Содержание
- 2. ТЕХНИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА НАНОТЕХНОЛОГИЙ Диагностика и методы исследования нанообъектов и наносистем
- 3. Электронная микроскопия Часть 1. Просвечивающая Электронная микроскопия
- 4. Электронная микроскопия – совокупность методов исследования с помощью электронных микроскопов микроструктуры тел (вплоть до атомно-молекулярного уровня),
- 5. По принципу действия и способу исследования объектов различают несколько типов: просвечивающие, отражательные, эмиссионные, растровые, теневые электронные
- 6. По разрешающей способности электронные микроскопы разделяют на три класса:
- 7. Основные виды электронной микроскопия: Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) Растровая электронная микроскопия (РЭМ) Электронно-зондовый микроанализ
- 8. Идея первого электронного микроскопа с магнитными линзами была высказана, а затем и осуществлена Эрнстом Руска и
- 9. История: 1926 – 1-я магнитная линза. (Busch H.) 1927 – открытие дифракции электронов. (Davidson C.J., Germer
- 10. Руска и Кнолл с изобретенным ими микроскопом
- 11. Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) предполагает изучение тонких образов с помощью пучка электронов, проходящих сквозь них и
- 12. На относительно малых увеличениях контраст на ПЭМ возникает из-за поглощения электронов материалом исследуемого образца. На высоких
- 13. Современные ПЭМ позволяют работать в следующих основных режимах: Светлое поле (контраст формируется за счет поглощения электронов
- 14. Особенностью электронной микроскопии является возможность прямого наблюдения структуры материалов. Важным так же является возможность поредения «in-situ»
- 15. На рис. схематично представлен механизм взаимодействия электронного пучка с материалом образца, а также вторичное излучение и
- 16. На рис. представлена схема детектирования аналитической информации различными анализаторами. Такие аналитические приставки, как рентгеновский энергодиспер-сионный спектрометр,
- 17. ПРОСВЕЧИВАЮЩИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП Электроны ускоряются, а затем фокусируются магнитными линзами. Увеличенное изображение, создаваемое электронами, которые проходят
- 18. Электронная пушка 1-3 и электромагнитная конденсорная линза 4 (обычно их две) вместе с конденсорной диафрагмой формируют
- 19. Изображение из плоскости СД промежуточной линзой 5 (слабая) переносится в плоскость полевой диафрагмы 11 с небольшим
- 20. Наличие промежуточной линзы позволяет также легко получать на экране увеличенное изображение дифракционной картины. Если уменьшить ток
- 21. Изображение. Контраст в ПЭМ обусловлен рассеянием электронов при прохождении электронного пучка через образец. Если образец достаточно
- 22. Схема образования контраста изображения некристаллического объекта: 1 – объект разной толщины; 2 – апертурная диафрагма.
- 23. Контраст, то есть различие в яркости различных участков изображения, создается в ПЭМ по разным причинам в
- 24. При амплитудном контрасте интенсивность дифрагированного пучка от участка образца Iд определяется тем, как кристаллические плоскости (hkl)
- 25. Светлопольное изображение формируется прямым пучком, а темнопольное – дифрагированным, рис. Рисунок – Схема формирования светлопольного (а)
- 26. Поэтому те участки образца (зерна, субзерна), которые ближе к отражающему положению (брегговскому положению для определенного семейства
- 27. Фазовый, или интерференционный контраст в изображении кристаллов создается тогда, когда интерферируют лучи, дифрагированные на кристаллической решетке.
- 28. Теоретические основы электронной оптики. Электронный пучек в ПЭМ должен иметь определенные характеристики, которые задаются как электронным
- 29. Источник с термоэлектронной эмиссией Мы можем нагреть вещество до такой температуры, что электроны могут преодолевать потенциальный
- 30. Источник на кристалле LaB6 имеет четкую огранку, характерную для кубической решетки с ориентацией . Цилиндр Венельта
- 31. Основными характеристиками электронного источника являются такие как интенсивность, яркость, когерентность, стабильность. Интенсивность источника – это число
- 32. Когерентность и энергетический разброс Всем известно, что белый свет некогерентен, поскольку является смесью волн с разными
- 33. Пространственная когерентность и размер источника. Пространственная когерентность обусловлена размерами источника. Идеальная пространственная когерентность подразумевает испускание из
- 34. Когерентность можно повысить путем : • Уменьшения dc, например, используя автоэмиссионный электронный источник • Использованием малой
- 35. Апертуры в ПЭМ предназначены для уменьшения телесного угла, видимого линзой, тем самым, способствуют увеличению разрешения, глубины
- 36. Как и в световой оптике, в электронной оптике ПЭМ действует уравнение Ньютона 1/u + 1/v =
- 37. Глубина поля Dob= dob/βob – это глубина резкости в области объекта, расстояние вдоль оси по обе
- 38. Большинство линз в ПЭМ являются слабыми линзами с большими зазорами. Они либо уменьшают изображение источника на
- 39. Эффект сферической аберрации связан с неидеальным действием на лучи, идущие вдали от оптической оси. Чем дальше
- 40. Эффект хроматической аберрации связан с немонохроматичностью электронов, и с разным отклонением в электромагнитном поле электронов, отличающихся
- 41. Многочисленные причины астигматизма приводят к размытию точки в диск с радиусом rast = β Δf, где
- 42. Если рассматривать изображения точек образца, располагающихся на некотором расстоянии от оптической оси линзы, то изображения их
- 43. Рис. Аберрации линз. а)-сферическая аберрация, б)-кома, в)-хроматическая аберрация, г)-астигматизм, д)-дисторсия.
- 44. Формирование изображения в просвечивающем электронном микроскопе Ускоряющее напряжение в большинстве современных электронных микроскопах составляет 50 -300
- 45. Электронный пучок, формируемый осветительной системой, попадает на объект и рассеивается им. Рассеянная волна преобразуется объективной линзой
- 46. Подготовка образцов для ПЭМ. Изготовление качественного объекта для ПЭМ, имеющего доста- точно широкие участки с хорошей
- 47. Самоподдерживающийся образец состоит из одного материала. При этом образец помимо тонкой части должен иметь достаточно прочный
- 48. Несамоподдерживающиеся образцы крепятся на сетке или тонкой шайбе с одним отверстием. Это могут быть маленькие частички
- 49. Ручной пресс Установка ультразвуковой резки твердых материалов Дисковые алмазные пилы
- 50. Трипод для прецизионного механического утонения плоских и клиновидных образцов Димпл-гриндер
- 51. Схема электрохимического полирования: 1 – ванна; 2 – обрабатываемая заготовка; 3 – пластина-катод; 4 – электролит;
- 52. Установка ионного утонения тонких пластин
- 54. Методы изготовления образцов в поперечном сечении: а – с использованием трубки; б – с использованием шайбы
- 55. Электронно-микроскопическое изображение высо- кого разрешения (поперечное сечение), показывающее кри- сталлографию sp2 → sp3-превращения.
- 56. Электронно-микроскопическое изображение высокого разрешения (поперечное сечение), показывающие зарождение кристаллита LiNbO3 на плоскойтеррасе выступа, расположенного на поверхности
- 57. Электронные микроофотографии, сделанные с помощью просвечивающего электронного микроскопа с предварительной ультразвуковой обработкой исследуемых порошков вольфрама и
- 60. Скачать презентацию