Эпитаксия

(011) о.ц.к. кристалла

Наложим сетку атомов, соответствующую
грани (111) г.ц.к. кристалла

Если направление [211] гцк кристалла
вдоль направления [110] оцк и
решетку гцк слегка сжать вдоль оси y и
растянуть вдоль оси x.

При af /as = 1.0887 (af и as – постоянные
решетки пленки и подложки) поворотом
верхнего слоя на 5.26о.

Решетки можно согласовать

ϑ=00 и 5,260.

Е ± не зависит от af/as при всех углах
рассогласования, кроме ϑ=00 и 5,260.

Ориентационное соотношение
Курдюмова-Сакса

Не всегда af/as соответствует
оптимальным значениям

Имеется
рассогласование

Параметр f = (af –aS )/aS.

Деформация пленки, что позволяет
согласовать контактирующие слои.

Можно рассчитать энергию взаимодействия пленки с подложкой,
воспользовавшись потенциалом 6-12 Леннарда-Джонса,

ϑ=00

ϑ=5,260

Ориентационное соотношение
Нишиямы-Вассермана

При f≠0 также возможен
эпитаксиальный рост

При большом f возможно появление дефектов –
солитонов, дислокаций несоответствия