Смесительные и детекторные диоды

Слайд 2

Смесительный диод Рис. 12 б Армстронг, Леви, Шоттки 1921 г. Смешение

Смесительный диод

Рис. 12 б

Армстронг, Леви, Шоттки 1921 г.

Смешение – преобразование в

нелинейном устройстве (смесителе) маломощного входного сигнала с одной частоты (fс) на другую (fпр) путем его взаимодействия со сравнительно мощным сигналом гетеродина (вспомогательный внутренний генератор в приемнике).
Информационные характеристики сигнала сохраняются (модуляция).

1) fпр < fс– облегчается дальнейшее усиление

2) fс= var ; fс– fг = fпр = const – упрощается конструкция УПЧ,
облегчается достижение его устойчивости и унификация

Слайд 3

Принцип действия смесительного диода (упрощенно) Рис. 12 в

Принцип действия смесительного диода (упрощенно)

Рис. 12 в

Слайд 4

Рис. 12 г Смесительный диод f г 2 f г f

Рис. 12 г

Смесительный диод

f г

2 f г

f с

f з

f Σ

f пр

f


I 0

f пр

2 f пр

fс– fг = fпр = const ; f Σ = fс+ fг

f з = fг – fпр = 2 fг – fс – «зеркальная» частота

0

Слайд 5

Рис. 12 д Основные параметры смесителя 2. Импеданс на f с

Рис. 12 д

Основные параметры смесителя

2. Импеданс на f с , f

пр – для обеспечения согласования

L1 – потери рассогласования на f с , f пр ;
L2 – потери в Rs ;
L3 – потери в Rd

3. Коэффициент шума – зависит от Rs , Rd

Слайд 6

Рис. 13 Варианты структуры смесительного диода -1 -2 1 0,2 0,4

Рис. 13

Варианты структуры смесительного диода

-1

-2

1

0,2

0,4

0,6

-0,2

-0,4

-10

2

U, В

I, мА

ТКД

Слайд 7

Конструкция диода Шоттки Рис. 14 а) n+-GaAs Pt + Au SiO2

Конструкция диода Шоттки

Рис. 14

а)

n+-GaAs

Pt + Au

SiO2

n-эпи

Ni + Au

0,1 мкм

0,4 мкм

n =

2•1017 см-3, n+ = 3•1018 см-3
Слайд 8

Рис. 14 в Технология «сотовой» структуры

Рис. 14 в

Технология «сотовой» структуры

Слайд 9

Рис. 15 МПЛ Подложка Пайка Включение диода Шоттки в МПЛ

Рис. 15

МПЛ

Подложка

Пайка

Включение диода Шоттки в МПЛ