Полупроводниковые элементы. Диод. Транзистор

Содержание

Слайд 2

Диод. Вольтамперная характеристика

Диод. Вольтамперная характеристика

Слайд 3

Односторонняя проводимость диода

Односторонняя проводимость диода

Слайд 4

Статическое и динамическое сопротивление

Статическое и динамическое сопротивление

Слайд 5

Виды диодов выпрямительные диоды, предназначены для выпрямления переменного тока; варикапы (vari(able)

Виды диодов

выпрямительные диоды, предназначены для выпрямления переменного тока;
варикапы (vari(able) cap(acity)), их

работа основана на зависимости емкости p-n перехода от обратного напряжения, применяются в качестве элементов с электрически управляемой емкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и умножения частоты, частотной модуляции и т. п.;
стабилитроны, предназначены для стабилизации напряжения;
светодиоды (излучающие диоды), предназначены для преобразования электрической энергии в световую;
фотодиоды, предназначены для преобразования световой энергии в электрическую;
туннельные диоды, используются для усиления сигналов и генерации электромагнитных колебаний.
Слайд 6

Стабилитрон

Стабилитрон

Слайд 7

Туннельный диод

Туннельный диод

Слайд 8

Классификация транзисторов Биполярные: NPN. PNP. Униполярные (полевые): С управляющим pn-переходом: NJFET

Классификация транзисторов

Биполярные:
NPN.
PNP.
Униполярные (полевые):
С управляющим pn-переходом:
NJFET — с каналом n-типа.
PJFET — с

каналом p-типа.
С изолированным затвором (МОП, Металл — Окисел — Полупроводник):
Со встроенным (обогащенным) каналом:
NMOSFET — полевой МОП-транзистор с каналом n-типа.
PMOSFET — полевой МОП-транзистор с каналом p-типа.
С индуцированным (обедненным) каналом:
n-типа.
p-типа.
Слайд 9

Условные графические обозначения транзисторов

Условные графические обозначения транзисторов

Слайд 10

Устройство и работа биполярного транзистора

Устройство и работа биполярного транзистора

Слайд 11

Устройство и работа полевого транзистора с изолированным затвором

Устройство и работа полевого транзистора с изолированным затвором

Слайд 12

Характеристики транзисторов Входная (для биполярного транзистора — IБ(UБЭ)). Выходная (для биполярного

Характеристики транзисторов

Входная (для биполярного транзистора — IБ(UБЭ)).
Выходная (для биполярного транзистора —

IК(UКЭ), полевого — IС(UСИ).
Передаточная (для биполярного транзистора — IК(UБЭ), полевого — IС(UЗИ).
Слайд 13

Схема для построения характеристик транзистора

Схема для построения характеристик транзистора

Слайд 14

Схема для изучения работы транзистора Основные режимы работы транзистора: Линейный. Насыщения. Отсечки.

Схема для изучения работы транзистора

Основные режимы работы транзистора:
Линейный.
Насыщения.
Отсечки.

Слайд 15

Линейный режим работы транзистора

Линейный режим работы транзистора

Слайд 16

Режимы насыщения и отсечки

Режимы насыщения и отсечки

Слайд 17

Инвертор

Инвертор

Слайд 18

Логический элемент И-НЕ

Логический элемент И-НЕ

Слайд 19

Реализация элемента И-НЕ в технологии ТТЛ на основе многоэмиттерных транзисторов

Реализация элемента И-НЕ в технологии ТТЛ на основе многоэмиттерных транзисторов