Содержание
- 2. ВОПРОСЫ: 1. Гибридные интегральные микросхемы. 2. Полупроводниковые интегральных микросхемы. 3. Параметры интегральных микросхем. 4. Классификация интегральных
- 3. 1. ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Развитие электроники определяется постоянным совершенствованием характеристик элементной базы и аппаратуры по следующим
- 4. Интегральной называют микросхему с определенным функциональным назначением, изготовляемую не сборкой и распайкой отдельных активных и пассивных
- 5. К пассивным элементам электронных схем относят резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, трансформаторы, к активным — диоды, транзисторы,
- 6. Технология гибридных интегральных микросхем базируется на использовании толстых и тонких пленок, нанесенных на керамическое основание. Пленки
- 7. Пассивные элементы формируются в пленке, а активные в виде миниатюрных бескорпусных полупроводниковых приборов размещаются над пленкой
- 8. Навесные элементы располагают на подложке или над подложкой. Иногда их помещают в углублениях подложки или в
- 9. Контакты навесных элементов изготовляют в виде тонких проволок, балок или шариков. Для проволочных контактов (рис)применяют золотую
- 10. Наибольшие технологические сложности возникают при изготовлении индуктивных катушек и трансформаторов. Поэтому микросхемы стремятся проектировать так, чтобы
- 11. Собранную гибридную микросхему заключают в металлический или пластмассовый корпус, изолирующий ее от внешних воздействий (влаги, пыли
- 12. 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМЫ. Полупроводниковые интегральные микросхемы изготовляют на одном кристалле введением легирующих примесей в определенные
- 13. Однако у микросхем на основе МДП-транзисторов есть существенный недостаток — сравнительно высокая инерционность. Поэтому там, где
- 14. Основой полупроводниковых интегральных микросхем чаще всего служит кремний. На одной пластинке кремния диаметром 75 мм и
- 15. Существенным является и то, что при нагревании пластины кремния в кислородной среде на ее поверхности образуется
- 16. Групповая обработка обеспечивает высокую стандартизацию и экономичность производства. Возможность серийного производства ИМС была подготовлена созданием и
- 17. 3. ПАРАМЕТРЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ИМС работают при весьма малых токах (десятые доли микроампера), и перегрузка их
- 21. 4. КЛАССИФИКАЦИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПО ФУНКЦИОНАЛЬНОМУ НАЗНАЧЕНИЮ И СИСТЕМА ИХ ОБОЗНАЧЕНИЙ.
- 22. 5. МАРКИРОВКА МИКРОСХЕМ. Согласно с принятой системой обозначений, маркировка ИМС состоит из нескольких элементов, от четырех
- 24. 2 элемент: цифрами 1, 5, 7 обозначаются полупроводниковые ИМС, цифрами 2, 4, 6, 8 — гибридные.
- 25. ДОМАШНЯЯ РАБОТА Опишите толстопленочные и тонкопленочные микросхемы, а также процесс фотолитографии. Общая электротехника с основами электроники.
- 26. В маркировке ИМС после буквы К стоит четная цифра. Укажите разновидность микросхемы? В маркировке ИМС после
- 28. Скачать презентацию