Исследование и сравнение излучательных характеристик для различных составов квантовых ям

Сентябрь 13, 2022

Главная
Физика
Исследование и сравнение излучательных характеристик для различных составов квантовых ям

Содержание

2. Цель работы Совершенствование активной области полупроводниковых лазеров с целью повышения выходной мощности Исследование и сравнение излучательных
3. Выбор состава квантовой ямы Для постоянной решетки 5,6-5,65 Å подходят составы AlGaAs и GaAsP
4. Достоинства и недостатки квантоворазмерной активной области полупроводниковых лазеров Квантовые ямы AlGaAs + Хорошее согласование параметра кристаллической
5. Зависимость концентрации примеси кислорода от доли алюминия в составе структуры
6. График сегрегации индия в гетероструктуре
7. Спектры интенсивности фотолюминесценции образцов AlGaAs/ AlGaAs GaAsP/AlGaAs GaAsP/ InGaP
9. Скачать презентацию

Слайд 2

Цель работы
Совершенствование активной области полупроводниковых лазеров с целью повышения выходной мощности
Исследование

и сравнение излучательных характеристик для различных составов квантовых ям

Слайд 3

Выбор состава квантовой ямы
Для постоянной решетки 5,6-5,65 Å подходят составы AlGaAs

и GaAsP

Слайд 4

Достоинства и недостатки квантоворазмерной активной области полупроводниковых лазеров
Квантовые ямы AlGaAs
+ Хорошее

согласование параметра кристаллической решетки
- Наличие дефектов, связанных с взаимодействием алюминия с кислородом
- Сильнее проявлятюся процессы «старения»

Квантовые ямы GaAsP
+ Значительно меньшая степень взаимодействия с кислородом.
+ Меньшая вероятность катастрофического разрушения зеркал
- Более низкая по сравнению с AlGaAs теплопроводность
- Более низкое качество гетерограниц

Слайд 5

Зависимость концентрации примеси кислорода от доли алюминия в составе структуры

Слайд 6

График сегрегации индия в гетероструктуре

Слайд 7

Спектры интенсивности фотолюминесценции образцов
AlGaAs/ AlGaAs
GaAsP/AlGaAs
GaAsP/ InGaP