROM (Read Only Memory — память только для считывания).
- 44. Масочные ПЗУ используются лишь при выпуске больших партий устройств с одной и той же прошивкой. Эти
- 45. УГО масочного ПЗУ в общем виде:
- 46. Программируемые ПЗУ (ППЗУ) Этому типу ПЗУ соответствует обозначение PROM (Programmable Read Only Memory). Микросхема поступает к
- 47. УГО программируемого ПЗУ в общем виде:
- 48. ППЗУ также имеют высокую надежность готовой микросхемы и устойчивы к электромагнитным полям и радиации. Возможность программировать
- 49. Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) Этому типу ПЗУ соответствует обозначение RPROM (EPROM) или EЕPROM. Микросхема допускает многократное программирование
- 50. RPROM (EPROM) – Erasable Programmable ROM – микросхемы, информация в которых стирается ультрафиолетовым излучением через специальное
- 51. Для прошивки РПЗУ используется программатор. Некоторые РПЗУ можно программировать прямо в целевом устройстве, подключая внешний программатор.
- 52. Элементарная ячейка хранения данных flash-памяти представляет из себя транзистор с плавающим затвором. Особенность такого транзистора в
- 53. Условно-графическое обозначение FLASH памяти на принципиальных схемах
- 55. Скачать презентацию