Содержание
- 2. Методы задания начального режима работы транзистора Схема с фиксированным током базы Начальный ток базы задает резистор
- 3. Усилитель на биполярном транзисторе с общим эмиттером UBXm ? IБm ? IКm ? IКmRК ? (UКЭm
- 4. Начальное положение рабочей точки обеспечивается делителем напряжения, состоящим из резисторов R1 и R2, значения сопротивлений которых
- 5. Классы усиления транзисторных усилительных каскадов Режим А - это режим работы транзистора, при котором ток в
- 6. Классы усиления транзисторных усилительных каскадов Режим АВ. Чтобы исключить переходные искажения выходного сигнала, применяют режим класса
- 8. Скачать презентацию
Методы задания начального режима работы транзистора
Схема с фиксированным током базы
Начальный ток
Методы задания начального режима работы транзистора
Схема с фиксированным током базы
Начальный ток
В соответствии со вторым законом Кирхгофа IКRК + UКЭ - Eпит = 0
Отсюда находим ток коллектора IК= Eпит / RК - UКЭ / RК
что соответствует линейной зависимости вида у = ах+b. Это уравнение нагрузочной характеристики.
В соответствии со вторым законом Кирхгофа IБRБ + UБЭ - Eпит = 0
Отсюда находим ток базы IБ= Eпит / RБ- UБЭ/ RБ
Так как обычно Eпит >> UБЭ, опустим UБЭ, тогда IБ ≈ Eпит / RБ.
Таким образом, в рассматриваемой схеме ток базы задается величинами Eпит и RБ (ток фиксирован). При этом IК≈ βIБ.
При заданном токе покоя IБ точка покоя ТП займет то положение, которое указано на рис. Самое нижнее возможное положение ТП точка В (режим отсечки, IБ ≈ 0), а самое верхнее положение - точка А (режим насыщения, IБ≥ IБ5).
Схему с фиксированным током базы используют редко: при изменении β (при смене транзистора или изменении температуры) будет изменяться ток коллектора и положение рабочей точки.
Схема с коллекторной стабилизацией
Пусть, (например, при изменении t°) ток IК начал увеличиваться. Это увеличит падение напряжения URК и уменьшит напряжение UКЭ и ток IБ (IБ≈UКЭ/RБ), ? подзапирание транзистора и будет препятствие увеличению тока IК, т.е. будет осуществляться стабилизация тока коллектора.
Лучшая стабильность начального режима.
Отрицательная обратная связь по напряжению
Схема с эмиттерной стабилизацией
Резистор RЭ фиксирует ток IЭ и, соответственно, ток коллектора (IК≈IЭ).
IЭ = URЭ / RЭ = const.
Сопротивления R1 и R2 выбирают, чтобы величина тока IБ практически не влияла на величину напряжения UR2.
UR2=EКR2/(R1 + R2).
В соответствии с 2 законом Кирхгофа URЭ= UR2 - UБЭ.
При воздействии дестабилизирующих факторов величина UБЭ изменяется мало, ? мало изменяется и величина URЭ. На практике обычно напряжение URЭ составляет небольшую долю напряжения Eпит..
обратная связь по току
Усилитель на биполярном транзисторе с общим эмиттером
UBXm ? IБm ? IКm
Усилитель на биполярном транзисторе с общим эмиттером
UBXm ? IБm ? IКm
Временные диаграммы работы транзисторного каскада при правильном выборе точки покоя и величины входного сигнала.
Временные диаграммы работы транзисторного каскада при неправильных режимах:
а - при недостаточном токе смещении;
б - при избыточном токе смещения;
в - при чрезмерном входном сигнале
При работе транзистора в активном (усилительном) режиме рабочая точка должна находиться примерно посредине отрезка АВ нагрузочной прямой. Предельные изменения входного тока базы должны быть такими, чтобы рабочая точка не выходила за пределы отрезка АВ.
Начальное положение рабочей точки обеспечивается делителем напряжения, состоящим из резисторов R1
Начальное положение рабочей точки обеспечивается делителем напряжения, состоящим из резисторов R1
R1 = (Eп - UБЭ0 - URЭ) / (IД + IБ0);
R2 = (UБЭ0 + URЭ) / IД;
где IД = (2...5)IБ0 - ток в цепи делителя.
При обеспечении режима работы транзистора необходимо осуществить температурную стабилизацию положения рабочей точки (уменьшить влияние температуры на начальное положение рабочей точки). С этой целью в эмиттерную цепь введен резистор RЭ, на котором создается напряжение ООС по постоянному току URЭ.
ООС в данной схеме действует следующим образом: при изменении, например, температуры транзистора увеличивается ток коллектора. Это вызывает соответствующее увеличение тока эмиттера и падения напряжения на нем. Следовательно, напряжение UБЭ, которое является управляющим для транзистора, уменьшается, транзистор подзапирается, ток коллектора уменьшается и возвращается в заданный режим.
Введение ООС уменьшает коэффициент усиления схемы. Для того, чтобы обратная связь действовала только по постоянному току и для устранения ООС по переменному току резистор RЭ шунтируют конденсатором CЭ, сопротивление которого на частоте усиливаемого сигнала должно быть незначительным.
При анализе схемы можно считать, что ООС по переменному току отсутствует. В таком случае коэффициент усиления каскада по току
KI = βRК/( RК + RН).
Это означает, что усиление транзисторного каскада по току определяется коэффициентом усиления транзистора по току β, сопротивлениями коллектора и нагрузки.
АЧХ и ФЧХ усилителя аналогичны типовым характеристикам усилителей низкой частоты. Спад АЧХ в области низких частот обусловлен уменьшением коэффициента усиления усилителя за счет увеличения реактивного сопротивления емкостей СР1, СР2, CЭ. Спад АЧХ в области высоких частот обусловлен ограниченными частотными свойствами транзистора, в частности, наличием паразитных емкостей.
Усилитель на биполярном транзисторе с общим эмиттером
Классы усиления транзисторных усилительных каскадов
Режим А - это режим работы транзистора,
Классы усиления транзисторных усилительных каскадов
Режим А - это режим работы транзистора,
Преимуществом являются малые нелинейные искажения.
КПД каскада η= Р_ / P0 (Р_- выходная мощность, P0 - полная мощность, потребляемая каскадом) низкий - менее 0,5. Режим А используют в каскадах предварительного усиления, а также в маломощных выходных каскадах.
Режим В - режим работы транзистора, при котором ток через него протекает в течение половины периода входного сигнала. Из-за нелинейности начального участка входной характеристика транзистора выходной сигнал имеет значительные нелинейные искажения.
Режим В обычно используют в двухтактных каскадах (рис.), имеющих высокий КПД.
Искажения, присущие классу В для двухтактного каскада, называются переходными искажениями (ступенька) (рис. а).
а - входной сигнал усилителя;
б - режим А;
в - режим В и АВ;
г - режим С
а) - класс В; б) - класс АВ
Классы усиления транзисторных усилительных каскадов
Режим АВ. Чтобы исключить переходные искажения выходного
Классы усиления транзисторных усилительных каскадов
Режим АВ. Чтобы исключить переходные искажения выходного
Режим С. Если подается напряжение смещения, запирающее транзистор, то такой режим называется режимом класса С. Усиливаются фактически только «макушки» входной синусоиды. Нелинейные искажения выше, а КПД больше, чем в режиме класса В. Режим класса С применяется в основном в схемах резонансных усилителей, где нелинейные искажения, возникающие в результате отсечки тока, устраняются резонансным нагрузочным контуром, настроенным на частоту входного сигнала.
Режим D. В режиме D транзистор работает как электронный ключ, т.е. он открыт или заперт. В закрытом состоянии через транзистор протекает незначительный ток, а падение напряжения на нем примерно равно напряжению источника питания. В открытом состоянии падение напряжения на транзисторе мало, а ток велик. Поэтому и в закрытом, и в открытом состоянии потери на транзисторе малы, и КПД каскада в режиме класса D приближается к 100%.
Каскад, транзистор которого работает в ключевом режиме, гармонические сигналы усиливать не может. Их необходимо преобразовывать (модулировать) в прямоугольные импульсы постоянной амплитуды, но с длительностями, пропорциональными мгновенному значению напряжения сигнала. При этом частота следования импульсов должна быть постоянной и значительно превышать максимальную частоту входного сигнала.. После усиления импульсов, промодулированных по ширине, осуществляется их обратное преобразование (демодуляция) в сигнал первоначальной формы.
В усилителях класса D используются два режима: AD (рис. а) и BD (рис.б). Если для осуществления режима AD применяются сравнительно простые электрические схемы, как и для режима А, то режим BD реализуется с помощью сложных двухтактных схем с двойным управлением транзисторами.
Режим Е, как и режим D, позволяет получать высокий КПД (более 90%) в оконечном каскаде усилителя мощности при изменении уровня усиливаемого сигнала в широких пределах. Точка покоя транзистора не зафиксирована, а изменяет свое положение в зависимости от уровня входного сигнала. Это достигается за счет регулируемого источника питания, который изменяет свое напряжение в соответствии с входным сигналом. Транзистор меняет свое положение на ВАХ таким образом, что падение напряжения на транзисторе получается минимальным для активного режима, что обеспечивает значительное уменьшение рассеиваемой мощности на транзисторе.