Зародыши и их образование

Содержание

Слайд 2

ΔGs положительна, зависит от площади поверхности ΔGs положительна, зависит от площади

ΔGs положительна,
зависит от площади
поверхности

ΔGs положительна,
зависит от площади
поверхности

ΔGb

отрицательна, зависит от объема

Присоединение атомов приводит
к возрастанию энергии системы

Кристаллиты с r>rC называют зародышами

Присоединение следующих атомов
приводит к выигрышу энергии.

Пропорциональна r 3

Пропорциональна r2 (r - радиус
кристаллита).

ΔG должна иметь максимум при некотором r=rc

r

r>rc

Такие кластеры устойчивы.
Имеется тенденция к увеличению размеров.

s=p/pнасыщ – степень пересыщения

Слайд 3

Процесс роста пленок Процесс роста пленок Конденсация адсорбирующихся частиц на подложке

Процесс роста пленок

Процесс роста пленок

Конденсация адсорбирующихся частиц на подложке


Имеющие докритические размеры растворяются, другие,
напротив, разрастаются за счет присоединения атомов

Форма и размеры зависят от величины поверхностной энергии, от условий нанесения пленок

Диффузия по поверхности, встреча с коллегами

Образование зародышей, хаотически
распределенных по поверхности

Первый этап

Второй этап

Атомная структура подложки

Температура подложки

Адсорбция остаточных газов

Интенсивность потока частиц

Энергия поступающих частиц и т.п.

Характер взаимодействия подложки с адсорбатом

Слайд 4

Начальная стадия роста пленки серебра на Pt(111) - зародышеобразование Начальная стадия

Начальная стадия роста пленки серебра
на Pt(111) - зародышеобразование

Начальная стадия роста

пленки серебра
на Pt(111) - зародышеобразование

Одиночные атомы (мономеры),
димеры и небольшое количество
кластеров больших размеров.

Не изменяется средний размер
зародышей (п=2,6),
но возрастает их число.

Режим зародышеообразования
Димеры стабильны

θ = 0,0024 ML

θ = 0,006 ML

θ = 0,03 ML

Увеличение не только числа,
но и размеров островков

Переход от зародышеобразования к росту

Слайд 5

Подвижность достаточна, вероятность присоединения к островку больше вероятности встречи с другим

Подвижность достаточна,
вероятность присоединения
к островку больше вероятности
встречи с другим

одиночным атомом

Подвижность достаточна,
вероятность присоединения
к островку больше вероятности
встречи с другим одиночным атомом

Возникает разветвленная конфигурация
из 12 атомов, напоминающая букву ”Y”

Увеличение Т подложки приводит
к росту подвижности атомов, что,
в свою очередь, сказывается на
плотность островков в насыщении

Плотность островков
достигает насыщения.

θ = 0,12 ML

θ = 0,06 ML

Режим чистого роста

Слайд 6

i – количество атомов у критического зародыша Ei - их энергия

i – количество атомов
у критического зародыша
Ei - их энергия связи

i

– количество атомов
у критического зародыша
Ei - их энергия связи

F – поток,
D – коэффициент
диффузии

Концентрация островков из х атомов

Слайд 7

Слайд 8

Влияние адсорбции на рост Pt/Pt(111) Влияние адсорбции на рост Pt/Pt(111)

Влияние адсорбции на рост Pt/Pt(111)

Влияние адсорбции на рост Pt/Pt(111)

Слайд 9

Слайд 10

Слайд 11

Разрастание островков, уменьшение просветов Слияние в более крупные Разрастание островков, уменьшение

Разрастание островков, уменьшение просветов
Слияние в более крупные

Разрастание островков, уменьшение просветов


Слияние в более крупные

Кристаллографическая ориентация
сливающихся кристалликов
может быть различной

Далее - единая сетка

Может иметься множество
пустот и каналов

На последней стадии пустоты заполняются, образуется сплошная пленка

Свойства пленок - размер и форма кристаллитов, их взаимная
кристаллографическая ориентация, их физико-химические свойства - зависят от
большого числа факторов.

В дальнейшем

Коалисценция

Образуются поликристаллы

Слайд 12

Слайд 13

Температура подложки Температура подложки Увеличивается подвижность частиц по поверхности, облегчается диссоциация

Температура подложки

Температура подложки

Увеличивается подвижность частиц по
поверхности, облегчается диссоциация


докритических зародышей

Скорость осаждения частиц

При высоких интенсивностях потока
увеличивается вероятность встречи
атомов друг с другом, что ускоряет
образование кластеров закритических
размеров

Уменьшение среднего размера зерен пленки

Важен угол напыления конденсата

Величина зерна зависит от многих факторов

Чем выше Тs ( в разумных пределах), тем
крупнее кристаллиты