Классификация транзисторов

Июль 31, 2022

Главная
Разное
Классификация транзисторов

Содержание

2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
4. Режимы работы БТ и полярности ИП. 1. Линейный (активный) режим: ЭП-отперт ; КП- заперт
6. Rвх ≈ (1+ h21) Rэ - велико Rвых = Rэ ǁ rэб ≈ rэб -мало Ku
7. Принцип работы БТ в схеме с ОЭ и соотношение токов nэ ˃˃ pб 1. Iб =
8. Работа УК в схеме с ОЭ (главная цепь). Iб = Uбэ / h11 Iк = β*
9. Основные характеристики и параметры БТ в схеме с ОЭ 1. Входные характеристики IБ = f(UЭБ) при
10. Схема замещения БТ с ОЭ в физ. параметрах 1. rб ≈ 100ни Ом -сопротивление базовой области
11. ΔUБЭ = h11Э⋅ΔIБ + h12Э⋅ΔUКЭ; ΔIК = h21Э⋅ΔIБ + h22Э⋅ΔUКЭ, h11Э = ΔUБЭ /ΔIБ, [Ом] при
12. h11Э = ΔUБЭ /ΔIБ, = rвх при UКЭ = const; h12Э = ΔUБЭ /ΔUКЭ при IБ
13. Работа УК в схеме с ОЭ (главная цепь). Iб = Uбэ / h11 Iк = β*
15. Примеры использования БТ в электронных схемах Rвх = Uвх /Iвх = R1ǁ R2ǁ h11 ≈ h11
17. Особенности работы БТ в ключевом режиме
20. Скачать презентацию

Слайд 2

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Слайд 3

Слайд 4

Режимы работы БТ и полярности ИП.
1. Линейный (активный) режим: ЭП-отперт ;

КП- заперт

Слайд 5

Слайд 6

Rвх ≈ (1+ h21) Rэ - велико
Rвых = Rэ ǁ rэб

≈ rэб -мало
Ku = Uвых / Uвх = Uвх – Uбэ / Uвх˂1

Rвх = Rэ ǁ rэб ≈ rэб -мало
Rвых = R к ǁ rкб ≈ R к
Ku = α* Rк / Rвх ˃ 1

Схемы включения БТ

Слайд 7

Принцип работы БТ в схеме с ОЭ и соотношение токов
nэ ˃˃

pб

1. Iб = Iрб + Inэ рек ≈ Iрб - ток базы;
Iк = I1nэ + Iк0 , где: I1nэ –ток, перенесённый
из Э в К; Iк0 = Iрк + I nб - тепловой ток транзистора;
3. Iэ = Iк + Iб - закон Кирхгофа для транзистора;
4. Iк /Iб = β = h11 ˃˃ 1 - коэффициент усиления;
5. Iк /Iэ = α ˂ 1 - коэффициент усиления БТ с ОБ;
6. Iэ / Iб = (Iк + Iб) / Iб = 1+ β.

Слайд 8

Работа УК в схеме с ОЭ (главная цепь).
Iб = Uбэ

/ h11
Iк = β* Iб
Uкэ = Uп - Iк * Rк

Слайд 9

Основные характеристики и параметры БТ в схеме с ОЭ
1. Входные характеристики

IБ = f(UЭБ) при UКЭ = const.

2. Выходные характеристики

IК = f(UКЭ) при IБ = const.

Слайд 10

Схема замещения БТ с ОЭ в физ. параметрах
1. rб ≈ 100ни

Ом -сопротивление базовой области
2. rэ ≈ 10ки Ом –сопротивление ЭП и эмиттерной области
3. rкб ≈100ни кОм- сопротивление КП и коллекторной области
4. β *Iб - эквивалентный генератор тока;
5. rвх = rб + (1+ β)* rэ ≈1цы кОм –входное сопротивление;
6. rвых ≈ rкб ≈100ни кОм - выходное сопротивление

Слайд 11

ΔUБЭ = h11Э⋅ΔIБ + h12Э⋅ΔUКЭ;
ΔIК = h21Э⋅ΔIБ + h22Э⋅ΔUКЭ,
h11Э = ΔUБЭ

/ΔIБ, [Ом] при UКЭ = const − входное сопротивление транзистора;
h12Э = ΔUБЭ /ΔUКЭ при IБ = const − коэффициент обратной связи;
h21Э = ΔIК /ΔIБ при UКЭ = const − коэффициент усиления транзистора по току.
h22Э = ΔIК /ΔUКЭ, [1/Ом] при IБ = const − выходная проводимость транзистора.

Транзистор как активный четырёхполюсник

Эквивалентная схема замещения
БТ в h- параметрах.

Слайд 12