Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия

Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустического преобразователя

Слайд №2

Слайд №3

Рисунок 2 – Схема установки для измерения вольтамперных характеристик барьеров

Слайд №4

Рисунок 3 – Прямая ветвь ВАХ исследуемой структуры

Рисунок 4 – Обратная ветвь ВАХ исследуемой структуры

Слайд №5

Рисунок 5 – Зависимость тока структуры от времени измерения

Слайд №6

A

E1,E2 – источники постоянного напряжения; M1 – миллиамперметр (мультиметр DT-838); Q1, R1, R2, D1, D2 – элементы токостабилизирующей нагрузки; М2 – микроамперметр

а) б)

1 – I = 1,00 (IF = 16 мА); 2 – I = 0,21 (IF = 3,3 мА); 3 – I = 0,04 (IF = 0,7 мА)
Рисунок 7 — Семейство ВАХ фотоприемника при