Методы травления материалов электронной техники

Сентябрь 13, 2022

Главная
Физика
Методы травления материалов электронной техники

Содержание

2. Введение Под травлением понимают растворение и последующее удаление заданной части материала с поверхности; При травлении испытываются
3. Виды травления Жидкостное (химическое) травление: а) анизотропное б) изотропное в) селективное Сухое травление: а) ионное б)
4. Анизотропное травление Анизотропное травление широко используется в технологии ИМС, особенно для создания узких разделяющих щелей; Травление
5. Изотропное травление Травление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях – как вглубь, так и под
6. Селективное травление Применяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре; Мерой селективности служит отношение скоростей
7. Ионное травление Травление выполняют в вакуумных установках путем бомбардировки пластин; S = k*m1*m2*E/ λ*(m1+m2), где k
8. Ионно-химическое травление Представляет собой физико-химический процесс, который происходит при достаточно высоком давлении газов и значительной энергии
9. Плазмохимическое травление Происходит в результате химических реакций между химически активными частицами и поверхностными атомами материала; осуществляется
10. Требования к процессам травления К процессам травления предъявляются следующие требования: высокая селективность; отсутствие деградирующего влияния на
12. Скачать презентацию

Слайд 2

Введение
Под травлением понимают растворение и последующее удаление заданной части материала с

поверхности;
При травлении испытываются адгезия, непроницаемость, уровень дефектности и химическая инертность резиста;
Наиболее важными параметрами процесса являются стойкость резиста к травлению и его адгезия к подложке.

Слайд 3

Виды травления
Жидкостное (химическое) травление:
а) анизотропное
б) изотропное
в) селективное
Сухое травление:

а) ионное
б) ионно-химическое
в) плазмохимическое

Слайд 4

Анизотропное травление
Анизотропное травление широко используется в технологии ИМС, особенно для создания

узких разделяющих щелей;
Травление идет медленно и требуется нагрев раствора до температуры, близкой к его кипению.

Слайд 5

Изотропное травление
Травление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях – как

вглубь, так и под маску;
Основным компонентом травителя является плавиковая кислота HF;
W > W0 + 2d, где W – размер вытравленной области, W0 – размер отверстия в маске, d – толщина слоя диоксида кремния.

Слайд 6

Селективное травление
Применяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре;
Мерой селективности

служит отношение скоростей растворения разных металлов при одновременном воздействии одного травителя.

Слайд 7

Ионное травление
Травление выполняют в вакуумных установках путем бомбардировки пластин;
S = km1m2*E/

λ*(m1+m2), где k — коэффициент, характеризующий состояние поверхности; λ — средняя длина свободного пробега иона в обрабатываемом материале, зависящая от θ.

Слайд 8

Ионно-химическое травление
Представляет собой физико-химический процесс, который происходит при достаточно высоком давлении

газов и значительной энергии частиц;
Процессы ИХТ обладают высокой анизотропией и используются в качестве универсального процесса травления материалов;
Процессы ИХТ обладают способностью воспроизвести с шаблонов субмикронные (0,3 – 0,5 мкм) структуры.

Слайд 9

Плазмохимическое травление
Происходит в результате химических реакций между химически активными частицами и

поверхностными атомами материала;
осуществляется при энергиях ниже 100 эВ;
Процессы плазмохимического травления могут обеспечить обработку поликремниевых структур, а также удаление масок с фоторезистов.

Слайд 10

Требования к процессам травления
К процессам травления предъявляются следующие требования:
высокая селективность;

отсутствие деградирующего влияния на свойства и размеры защитных масок;
низкий уровень загрязненности поверхности материала и искажения полученного рельефа;
высокая воспроизводимость и равномерность травления;
минимальный уровень загрязнения окружающей среды.

Методы травления материалов электронной техники

Содержание

ВведениеПод травлением понимают растворение и последующее удаление заданной части материала с

Виды травленияЖидкостное (химическое) травление: а) анизотропное б) изотропное в) селективноеСухое травление:

Анизотропное травлениеАнизотропное травление широко используется в технологии ИМС, особенно для создания

Изотропное травлениеТравление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях – как

Селективное травлениеПрименяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре;Мерой селективности

Ионное травлениеТравление выполняют в вакуумных установках путем бомбардировки пластин;S = k*m1*m2*E/

Ионно-химическое травлениеПредставляет собой физико-химический процесс, который происходит при достаточно высоком давлении

Плазмохимическое травлениеПроисходит в результате химических реакций между химически активными частицами и

Требования к процессам травления К процессам травления предъявляются следующие требования:высокая селективность;

Похожие презентации