Содержание
- 2. Электроника Электроника Требования к уровню освоения содержания дисциплины и формы промежуточного и итогового контроля
- 3. Электроника Электроника Рекомендуемая литература Основная литература
- 4. Электроника Электроника Рекомендуемая литература Дополнительная литература
- 5. Электроника Электроника – область науки и техники, которая изучает физические процессы, протекающие при движении заряженных частиц
- 6. Электроника Классификация электронных приборов По применению (назначению): Генераторные, усилительные, выпрямительные и др. По мощности: малой, средней,
- 7. Электроника Основные требования к электронным приборам 1. Главные параметры должны иметь определенные номинальные значения (с заданными
- 8. Электроника Надежность. Количественная оценка Интенсивность отказов n – число однотипных элементов, отказавших в течение промежутка времени
- 9. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)
- 10. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)
- 11. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)
- 12. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)
- 13. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Диэлектрики: ΔW > 6 эВ Полупроводники: 0,1
- 14. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Полупроводники: между атомами молекулы ковалентные связи, образующиеся
- 15. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Процесс образования пары «свободный электрон — дырка»
- 16. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Таким образом, проводимость полупроводника обусловлена перемещением как
- 17. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Если в полупроводнике создать электрическое поле напряженностью
- 18. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Если в полупроводнике создать электрическое поле напряженностью
- 19. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Так как носители заряда противоположного знака движутся
- 20. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Удельная проводимость полупроводника: σ = J др
- 21. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Удельная проводимость полупроводника: σ = J др
- 22. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) В полупроводниках может быть еще диффузионный ток,
- 23. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) В полупроводниках может быть еще диффузионный ток,
- 24. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Если носители заряда распределены равномерно по полупроводнику,
- 25. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Для создания полупроводниковых элементов широко применяют примесные
- 26. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) В случае пятивалентной примеси
- 27. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) В таких полупроводниках электропроводность обеспечивается главным образом
- 28. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) При введении трехвалентной примеси
- 29. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Дырки в таких полупроводниках становятся основными носителями
- 30. Электроника Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Уровень Ферми, температурный потенциал Уровень Ферми —
- 31. Электроника ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ Электрический переход – это граничный слой между двумя областями, физические характеристики которых существенно
- 32. Электроника ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ Электронно-дырочный переход, у которого pp ≈ nn, называется симметричным. Если концентрации основных носителей
- 33. Электроника ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ Чаще всего используется переход между двумя областями полупроводника, имеющими различный тип электропроводности. При
- 34. Электроника ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ОТСУТСТВИИ ВНЕШНЕГО НАПРЯЖЕНИЯ Жеребцов. Основы электроники. с.31-33
- 35. Электроника ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ПРЯМОМ НАПРЯЖЕНИИ Жеребцов. Основы электроники. с.33-35
- 36. Электроника ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ОБРАТНОМ НАПРЯЖЕНИИ Жеребцов. Основы электроники. с.35-36
- 37. Электроника ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК Жеребцов. Основы электроники. с.37
- 38. Электроника ПРОБОЙ p-n ПЕРЕХОДА
- 39. Электроника ЕМКОСТИ p-n ПЕРЕХОДА Емкость p-n-перехода подразделяют на две составляющие: барьерную, отражающую перераспределение зарядов в p-n-переходе,
- 40. Электроника ЕМКОСТИ p-n ПЕРЕХОДА
- 41. Электроника ЕМКОСТИ p-n ПЕРЕХОДА При подключении к p-n-переходу прямого напряжения емкость p-n-перехода определяется в основном диффузионной
- 42. Электроника ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА p-n ПЕРЕХОДА Результирующий ток, протекающий через p-n переход: Уравнение Эберса-Молла IТ называется тепловым
- 43. Электроника ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА p-n ПЕРЕХОДА При увеличении t0 растут и прямой и обратный ток
- 44. Электроника ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Подробно см. Методичка 5189 (теретическая часть л.р.) и др. рекомендуемая литература
- 45. Электроника ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
- 46. Электроника ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Эквивалентная схема диода а) б), в) г), д)
- 47. Электроника ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Выпрямительные диоды, стабилитроны, варикапы и др. типы диодов см. лит.
- 48. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ см. методичка 5189 (теор. часть) и др. лит-ра .
- 49. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
- 50. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ IК = IЭ – IБ = αIЭ где α = 0,95...0,99 — коэффциент
- 51. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Электрический и тепловой пробой коллекторного перехода в транзисторе происходит в основном так же,
- 52. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Три схемы включения транзисторов – с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и
- 53. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Режимы работы транзистора: активный, когда переходы Э-Б ← UПР , К-Б ← UОБР
- 54. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Различают 3 вида коэффициентов усиления: • коэффициент усиления по току КI = ΔIВЫХ
- 55. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Входное сопротивление: RВХ = ΔUВХ / ΔIВХ .
- 56. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СХЕМА с ОБЩЕЙ БАЗОЙ (ОБ) Миловзоров О.В., Панков И.Г. Электроника: Учеб. пособие для
- 57. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СХЕМА с ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ (ОЭ) Миловзоров О.В., Панков И.Г. Электроника: Учеб. пособие для
- 58. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СХЕМА с ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ
- 59. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СХЕМА с ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ (ОК) Миловзоров О.В., Панков И.Г. Электроника: Учеб. пособие для
- 60. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
- 61. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Статические вольт-амперные характеристики Эти характеристики показывают зависимости между токами и напряжениями в транзисторе
- 62. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Входные характеристики схемы с ОЭ С ростом температуры характеристика, наоборот, смещается влево.
- 63. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Выходные характеристики схемы с ОЭ IК = f (UКЭ) при IБ =const
- 64. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Выходные характеристики схемы с ОЭ (См. также Жеребцов И.П. Основы электроники, с.76-78)
- 65. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Проходные характеристики схемы с ОЭ IК = f (UБЭ) при (UКЭ =const).
- 66. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Входные и выходные характеристики схемы с ОБ IЭ = f (UЭБ) при UКБ
- 67. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Входные и выходные характеристики схемы с ОБ Выходные характеристики — это зависимости IК
- 68. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Модуляция толщины базы (эффект Эрли).
- 69. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Входные и выходные характеристики схемы с ОБ Наклон характеристик численно определяется дифференциальным сопротивлением
- 70. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Модели биполярных транзисторов Используются модели – в виде физической (эквивалентные схемы) или активного четырехполюсника.
- 71. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Модифицированная модель Эберса-Молла
- 72. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Модели биполярных транзисторов Модель в виде физической схемы замещения малосигнального интегрального транзистора
- 73. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Модели биполярных транзисторов в виде активных четырехполюсников
- 74. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Модели биполярных транзисторов Система H-параметров Здесь в качестве независимых переменных выбираются i1 и
- 75. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Модели биполярных транзисторов - четырехполюсники где коэффициенты H: Физический смысл H11 – входное сопротивление
- 76. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Модели биполярных транзисторов - четырехполюсники Это коэффициент передачи тока при к.з. на выходе. Это
- 77. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Модели биполярных транзисторов - четырехполюсники Система Y-параметров Здесь напряжения u1 и u2 – независимые
- 78. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Модели биполярных транзисторов - четырехполюсники Для низких частот y-параметры являются чисто активными, и поэтому
- 79. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Модели биполярных транзисторов - четырехполюсники при или при U1=const. Проводимость управления (крутизна) при КЗ
- 80. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Влияние температуры на характеристики биполярных транзисторов
- 81. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Частотные свойства биполярных транзисторов (И.П.Жеребцов Основы электроники, с.97-99) С повышением частоты усиление, даваемое
- 82. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Частотные свойства биполярных транзисторов Вторая причина — отставание по фазе переменного тока коллектора
- 83. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Частотные свойства биполярных транзисторов Те частоты, на которых α = 0,7α0 и β
- 84. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Частотные свойства биполярных транзисторов Максимальная частота генерации fmах : КP = 1 Граничная
- 85. Электроника БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Частотные свойства биполярных транзисторов Улучшение частотных свойств транзисторов: ↓СК ↓τпр
- 86. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (FET – Field Effect Transistor) Полевые транзисторы: принцип действия, отличие от биполярных, схемы включения,
- 87. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ FET – Field Effect Transistor) Здесь управление током, протекающим по каналу от Истока
- 88. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- 89. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Устройство и принцип работы
- 90. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Выходная (стоковая) характеристика IC = f(UCИ) при UЗИ
- 91. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Напряжение отсечки UОТС= UЗИ , при котором IC
- 92. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RВХ - очень большое, т.к. IВХ=IЗ очень мал
- 93. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы с изолированным затвором МДП (металл–диэлектрик–полупроводник) MISFET и МОП (металл–оксид–полупроводник) MOSFET. Канал
- 94. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы с изолированным затвором МДП транзистор с встроенным каналом (обедненного типа)
- 95. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МДП транзисторы с встроенным каналом Устройство и принцип работы
- 96. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МДП транзисторы с встроенным каналом Вольт-амперные характеристики
- 97. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы с изолированным затвором МДП транзисторы с индуцированным каналом (обогащенного типа)
- 98. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МДП транзисторы с индуцированным каналом При UЗИ = 0 канал отсутствует Если UЗИ
- 99. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МДП транзисторы с индуцированным каналом UЗИпор = 0,1…0,2 В для N-МДП ПТ и
- 100. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы с барьером Шоттки (ПТШ) (или полевые транзисторы с управлящим переходом «металл-п/п»
- 101. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы с барьером Шоттки (ПТШ) (MEП-транзисторы)
- 102. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы с барьером Шоттки (ПТШ) (MEП-транзисторы) При напряжении UЗИ Путем выбора значений
- 103. Электроника ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы с барьером Шоттки (ПТШ) (MEП-транзисторы) Проходные (сток-затворные) и выходные (стоковые) ВАХ
- 104. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Электронные лампы Электровакуумные приборы (ЭВП) – это приборы, в которых ток образуется
- 105. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Электронные лампы Катоды Прямого накала Косвенного накала Алунд (изоляция)
- 106. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Устройство и работа электровакуумного диода
- 107. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Устройство и работа электровакуумного диода Электроны, ушедшие с катода безвозвратно, определяют ток
- 108. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Устройство и работа электровакуумного диода При изменении Uа изменяется iК и iа
- 109. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Устройство и работа электровакуумного диода Для диода, работающего в режиме объемного заряда:
- 110. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Устройство и работа электровакуумного диода Анодная характеристика диода iа= f (Uа) при
- 111. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Устройство и работа электровакуумного диода Параметры диодов: UН , IН , Ie
- 112. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Устройство и работа электровакуумного триода (Жеребцов Основы электроники с.224-226, 227-234, 249-250 Сетка
- 113. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Устройство и работа электровакуумного триода iк = ia + ig . В
- 114. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Устройство и работа электровакуумного триода Проницаемость D = 1/ μ . Очевидно,
- 115. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Статические ВАХ электровакуумного триода Анодно-сеточные (проходные) характеристики iа= f(Ug) при Uа= const.
- 116. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Статические ВАХ электровакуумного триода Анодные (выходные) характеристики iа= f(Uа) при Ug =
- 117. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Параметры электровакуумного триода UН , IН а также максимальные допустимые параметры: Ра
- 118. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Многоэлектродные электровакуумные лампы. Тетрод g2 – экранирующая (экранная), Ca-g – проходная емкость
- 119. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Многоэлектродные электровакуумные лампы. Тетрод На экранную сетку подается положительное напряжение Ug2 =
- 120. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Многоэлектродные электровакуумные лампы. Тетрод Недостаток тетрода – динатронный эффект («провал» в характеристике).
- 121. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Многоэлектродные электровакуумные лампы. Пентод g3 – защитная (антидинатронная) сетка. Обычно Ug3 =
- 122. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Многоэлектродные электровакуумные лампы. Пентод Проницаемость пентода D = D1 . D2 .
- 123. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Многоэлектродные электровакуумные лампы. Пентод Семейство анодных характеристик пентода снимается при Ug2 =
- 124. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Более подробно: Устройство, принцип работы, характеристики, достоинства и недостатки. И.П.Жеребцов Основы электроники,
- 125. ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Вакуумные интегральные схемы (ВИС) – приборы, где активными элементами являются электровакуумные микролампы с
- 126. Электроника ПРИБОРЫ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Электровакуумные микролампы 1 - холодный катод (изготовлен в виде острия), 2 -
- 128. Скачать презентацию