Квантовые рэтчеты (выпрямители). Новый сверхпроводящий двухконтурный интерферометр

к, 100 к

0.2 Ом

Многоуровневая шумовая фильтрация всех проводов в криостате.
По четырем каналам измеряются ток, напряжение, магнитное поле, температура – что позволяет проводить измерение следующих зависимостей – R(T), R(B), V(B), V(I), IC(B), IC(T)…. итд

at equilibrium (T1=T2)
Directed motion is possible when T1>T2
Contrary to classical ratchet, in quantum system like superconducting ring there is already directed motion at equilibrium – persistent current
Unsolved problem yet – either it is possible or not to produce useful work from persistent current

IP/sw)
Ic,an=Iс+ - Iс- = IP (sw/sn - sn/sw)

Все периодические явления в сверхпроводящих кольцах –результат боровского квантования

Спектр разрешенных скоростей квантован

and

В результате устойчивый ток равен

Измеряемые эффекты:
Литтл-Паркс RLP ~
Выпрямление ~
IC+, IC- ~ jC- kv
IC,an ~ v

and 0.2 μm, соответственно.
Диаметр одиночного и большого колец 4 μm, диаметр малого кольца 3.36 μm

f=5 кГц

B

ADC card

Питание катушки (f=0.1-1 Гц)

Напряжение на структуре

WL

Связанная пара колец (DRs)

Связанная DRs структура со слабым местом

Одно кольцоe (SR)

РаздельнаяDRs структ.

40-60 nm, термически напылен-ной на окисленную кремниевую подложку с ширинами полукольца 200 and 250, 300,350, and 400 nm для узкой и широкой частей соответственно.
Диаметр одиночных колец (SR) и больших колец в паре (DRs). Отношение площадей большого ималого колец 1.42. Структуры были сформированы электронно-лучевой литографией с использованием «lift-off» процесса.
Электросопротивление используемых пленок состовляло 0.2-0.5 Ω/□ при 4.2 K, отношение сопротивлений R(300 K)/R(4.2 K)=2.5-3.5, температура сверхпроводящего перехода ~1.24-1.35 K.
Оценка длины когерентности ξ(T=0 K) составляет 170 nm, глубины проникновения (T=0 K) 80 nm.

0)
ВАХ асимметричны: IC+ ≠ IC-
Выпрямленное напряжение ≠ 0

Ф = nФ0, n=0,±1… (IP=0)
ВАХ симметричны: IC+ = IC-
Выпрямленное напряжение = 0

IC+

IC-

VR(B)

магнитного поля с периодом, отвечающим кванту потока Φ0=h/2e
«нули» выпрямленного напряже-ния в Φ=nΦ0 и Φ=Φ0 (n+1/2)
Максимумы и минимумы наблюдаются при Φ≈Φ0 (n±1/4), (n=0,±1,…).
Амплитуда выпрямленного напряжения немонотонно зависит от амплитуды переменного тока, протекающего через структуру.

выпрямленного напряжения имеет резкий максимум в зависимости от амплитуды тока накачки.
Максимум наблюдается при амплитуде тока немного выше критического тока структуры IC и демонстрирует подобную температурную зависимость (IMax≈IC (T)).

выпрямления = RMax/RN ≈26% при низкой температуре, где RMax=VMax/IMax и RN – сопротивление в нормальном состоянии.
Эффективность выпрямления уменьшается при прибли-жении к TC

и малого колец.
Разнесенная DRs структура выпрямляет как два практически независимых кольца.

периодом, отве-чающим разности пло-щадей колец (SL - SS).

колец приводит к подавлению разностной гармоники и появлению осцилляций, отвечающих суммарной площади колец.

магнитного поля для SR, DRs и 20-Rs структур

Для асимметричных SR, 20-R и даже DRs структур с кольцами разного диаметра выпрямленное напряжение пропорционально разнице критичес-ких токов противоположных направлений (анизотропии), которые ~ , а не v.

SR

DR

20-Rs

кольцо

Кольцо с вырезом

0.5 μm

отвечающим кванту потока Φ0=h/2e.
Амплитуда выпрямленного напряжения одиночного кольца демонстрирует пико подобное поведение в зависимости от тока. Пик расположен вблизи амплитуды переменного тока, равной критическому току.
Эффективность выпрямления одиночного кольца состовляет 26 % при низкой температуре и уменьшается при приближении к TC.
Выпрямление переменного тока парой разнесенных колец демонстрирует независимый, адитивный характер.
Фурье- спектр осцилляций выпрямленного парой связанных колец напряжения показывает компоненты, связанные с большим и малым кольцами (как в предыдущем пункте), и также компоненту соответствующую разности площадей большого и малого колец.
Для связанной пары колец со слабым местом в месте соприкосновения осцилляции, соответствующие разности площадей, подавлены, в то же время появляются осцилляции, соответствующие сумме площадей колец.
Осцилляции выпрямленного напряжения пропорциональны анизотропии критического тока (IC+-IC-)(Φ/Φ0), которая возникает в результате сдвига фазы, равной по потоку Φ0/2, для токов противоположного направления.
Фазовый сдвиг (ΔΦ= Φ0/2) не зависит от температуры (0.94-0.99Tc), тока (3-50 μA) и степени асимметрии колец.
Осцилляции Литтла-Паркса для симметричного и асимметричного колец подобны. Минимум наблюдается при nΦ0 и максимумы при (n+1/2)Φ0.
Измерения критического тока асимметричных колец противоречат наблюдающемуся на этих же образцах эффекту Литтла-Паркса.

low intrinsic noise level
Operation from DC up to 10 GHz
Structures were fabricated by e-beam lithography using NanoMaker

WL

2 μm diameter 110 ring structure
Arm width 200 and 400 nm

1 μm diameter
667 ring
Structure
Arm width 100 and 150 nm

rectification efficiency and rectified voltage (IB=0) in near TC region for 110 ring structure

Rectification efficiency was measured in fluctuation region of resistive transition. It was non zero at T>TC. Thus, the structure was calibrated as noise detector
Temperature dependence of rectified voltage at IB=0 (noise) consists of two peaks of unknown origin at 0.15 Rn and 0.5 Rn
For 0.5 Rn peak, rectification efficiency is 0.3%, which corresponds to 0.003Rn=3 Ω rectification resistance. 1/2 ≈ 0.3 μV/3 Ω=100 nA. Noise power for one ring WN=(Rn /110) ≈8.7×10-14 W. This equivalent to the Nyquist noise at T=1.36 K - WNQ=kBTΔf with Δf=5×109 Hz, which is 6 times lower than the quantum limit kBT/h=3×1010 Hz

Rectified voltage measured at IB=0 and small DC bias – rectification of noise

for 667- ring structure (1 µm)

Little-Parks effect was measured at IB=1 nA << IP≈200 nA, which means that in one of the ring arms, IP direction is against the externally applied voltage
Structure is homogeneous, ΔTC=0.008 K
Opposite direction critical current oscillations are symmetric (IC+(B)=- IC-(B)) except for narrow regions near (n+1/2)Ф0 resulting in formation of sharp peaks of opposite sign rectified voltage near (n+1/2)Ф0, which are the points of magnetic field with maximum rectification efficiency.

Modulation amplitude riches 70% which confirms increase of the persistent current amplitude
Due to better filtering of measurement leads in helium cryostat, rectified voltage was not observed at IB=0 (was lower than 30 nV).
To detect RV at IB=0 larger number of rings is required

0-200 kHz) of INoise,A=10 nA

From calibration curves, we can estimate that nonequilibrium noise power in our system is lower than 2×10-15 W, i.e. lower than 0.4% of equilibrium noise

Typical rectified voltage and rectification efficiency for 667- ring structure

ring structure (without JJ)
Asymmetric double ring structure

Исследование возможности самодетектирования квантовых состояний в сверхпроводящих кольцах

The simplest ring structure without JJs as a self-detector of quantum states

Outline

Fabrication defect

asymmetric ring (?)

Calculation of critical current for symmetric and asymmetric rings. All rings are 4 µm in diameter
Maxima are at Ф=nФ0
Minima are at Ф=(n+1/2)Ф0
Symmetric rings without current jumps at Ф=(n+1/2)Ф0
Asymmetric rings with current jumps at Ф=(n+1/2)Ф0

S – W = 0.4 μm

A – WW = 0.4 μm, WN = 0.2 μm

A – WW = 0.35 μm, WN = 0.2 μm

A – WW = 0.3 μm, WN = 0.2 μm

A – WW = 0.25 μm, WN = 0.2 μm

S – W = 0.2 μm

to symmetric SRs

Symmetric ring
∆Φ=(0.02-0.07)Φ0

Asymmetric ring WW/WN=2
∆Φ=Φ0/2

Flux shift (∆Φ) is slightly temperature dependent (0.94-0.99Tc) and current (3-50 μA), showing that currents flowing through the ring and additional magnetic flux induced by currents are not responsible for this shift

In symmetric rings, ∆Φ=(0.02-0.07)Φo, which could be explained by non ideal form and inhomogeneous thickness of the rings

Φ0/4

Φ0/4

has been expected instead of argument changes.
There is nothing in the Bohr‘s quantization rule that can explain flux shift.
Little-Parks and rectified voltage measurements demonstrate existence of two degenerate states at (n+1/2)Φ0, whereas critical current measurements do not.
Measurements of critical current are in contradiction with Little-Parks and rectified voltage measurements.

Flux shift dependence on asymmetry degree at T≈0.95TC

– 1.3

Т= 0.9Тс

0.933Тс

0.955Тс

Тс = 1.52 К

Зависимость критического тока от магнитного поля при разных температурах
Неопределенность квантового числа n составляет около Ф0/2, что не соответствует теории
Самодетектирование квантовых состояний в кольцах - невозможно

using NanoMaker
Fabrication defect resulted in drastic difference of IC(B) compared to symmetric structure

WL

Symmetric double ring structure

Asymmetric double ring structure

4.6 μm

fabrication defect

4.2 μm

current behavior corresponds to that of symmetric type structure
All details of critical current are in agreement with theory
The only fitting parameter was the area of the rings

L

S

Int

that of asymmetric type structure
Current jumps are observed
Multiple current states are revealed
The width of current jump ~0.016 Oe= 0.016Ф0
Double and triple current states are detected

0.016 Oe

ΔB

structure critical current is not possible
Critical current of asymmetric structure was “symmetrized”
Minimum energy states correspond to Ncon=0
Next energy level corresponds to Ncon=±1

was fabricated by e-beam lithography to form suspended resist mask and two angle shadow evaporation of aluminum (30 nm and 35 nm) with intermediate first aluminum layer oxidation
Square side – 4 and 20 μm, width – 0.3 μm
R(4.2 K)=6 kΩ

4 & 20 μm

The DDCI structure consists of two independent superconducting square contours connected by two Josephson junctions

JJ

JJ

Optical image of DDCI

Suspended Resist Mask

πn1 a half of 1-2-3-4-1 contour
φ678 = πn2 a half of 5-6-7-8-5 contour
For a contour 1-2-9-6-7-8-10-4-1
φ412+Δφ9+φ678+Δφ10=2πn3 or
πn1 +Δφ9+ πn2 +Δφ10=2πn3
Where n1, n2, n3 are integers and
Δφ9, Δφ10 phase difference on 9 and 10 JJs
We neglect phase difference on small segments 2-9, 9-6, 8-10, 10-4

Critical current of structure is determined by areas of JJs S9 and S10 since
(S1, S7) > (S9+S10)

and
substituting Δφ10 one can get
I=Ic9sinΔφ9+Ic10sin(-2πn3 +π(n1+n2)+Δφ9)
Due to periodicity of sin(x), 2πn3 could be omitted. Finally
I=Ic9sinΔφ9 +Ic10sin(Δφ9+ π(n1+n2)) (1)
Ic9 +Ic10 , when (n1+n2) is even
IC= Imax =
Ic9 -Ic10 , when (n1+n2) is odd

I

In (1), current depends only on parity of quantum number sum and does not depend on contour areas and magnetic field ! ! - Ideal detector of quantum states
In case of Ic9 =Ic10=I0, there will be critical current jumps from zero to 2I0 and back to zero for sequential changes of n1 and n2

поле (T=1.1 K)

Период осцилляций равен 0.052 Oe, что соответствует 20 µm контуру
Наблюдается амплитудная модуляция с периодом ~0.8 Oe, что объясняется пространственным сдвигом контуров из-за двухуглового напыления
Отклик по напряжению следует температурной зависимости сверхпроводящей щели, достигая 200 µV при 0.6 K
Чувствительность в области скачков напряжения ~ 200 µV/Ф0 (T=1.1 К)

changes by 1

magnetic field in near Tc resistive transition region

In case of Ic9 =Ic10=I0, any bias current IB<For typical IB=1 nA and RN=13 kΩ, there will be voltage jumps of 2 μV
At IB=3.6 nA, periodic (Ф0 ) voltage jumps with amplitude ~ 2 μV are observed. There is also hysteretic behavior with changing direction of B

At IB=24 nA, instead of meander type saw-toothed voltage is detected

«Идеальный» ДДКИ (без сдвига) можно изготовить из трехслойных Nb-AlOX-Nb структур
Чувтвительность любого детектора магнитного поля зависит от dV/dФ. Максимальная чувствительность сквмда ~ 10 μV/Ф0, Чувствительность улучшенных структур (Superconducting Quantum Interference Proximity Transistor) ~ 60 μV/Ф0. В случае ДДКИ, dV/dФ ~200 μV/Ф0. ДДКИ может использоваться для разработки детекторов магнитного поля с высокой чувствительности.

Выводы

Достоинства ДДКИ заключаются в том, что при изменении квантового числа на единицу, интерферометр дает максимально возможный отклик для сверхпроводящего устройства – скачки напряжения, равные величине сверхпроводящей щели. Ввиду, независимости скачков напряжения от площади контуров предлагается также использовать этот интерферометр как прецизионный измеритель магнитного поля с уникальной чувствительностью. Показано, что двухконтурные сверхпроводящие интерферометры с большой площадью могут быть использованы в качестве цифровых магнетометров.