Взаимодействие фотонов со средой

взаимодействие, электромагнитное взаимодействие, слабое взаимодействие, гравитационное взаимодействие.
Переносчиком электромагнитного взаимодействия является квант электромагнитного поля – фотон. Радиус действия сил R и масса переносчика взаимодействия m связаны соотношением R = ћ/mc.
Так как фотон имеет нулевую массу, радиус действия электромагнитных сил бесконечный. Поэтому к электромагнитному взаимодействию сводится большинство явлений, наблюдаемых в макроскопических масштабах – силы трения, упругости и другие. Безразмерная константа α =e2/ћc = 1/137 определяет интенсивность электромагнитного взаимодействия.

зарядов, скалярный потенциал обращается в 0 и энергия взаимодействия дается формулой

Эта формула позволяет описать процессы испускания и поглощения фотонов.

фиксировать свое внимание на каком-нибудь одном конкретном процессе. При распаде
состояния ǀ α > могут происходить 2 процесса излучения: стимулированное или
индуцированное излучение фотона и спонтанное излучение.

ядре

При энергиях электрона, значительно меньших критической энергии Екр, определяемой приблизительно формулой доминируют потери на
процессы возбуждения и ионизации связанных электронов атомов поглощающего вещества. При энергиях выше критической преобладают потери на излучение.
Заряженная частица, пролетающая около ядра с зарядом Ze, испытывает кулоновское притяжение или отталкивание и отклоняется. Такой процесс называется кулоновским рассеянием. При отклонении частица ускоряется (или замедляется). Ускоренно движущаяся электрически заряженная частица излучает. В случае электронов в синхротроне излучение это называют синхротронным излучением; в случае рассеяния заряженных частиц в кулоновском поле ядер оно называется тормозным излучением.

и алюминии от энергии (сплошные кривые). Поглощение за счет фотоэффекта в алюминии пренебрежимо мало при рассматриваемых энергиях. Пунктирные линии отдельные вклады, вносимые в полный коэффициент поглощения фотоэффектом, комптоновским рассеяние, рождением пар для Pb. Энергия по оси абсцисс дана в логарифмическом масштабе;
соответствует энергии 0.511 МэВ.

БУГЕРА)

веществом под действием электромагнитного излучения. Внешний фотоэффект наблюдается в твердых телах (металлах, полупроводниках, диэлектриках), а также в газах на отдельных атомах и молекулах (фотоионизация).
Внутренний фотоэффект – это вызванные электромагнитным излучением переходы электронов внутри полупроводника или диэлектрика из связанных состояний в свободные без вылета наружу. В результате концентрация носителей тока внутри тела увеличивается, что приводит к возникновению фотопроводимости (повышению электропроводности полупроводника или диэлектрика при его освещении) или к возникновению электродвижущей силы (ЭДС).
 Вентильный фотоэффект является разновидностью внутреннего фотоэффекта, – это возникновение ЭДС (фото ЭДС) при освещении контакта двух разных полупроводников или полупроводника и металла (при отсутствии внешнего электрического поля). Вентильный фотоэффект открывает пути для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую.
Многофотонный фотоэффект возможен, если интенсивность света очень большая (например, при использовании лазерных пучков). При этом электрон, испускаемый металлом, может одновременно получить энергию не от одного, а от нескольких фотонов.

- ионизационный потенциал оболочки атома; En - энергия отдачи ядра, - энергия гамма-кванта. Величина энергии отдачи ядра обычно мала.
Eе = - Ii , где i = K, L, M,... - индекс электронной оболочки. Эффективное сечение фотоэффекта является суммой эффективных сечений фотоэффекта на отдельных электронных оболочках атома.
    Фотоэффект происходит с наибольшей вероятностью (около 80%) на электронах атомной оболочки, наиболее сильно связанной с ядром атома, т.е. на K-оболочке!   Зависимость сечения фотоэффекта от атомного номера Z вещества поглотителя: ~Z5. Фотоэффект является главным процессом в области малых энергий. Сечение фотоэффекта очень резко спадает с ростом энергии гамма-квантов .

1962),
исследуя в 1923 г. рассеяние монохроматических
рентгеновских лучей веществами с легкими атомами
(парафин, бор), обнаружил, что в составе рассеянного
излучения наряду с излучением первоначальной
длины волны наблюдается также излучение более
длинных волн. Опыты показали, что разность
Δλ = λ' - λ не зависит от длины волны λ падающего излучения
и природы рассеивающего вещества, а определяется только величиной угла рассеяния θ:
где λ'— длина волны рассеянного излучения,
λк — комптоновская длина волны
(при рассеянии фотона на электроне λк = 2,426 пм).

Электрон можно считать свободным, если Eγ >> энергии связи электрона!

θ - угол между направлениями импульсов γ- квантов

с энергией E'γ< Eγ, а электрон, на котором произошло рассеяние, приобретает кинетическую энергию Eе = Eγ − E'γ. На рисунке показана схема рассеяния γ-квантов на электроне. Пользуясь законами сохранения импульса и энергии можно записать

где mec2 = 0.511 МэВ − энергия покоя электрона, Ee − полная энергия электрона, Eγ и E'γ − энергии падающего и рассеянного  -квантов. Можно показать, что изменение длины волны γ-кванта при комптоновском рассеянии дается выражением

Изменение длины волны при комптоновском рассеянии не зависит от λ и определяется лишь углом   рассеяния γ-кванта. Кинетическая энергия электрона определяется соотношением

Эффективное сечение рассеяния γ-кванта на электроне σC не зависит от характеристик вещества поглотителя. Формула для него имеет вид:

где re = e2/(mec2) = 2.8·10-13 см, ε = Eγ/(mec2). 

Видно, что сечение комптоновского рассеяния убывает с ростом энергии γ-кванта: σC ~ 1/Eγ.

с длиной волны λ0, проходит через свинцовые диафрагмы 2 и в виде узкого пучка направляется на рассеивающее вещество – мишень 3.
Излучение, рассеянное под некоторым углом θ, анализируется с помощью спектрографа рентгеновских лучей 4, в котором роль дифракционной решетки играет кристалл 5, закрепленный на поворотном столике.

Эффектом Комптона называется упругое рассеяние коротковолнового электромагнитного излучения (рентгеновского и γ-излучений) на свободных (или слабосвязанных) электронах вещества, сопровождающееся увеличением длины волны.

все электроны атома можно считать свободными.
Комптоновское рассеяние происходит в результате упругого столкновения фотона с электроном, причем фотон передает электрону часть своей энергии и импульса. Поэтому энергетические и угловые характеристики явления полностью определяются законами сохранения энергии и импульса для упругого удара hν = hν' + Те

Из формулы Комптона следует, что:
Изменение длины волны при комптоновском
рассеянии не зависит от λ  и определяется лишь углом
рассеяния γ –кванта!

Спектры рассеянного излучения

часть энергии и импульса.    

где Eя - энергия отдачи ядра. Так как энергия отдачи ядра мала, то порог рождения пар ~2meс2 = 1.022 МэВ.
В основном образование е+е--пар происходит в кулоновском поле ядер и эффективное сечение этого процесса пропорционально Z2.  Порог рождения пар в поле электрона равен 4meс2.
Можно приближенно определить границы
областей энергии γ  -квантов и значений Z,
в которых наибольшее значение имеет тот
или иной механизм взаимодействия γ -излучения
с веществом.
Порог рождения пар в поле электрона равен 4meс2.
Это связано с тем, что энергию отдачи получает электрон,
имеющий малую массу, и пренебречь ею уже нельзя. Образование пар в поле электрона характеризуется сравнительно малым сечением

с веществом, образует электрон-позитронную пару. Видно, что вероятность образования электрон-позитронной пары растет с ростом энергии фотона и с увеличением заряда ядра (это видно также из рисунков 1 − 3).  Приведём сечение образования электрон-позитронной пары в области энергий фотонов meс2 << Eγ << meс2(137/Z2):

Зависимость вероятности образования пары от энергии фотона.
Это сечение получено без учета экранирования, которое существенно при высоких энергиях.

одновременно возникает пара частиц электрон-позитрон.
Позитрон аннигилирует с электроном среды, с образованием вторичных гамма-квантов
Вторичные гамма-кванты проходя через вещество теряют энергию за счет фотоэффекта или эффекта Комптона

в диапазоне 60 кэВ < Eγ < 15 МэВ и в свинце 0.7 МэВ < Eγ < 5 МэВ. Фотоэффект в алюминии наиболее существенно при Eγ < 50 кэВ и в свинце при Eγ < 0.5 МэВ.
Образование пар доминирует над этими двумя процессами в алюминии при Eγ > 15 МэВ и в свинце при Eγ > 6 МэВ.

механика. − М. Наука. 1971.
Ситенко А.Г. Теория рассеяния. − Киев. “Вища школа”, 1975.
Фрауэнфельдер, Г. Субатомная физика. /Г. Фрауэнфельдер, Э. Хэнли. – М.: Мир. 1979.