Содержание
- 2. 1950г Электронные лампы Электронная лампа, радиолампа — электровакуумный прибор (точнее, вакуумный электронный прибор), работа которого осуществляется
- 3. 1960г Транзистор Транзистор (англ. Transistor ), полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с
- 4. 1970г Интегральные схемы Интегральная (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх ), микросхема, чип ( тонкая пластинка — первоначально
- 5. 1980г Большие интегральные схемы БИС, сложная интегральная схема с большой степенью интеграции. БИС создают методами планарной
- 6. 1990г Сверхбольшие интегральные схемы
- 7. Оптоэлектроника Оптоэлектроника — раздел электроники, занимающийся вопросами использования оптических и электрических методов обработки, хранения и передачи
- 9. Скачать презентацию
Слайд 2
1950г Электронные лампы
Электронная лампа, радиолампа — электровакуумный прибор (точнее, вакуумный электронный прибор),
1950г Электронные лампы
Электронная лампа, радиолампа — электровакуумный прибор (точнее, вакуумный электронный прибор),
работа которого осуществляется за счёт изменения потока электронов, движущихся в вакууме или разрежённом газе между электродами. Состав: (элементы электронной лампы пентода)нить накала, катод, три сетки, анод. Вверху — элементы крепления и кольцо с поглотителем остатков воздуха.
Принцип действия - Вакуумные электронные лампы с подогреваемым катодом
В результате термоэлектронной эмиссии электроны покидают поверхность катода.
Под воздействием разности потенциалов между анодом
и катодом электроны достигают анода и образуют анодный ток
во внешней цепи.
С помощью дополнительных электродов (сеток) осуществляется
управление электронным потоком путём подачи на эти
электроды различного электрического потенциала.
В вакуумных электронных лампах наличие газа ухудшает
характеристики лампы.
Принцип действия - Вакуумные электронные лампы с подогреваемым катодом
В результате термоэлектронной эмиссии электроны покидают поверхность катода.
Под воздействием разности потенциалов между анодом
и катодом электроны достигают анода и образуют анодный ток
во внешней цепи.
С помощью дополнительных электродов (сеток) осуществляется
управление электронным потоком путём подачи на эти
электроды различного электрического потенциала.
В вакуумных электронных лампах наличие газа ухудшает
характеристики лампы.
Слайд 3
1960г Транзистор
Транзистор (англ. Transistor ), полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий
1960г Транзистор
Транзистор (англ. Transistor ), полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий
входным сигналом управлять током в электрической цепи.
Состав : используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора — изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.
Принцип работы : ток, поданный на базу, открывает транзистор и обеспечивает протекание тока в цепи коллектор-эмиттер. С помощью малого тока, поданного на базу, можно управлять током большой мощности, идущим от коллектора к эмиттеру.
Состав : используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора — изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.
Принцип работы : ток, поданный на базу, открывает транзистор и обеспечивает протекание тока в цепи коллектор-эмиттер. С помощью малого тока, поданного на базу, можно управлять током большой мощности, идущим от коллектора к эмиттеру.
Слайд 4
1970г Интегральные схемы
Интегральная (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх ), микросхема, чип ( тонкая пластинка — первоначально термин относился к пластинке кристалла
1970г Интегральные схемы
Интегральная (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх ), микросхема, чип ( тонкая пластинка — первоначально термин относился к пластинке кристалла
микросхемы) — микроэлектронное устройство —электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке(пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус или без такового, в случае вхождения в состав микросборки.
Аналоговые микросхемы — входные и выходные сигналы изменяются по закону непрерывной функции в диапазоне от положительного до отрицательного напряжения питания.
Цифровые микросхемы — входные и выходные сигналы могут иметь
два значения: логический ноль или логическая единица, каждому
из которых соответствует определённый диапазон напряжения.
Например, для микросхем типа ТТЛ при напряжении питания +5 В
диапазон напряжения 0…0,4 В соответствует логическому нулю, а
диапазон от 2,4 до 5 В — логической единице; для микросхем ЭСЛ-логики
при напряжении питания −5,2 В диапазон от −0,8 до −1,03 В — логической
единице, а от −1,6 до −1,75 В — логическому нулю.
Аналого-цифровые микросхемы совмещают в себе формы цифровой и
аналоговой обработки сигналов, например, усилитель сигнала и аналого
–цифровой преобразователь.
Аналоговые микросхемы — входные и выходные сигналы изменяются по закону непрерывной функции в диапазоне от положительного до отрицательного напряжения питания.
Цифровые микросхемы — входные и выходные сигналы могут иметь
два значения: логический ноль или логическая единица, каждому
из которых соответствует определённый диапазон напряжения.
Например, для микросхем типа ТТЛ при напряжении питания +5 В
диапазон напряжения 0…0,4 В соответствует логическому нулю, а
диапазон от 2,4 до 5 В — логической единице; для микросхем ЭСЛ-логики
при напряжении питания −5,2 В диапазон от −0,8 до −1,03 В — логической
единице, а от −1,6 до −1,75 В — логическому нулю.
Аналого-цифровые микросхемы совмещают в себе формы цифровой и
аналоговой обработки сигналов, например, усилитель сигнала и аналого
–цифровой преобразователь.
Слайд 5
1980г Большие интегральные схемы
БИС, сложная интегральная схема с большой степенью интеграции.
1980г Большие интегральные схемы
БИС, сложная интегральная схема с большой степенью интеграции.
БИС создают методами планарной технологии путём формирования их элементов с одной (рабочей) стороны полупроводниковой пластины (подложки). Планарная технология основана на создании в приповерхностном слое полупроводника монокристаллической пластины областей с различным типом проводимости, в совокупности образующих структуру интегральной схемы.
Применяется для создания на её основе транзисторов, конденсаторов, приборов с зарядовой связью, фотоэлектронных умножителей и др. Цифровые БИС на основе МДП-структур содержат от 1000 до 10 000 элементов.
Применяется для создания на её основе транзисторов, конденсаторов, приборов с зарядовой связью, фотоэлектронных умножителей и др. Цифровые БИС на основе МДП-структур содержат от 1000 до 10 000 элементов.
Слайд 6
1990г Сверхбольшие интегральные схемы
1990г Сверхбольшие интегральные схемы
Слайд 7
Оптоэлектроника
Оптоэлектроника — раздел электроники, занимающийся вопросами использования оптических и электрических методов обработки, хранения
Оптоэлектроника
Оптоэлектроника — раздел электроники, занимающийся вопросами использования оптических и электрических методов обработки, хранения
и передачи информации.
Оптоэлектронный прибор - это прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной или ультрафиолетовой областях; или прибор, излучающий и преобразующий некогерентное или когерентное излучение в этих же спектральных областях; или прибор, использую принципиальные особенности оптоэлектронных устройств связаны с тем, что в качестве носителя информации в них наряду с электронами выступают электрически нейтральные фотоны. Этим обуславливаются их основные достоинства:
1. Высокая информационная ёмкость оптического канала.
2. Острая направленность излучения.
3. Возможность двойной модуляции светового луча - не только временной, но и пространственной.
4. Бесконтактность, «электропассивность» фотонных связей.
5. Возможность простого оперирования со зрительно воспринимаемыми образами.
щий такое электромагнитное излучение для своей работы.
Оптоэлектронный прибор - это прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной или ультрафиолетовой областях; или прибор, излучающий и преобразующий некогерентное или когерентное излучение в этих же спектральных областях; или прибор, использую принципиальные особенности оптоэлектронных устройств связаны с тем, что в качестве носителя информации в них наряду с электронами выступают электрически нейтральные фотоны. Этим обуславливаются их основные достоинства:
1. Высокая информационная ёмкость оптического канала.
2. Острая направленность излучения.
3. Возможность двойной модуляции светового луча - не только временной, но и пространственной.
4. Бесконтактность, «электропассивность» фотонных связей.
5. Возможность простого оперирования со зрительно воспринимаемыми образами.
щий такое электромагнитное излучение для своей работы.
- Предыдущая
Сила упругости. Закон ГукаСледующая -
Динамометр. Вес тела