Темы лекции Физические основы рентгеновского микроанализа. Количественный рентгеновский микроанализ с использованием метода тр

Сентябрь 2, 2022

Главная
Алгебра
Темы лекции Физические основы рентгеновского микроанализа. Количественный рентгеновский микроанализ с использованием метода тр

Содержание

2. Лекция 25 Слайд 2 при взаимодействии электронного пучка с образцом генерируется характеристическое рентгеновское излучение (ХРИ). Это
3. Лекция 25 Слайд 3 Поскольку энергия возникающего кванта зависит только от энергии участвующих в процессе электронных
4. Лекция 25 Слайд 4 При проведении рентгеновского микроанализа в систему РЭМ вводится рентгеновский спектрометр. Спектрометры могут
5. Лекция 25 Слайд 5 Основой энергетического дисперсионного спектрометра (ЭДС) служит полупроводниковый детектор, принцип действия которого был
6. Лекция 25 Слайд 6 Линии ХРИ наблюдаются на фоне непрерывного тормозного рентгеновского излучения, которое является фоном.
7. Лекция 25 Слайд 7 Та же проблема отделений линий ХРИ от фона возникает и при использовании
8. Лекция 25 Слайд 8 Качественный анализ обычно используется для определения характера распределения элементов по поверхности образца.
9. Лекция 25 Слайд 9 Распределение элементов в образце армированного алюминия.
10. Лекция 25 Слайд 10 В основе метода эталонов лежит положение, что в нулевом приближении отношение интенсивности
11. Лекция 25 Слайд 11 Дальше вводятся поправки на различие в рассеянии и торможении электронов в образце
13. Скачать презентацию

Слайд 2

Лекция 25 Слайд 2
при взаимодействии электронного пучка с образцом генерируется характеристическое рентгеновское

излучение (ХРИ). Это обстоятельство лежит в основе метода элементного анализа, называемого рентгеновский микроанализ. Базой для рентгеновского микроанализа служит электронно-оптическая система растрового электронного микроскопа, поэтому часто эти два прибора совмещают в одном, который называется РЭММА (Растровый Электронный Микроскоп Рентгеновский Микроанализатор).
При проникновении первичных электронов в образец они тормозятся не только электрическим полем атомов, но и непосредственным столкновением с электронами атомов материала образца. В результате этого первичные электроны могут выбивать электроны с внутренних К-, L- или М-оболочек, оставляя атом в энергетически возбужденном состоянии. Образующиеся вакансии заполняются переходами электронов с более высоких энергетических уровней. Атом переходит в основное состояние, избыточная энергия выделяется в виде кванта рентгеновского излучения.

Слайд 3

Лекция 25 Слайд 3
Поскольку энергия возникающего кванта зависит только от энергии участвующих

в процессе электронных уровней, а они являются характерными для каждого элемента, возникает характеристическое рентгеновское излучение. Так как каждый атом имеет вполне определенное конечное число уровней, между которыми возможны переходы только определенного типа, характеристическое рентгеновское излучение дает дискретный линейчатый спектр.
Если определить энергии или длины волн спектра характеристического рентгеновского излучения, то можно сделать выводы об элементах, содержащихся в образце, т.е. провести качественный анализ. Это основа рентгеновского микроанализа.
Если по характеристическому спектру можно определить интенсивность линий участвующих элементов (как правило, α-линий), то на этой основе можно выполнить количественный анализ элементов.

Слайд 4

Лекция 25 Слайд 4
При проведении рентгеновского микроанализа в систему РЭМ вводится

рентгеновский спектрометр. Спектрометры могут быть различного типа. Если спектрометр определяет интенсивность излучения как функцию длины волны λ, то он относится к типу спектрометров волновой дисперсии, а когда как функцию энергии Е, то является энергетическим дисперсионным спектрометром.
В спектрометрах волновой дисперсии (СВД) возбужденное в образце рентгеновское излучение попадает на кристалл-анализатор и отражается от него под разными углами θ в зависимости от длины волны λ в соответствии с законом Брэгга-Вульфа. Отраженное излучение регистрируется пропорциональным рентгеновским счетчиком. С помощью такого спектрометра можно определить элементы с порядковыми номерами от Z = 4 (Ве) до Z = 92 (U). Для этого требуется регистрации излучений с большим интервалом длин волн и, соответственно, необходим набора кристаллов-анализаторов.

Слайд 5

Лекция 25 Слайд 5
Основой энергетического дисперсионного спектрометра (ЭДС) служит полупроводниковый детектор, принцип

действия которого был рассмотрен в прошлом семестре. Сигнал с детектора подается в многоканальный анализатор, который позволяет регистрировать и просматривать на экране монитора спектр, включающий пики от всех элементов, входящих в образец.
Большим преимуществом энергетических дисперсионных спектрометров является то, что энергия всех падающих квантов может быть обработана одновременно. В результате этого для снятия рентгеновского спектра требуется всего лишь несколько минут, в то время как при работе со спектрометрами волновой дисперсии необходимо затратить на ту же операцию один или несколько часов. Недостатком энергетических дисперсионных спектрометров является примерно на порядок меньшее энергетическое разрешение по сравнению со спектрометрами волновой дисперсии и возможность идентифицировать элементы начиная только с порядкового номера Z = 11 (Na).

Слайд 6

Лекция 25 Слайд 6
Линии ХРИ наблюдаются на фоне непрерывного тормозного рентгеновского излучения,

которое является фоном.
Спектр рентгеновского излучения от монокристалла NaAlF5Cs, снятый спектрометром энергетической дисперсии, соответственно с фоном тормозного рентгеновского излучения (верхний спектр) и после вычитания фона (нижний спектр).

Слайд 7

Лекция 25 Слайд 7
Та же проблема отделений линий ХРИ от фона возникает

и при использовании спектрометра волновой дисперсии, как это видно из рис. 25.2, на котором приведен спектр сплава редкоземельных металлов, снятый спектрометром волновой дисперсии

Слайд 8

Лекция 25 Слайд 8
Качественный анализ обычно используется для определения характера распределения элементов

по поверхности образца. Это реализуется путем получения рентгеновского растрового изображения, аналогично формированию изображения в РЭМ. В тот момент, когда сигнал, свидетельствующий о наличии того или иного элемента, поступает на ЭЛТ, на экране появляется светлая точка. Плотность точек является ориентировочной мерой концентрации исследуемого элемента. По этим данным можно приближенно судить о составе различных участков образца, в частности, о распределении элементов по границам зерен, составе вторых фаз и т.д. Следует иметь в виду, что малые количества элементов этим методом обнаружить нельзя, так как при сканировании продолжительность регистрации в каждой точке невелика, что приводит к ошибке счета.

Слайд 9

Лекция 25 Слайд 9
Распределение элементов в образце армированного алюминия.

Слайд 10

Лекция 25 Слайд 10
В основе метода эталонов лежит положение, что в

нулевом приближении отношение интенсивности ХРИ от элемента Z, генерируемого в многокомпонентном образце, к интенсивности ХРИ, генерируемого в моноэлементном образце Z, пропорционально концентрации данного элемента в многокомпонентном образце.
Пусть образец содержит элементы А, В, … По измеренным интенсивностям каждого элемента в нулевом приближении принимается, что атомные концентрации

Слайд 11

Лекция 25 Слайд 11
Дальше вводятся поправки на
различие в рассеянии и торможении

электронов в образце и эталоне за счет различий в атомном номере – фактор kZ;
различий в поглощении ХРИ (линейный коэффициент поглощения) в образце и эталоне – фактор kА;
генерирование данного ХРИ в образце за счет квантов ХРИ от других элементов фактор kF.
Это т.н. метод трех поправок или метод ZAF

Темы лекции Физические основы рентгеновского микроанализа. Количественный рентгеновский микроанализ с использованием метода тр

Содержание

Лекция 25 Слайд 2при взаимодействии электронного пучка с образцом генерируется характеристическое рентгеновское

Лекция 25 Слайд 3Поскольку энергия возникающего кванта зависит только от энергии участвующих

Лекция 25 Слайд 4При проведении рентгеновского микроанализа в систему РЭМ вводится

Лекция 25 Слайд 5Основой энергетического дисперсионного спектрометра (ЭДС) служит полупроводниковый детектор, принцип

Лекция 25 Слайд 6Линии ХРИ наблюдаются на фоне непрерывного тормозного рентгеновского излучения,

Лекция 25 Слайд 7Та же проблема отделений линий ХРИ от фона возникает

Лекция 25 Слайд 8Качественный анализ обычно используется для определения характера распределения элементов

Лекция 25 Слайд 9Распределение элементов в образце армированного алюминия.

Лекция 25 Слайд 10В основе метода эталонов лежит положение, что в

Лекция 25 Слайд 11Дальше вводятся поправки наразличие в рассеянии и торможении

Похожие презентации