Содержание
- 2. Нужная энергия E0 приобретается ионом под действием разности потенциалов U: где n - кратность ионизации, n
- 3. Преимущественное использование ионного легирования перед диффузионным позволяет обеспечить: строгое задание количества примеси, определяемого током ионов во
- 4. Во многих случаях для получения необходимого профиля распределения легирующей примеси в подложке применяют метод, основанный на
- 5. Распределение пробегов имеет исключительно важное значение с точки зрения применения ионного внедрения для проектирования и изготовления
- 6. Теоретический расчет распределения пробегов в мишени того или иного типа является столь сложной задачей, что ни
- 7. Для расчета зависимости пробега от энергии частицы в случае ионного внедрения рассматриваются два основных вида потерь
- 8. где E - энергия частицы в точке x, расположенной на ее пути; Sn(E) - ядерная тормозная
- 14. Эффект каналирования: а - расположение атомов в кремнии в плоскости, перпендикулярной направлению [110]; б - движение
- 16. Распределение примеси при каналировании: I - основное распределение; II - деканалированные ионы; III - каналированные ионы
- 18. Дефекты структуры в полупроводниках при ионном легировании Процесс ионного легирования в отличие от процесса термической диффузии
- 21. Распределение внедренных ионов бора N (сплошные кривые) и дефектов Nd (штриховые кривые) в кремнии. (Энергии ионов
- 24. При столкновениях с атомами мишени ион отклоняется на углы, зависящие от прицельного расстояния и масс сталкивающихся
- 26. Распределение фосфора (а) и бора (б) в кремнии при имплантации с различными энергиями максимум концентрации внедренной
- 27. Распределение примеси в интегральных структурах Распределение примеси в двухслойной мишени В планарной технологии внедрение ионов проводится
- 30. Скачать презентацию