Аморфные полупроводники и приборы на их основе

Содержание

Слайд 2

Определение аморфных полупроводников Аморфные полупроводники – это аморфные вещества, имеющие свойства

Определение аморфных полупроводников

Аморфные полупроводники – это аморфные вещества, имеющие свойства полупроводников.


Они не являются кристаллическими.
В аморфных телах отсутствует дальний порядок в расположении составляющих их атомов, присутствует только ближний.
Слайд 3

Аморфные и стеклообразные полупроводники делятся на халькогенидные, оксидные, органические, тетраэдрические. Некристаллические

Аморфные и стеклообразные полупроводники делятся на халькогенидные, оксидные, органические, тетраэдрические.
Некристаллические материалы,

полученные охлаждением расплава, называются стеклами.
Аморфные полупроводники, которые не могут быть изготовлены из расплава, как правило, получают в виде тонких пленок
Слайд 4

Оксидные кислородсодержащие стекла получают сплавлением оксидов металлов с переменной валентностью, таких

Оксидные кислородсодержащие стекла получают сплавлением оксидов металлов с переменной валентностью, таких

как, V2O5-P2O5-ZnO.
Халькогенидные стекла получают из полупроводникового расплава методом быстрого охлаждения, так называемой закалки.
Германий Ge, кремний Si получают в виде тонких пленок путем различных осаждений атомов
Слайд 5

Структура аморфных полупроводников Аморфные пленки Si, Ge и других полупроводниковых веществ

Структура аморфных полупроводников

Аморфные пленки Si, Ge и других полупроводниковых веществ по

своим свойствам не представляют практического интереса.
Из-за специфики процесса электропроводности в аморфных полупроводниках управлять электрическими свойствами таких материалов практически невозможно.
Введение водорода в аморфные пленки кремния позволяет изменить его электрофизические свойства.
Слайд 6

Фрагменты структур аморфного кремния с точечными дефектами (а), гидрогенизированного аморфного кремния

Фрагменты структур аморфного кремния с точечными дефектами (а), гидрогенизированного аморфного кремния (б):

1-точечные дефекты; 2, 3 – атомы кремния и водорода
Слайд 7

Механическая модель решетки аморфного кремния

Механическая модель решетки аморфного кремния

Слайд 8

Стеклообразные полупроводники Халькогенидные стекла, такие, как As2S3, As2Se3, As2Te3, являются представителями

Стеклообразные полупроводники

Халькогенидные стекла, такие, как As2S3, As2Se3, As2Te3, являются представителями этой

группы.
Электропроводность полупроводников такого типа описывается экспоненциальным законом:
Слайд 9

Зонные модели Модель Коэна – Фрицше – Овшинского Модель Дэвиса – Мотта Модель поляронов малого радиуса

Зонные модели

Модель Коэна – Фрицше – Овшинского
Модель Дэвиса – Мотта
Модель поляронов

малого радиуса
Слайд 10

Кривые плотности состояний для аморфных полупроводников: а – модель Коэна –

Кривые плотности состояний для аморфных полупроводников:
а – модель Коэна – Фрицше

– Овшинского, б – модель Дэвиса – Мотта с зоной компенсированных уровней вблизи середины щели, в – модифицированная модель Дэвиса – Мотта, г - «реальное» стекло с дефектными состояниями
Слайд 11

Практическое применение аморфных полупроводников и приборы на их основе Ксерография –

Практическое применение аморфных полупроводников и приборы на их основе

Ксерография – это

процесс, где применяются фотопроводящие свойства селенового стекла.
Слайд 12

Производство солнечных батарей – устройств, которые превращают солнечную энергию в электроэнергию.

Производство солнечных батарей – устройств, которые превращают солнечную энергию в электроэнергию.

Слайд 13

Изготовление переключающих и запоминающих устройств – эти устройства находят применение при

Изготовление переключающих и запоминающих устройств – эти устройства находят применение при

производстве электронных вычислительных машин.

Вольт-амперные характеристики с переключением

Слайд 14

Гидрогенизированный аморфный кремний находит применение для изготовления тонкопленочных МДП-транзисторов. Устройство МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа

Гидрогенизированный аморфный кремний находит применение для изготовления тонкопленочных МДП-транзисторов.

Устройство МДП-транзистора со

встроенным каналом n-типа