Введение в нанотехнологии и материаловедение

Сентябрь 14, 2022

Главная
Алгебра
Введение в нанотехнологии и материаловедение

Содержание

4. 1974 Тезисы Танигучи: технологию, в которой размеры и допуски в диапазоне 0,1 – 100 нм (от
5. Классификация НТ Физика наноструктур содержит следу- ющие подразделы: электронные состояния и квантовый транспорт; неравновесные электронные состояния
6. Классификация НТ Наноэлектроника включает в себя пять подразделов: элементы, устройства и функциональные системы наноэлектроники; физические принципы
7. Классификация НТ Наноматериалы. Здесь содержится четыре подраздела: конструкционные наноматериалы и наноматериалы со спе- циальными свойствами; функциональные
8. Классификация НТ Нанобиотехнологии. Раздел состоит из пяти подразделов: наноконструирование биологических узнающих систем (нанодетекция и диагностика); нанокон-струирование
9. Классификация НТ Нанодиагностика включает в себя пять подразделов: методы с использованием рентгеновского, синхротронного излуче- ний, нейтронов
10. Классификация НТ НаноОбразование к настояще- му времени детально проработаны направления, связанные с подготовкой специалистов различной квалификации
11. Начало эры наноэлектроники относят к 1999 году когда впервые в производственных условиях были реализованы интегральные схемы
12. Проблемы, связанные с уменьшением размеров: 1. Высокие напряженности электрического поля, которые могут приводить к локальным пробоям
13. Парадоксы наноэлектроники: два требования к диэлектрикам: 1. Требуются материалы с БОЛЬШОЙ диэлектрической проницаемостью 2. Требуются материалы
14. Прогнозируемое уменьшение минимального размера топологического элемента интегральной схемы (длины затвора для транзистора) Закон Мура (Moore)
22. Базовые элементы 1. Полевой транзистор
23. Базовые элементы 1. Диодная структура (МДМ, МДП) МЕТАЛЛ Диэлектрик или полупроводник МЕТАЛЛ
24. Взаимосвязь электроники и материаловедения Определение: Электроника это наука о физических процессах в различных материалах и средах
25. Одиноки ли мы? 1. УГАТУ – кафедра нанотехнологий (материаловедение), Институт физики перспективных материалов; 2. БГУ –
26. Почему нанотехнологии в БГПУ?
27. Размерный (нано?) эффект в полимерных пленках d ~20 nm Полимерная пленка до и после перехода в
28. Особенности транспорта заряда в тонких пленках 1. Локальная электропроводность До 105 и более ⇒ 1011(Ohm·см)-1 2.
29. Обнаруженные и изучаемые явления Давлением (Письма в ЖЭТФ –1990) Магнитным полем (Письма в ЖЭТФ – 2006)
30. Двумерный электронный газ + - 2нм Диэлектрики – из органических полимерных материалов
31. Применения двумерного газа Сенсоры: физические, химические, биологические (в планах создание искусственного носа!) Транзисторы: планарные, вертикальные Логические
32. Управление транспортом электронов без воздействия на их заряд СПИНТРОНИКА
33. Спиновый клапан
34. Схема сканирующего зондового микроскопа
35. Что вас ожидает! Зондовые технологии Основы вакуумной техники Основы вакуумной электроники Электротехника и электроника Микроэлектроника Методы
37. Скачать презентацию

Слайд 2

Слайд 3

Слайд 4

1974
Тезисы Танигучи:
технологию, в которой размеры и допуски в диапазоне 0,1 –

100 нм (от атомных до длины волны фиолетового света) играют критическую роль
Поле, которое покрывает нанотехнология, сводится к манипуляциям и обработке вещества внутри определенного выше диапазона размеров по вполне определенным, описанным и повторяемым алгоритмам, в противоположность произведению искусства художника или творения мастера – ремесленника.
Нанотехнология – это «образующая» технология, опирающаяся на достижения других технологий, техника и методы которой, с небольшими вариациями, могут быть применены в иных сильно различающихся направлениях…
Нанотехнология просматривается в частности важной и немедленно востребованной в таких областях, как материаловедение, машиностроение, оптика и электроника

Слайд 5

Классификация НТ
Физика наноструктур содержит следу-
ющие подразделы: электронные состояния
и квантовый транспорт; неравновесные
электронные

состояния и коллективные
явления; нанофотоника; спинтроника;
сверхпроводимость и низкие температуры;
физические основы технологий квантовых
наноструктур; наноуглеродные материалы.

Слайд 6

Классификация НТ
Наноэлектроника включает в себя пять подразделов: элементы, устройства и функциональные

системы наноэлектроники;
физические принципы и создание нового поколения устройств наноэлектроники;
развитие технологий, создание технологического оборудования, получение материалов наноэлектроники; разработка методов
диагностики и создание диагностического оборудования; разработка методов вычислительного моделирования в наноэлектронике и создание инфраструктуры суперкомпьютерных вычислений.

Слайд 7

Классификация НТ
Наноматериалы. Здесь содержится
четыре подраздела: конструкционные
наноматериалы и наноматериалы со спе-
циальными свойствами;

функциональные
наноматериалы (катализаторы, сорбенты,
мембраны, полимеры); энергонасыщенные
наноматериалы; наноматериалы для элек-
троники, магнитных систем и оптики.

Слайд 8

Классификация НТ
Нанобиотехнологии. Раздел состоит из пяти подразделов: наноконструирование биологических узнающих систем

(нанодетекция и диагностика); нанокон-струирование новых лечебных препаратов
(нанолекарства); наноконструирование иммуногенов, миниантител, наноантител
(нановакцины); трансгенное наноконстру-
ирование (нанотрансгенез); наноконстру-
ирование замещающих cистем и регуляторных компонентов тела (нанобионика).

Слайд 9

Классификация НТ
Нанодиагностика включает в себя пять
подразделов: методы с использованием
рентгеновского, синхротронного излуче-
ний,

нейтронов и частиц; зондовая и элек-
тронная микроскопия, электронография;
оптическая микроскопия и спектроскопия;
физические и физико-химические методы;
нанометрология.

Слайд 10

Классификация НТ
НаноОбразование к настояще-
му времени детально проработаны направления, связанные с подготовкой

специалистов различной квалификации в области нанотехнологий.

Слайд 11

Начало эры наноэлектроники относят к 1999 году когда впервые в производственных

условиях были реализованы интегральные схемы на МДП транзисторах с длинами канала 100 нм. Как следует из прогноза длина канала МДП-транзистора в промышленных интегральных схемах достигнет
10 нм в 2015 году и 7 нм в 2018 г. Плотность размещения логических элементов для таких схем достигнет 5⋅108 – 109 см-2 , а размер кристалла 10-20 см2 при плотности рассеиваемой мощности около 50-100 Вт/см2 на рабочих частотах переключения
10-40 ГГц.

Слайд 12

Проблемы, связанные с уменьшением размеров:

1. Высокие напряженности электрического поля, которые могут

приводить к локальным пробоям
2.    Рассеяние тепла транзисторами ограничивает увеличение плотности элементов
3.    Исчезновение полезных объемных свойств и возрастание роли дефектности полупроводников
4.    Уменьшение размеров приводит к квантово механическому туннелированию электронов от истока к стоку.
5.    Неоднородность окисного слоя приводит к перетеканию электронов из затвора в область канала.

Слайд 13

Парадоксы наноэлектроники: два требования к диэлектрикам:
1. Требуются материалы с БОЛЬШОЙ диэлектрической

проницаемостью
2. Требуются материалы с маленькой диэлектрической проницаемостью

Слайд 14

Прогнозируемое уменьшение минимального размера топологического элемента интегральной схемы (длины затвора для

транзистора)

Закон Мура (Moore)

Слайд 15

Слайд 16

Слайд 17

Слайд 18

Слайд 19

Слайд 20

Слайд 21

Слайд 22

Базовые элементы 1. Полевой транзистор

Слайд 23

Базовые элементы 1. Диодная структура (МДМ, МДП)
МЕТАЛЛ
Диэлектрик или полупроводник
МЕТАЛЛ

Слайд 24

Взаимосвязь электроники и материаловедения
Определение:
Электроника это наука о физических процессах в различных

материалах и средах обусловленных движением электронов и их взаимодействием как между собой так и со средой их пребывания

Слайд 25

Одиноки ли мы?
1. УГАТУ – кафедра нанотехнологий (материаловедение), Институт физики перспективных

материалов;
2. БГУ – кафедра микроэлектроники и нанофизики
3. Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН

Слайд 26

Почему нанотехнологии в БГПУ?

Слайд 27

Размерный (нано?) эффект в полимерных пленках
d ~20 nm
Полимерная пленка до и

после перехода в металлическое состояние

Слайд 28

Особенности транспорта заряда в тонких пленках
1. Локальная электропроводность
До 105 и более

⇒ 1011(Ohm·см)-1
2. Максимальная плотность тока до 106А/см2
3. Металлический тип проводимости
4. Анизотропия проводимости
5. Малые величины инициирующих полей
6. Обратимость эффектов
(ЖЭТФ 1992, т.102, 187; 2006, т. 129, 728 )

Слайд 29

Обнаруженные и изучаемые явления
Давлением
(Письма в ЖЭТФ –1990)
Магнитным полем
(Письма в ЖЭТФ –

2006)

Электронное переключение

Электрическим полем
(Synth. Metals – 1991)

Облучение частицами
(Письма в ЖТФ –1994)

Изменение граничных условий
(Письма в ЖЭТФ-1995)

Термоионизация ловушек
(Synth.metals – 1993)

Электронные, включая нано-

Автополевая эмиссия из полимерной пленки
(J. Society Info. Display-2004)

Зарядовая нанопамять
(Microelectronic Engineering –1993)

Размерное квантование
(Physics of Low-Dimensional Structures - 1994)

Сверхпроводимость
(Solid State Comm –1994)

Двумерный электронный газ

Слайд 30

Двумерный электронный газ
+
-
2нм
Диэлектрики – из органических полимерных материалов

Слайд 31

Применения двумерного газа
Сенсоры: физические, химические, биологические (в планах создание искусственного носа!)
Транзисторы:

планарные, вертикальные
Логические элементы
Возможно и квантовый кубит???

Слайд 32

Управление транспортом электронов без воздействия на их заряд СПИНТРОНИКА

Слайд 33

Спиновый клапан

Слайд 34

Схема сканирующего зондового микроскопа

Слайд 35

Что вас ожидает!
Зондовые технологии
Основы вакуумной техники
Основы вакуумной электроники
Электротехника и электроника
Микроэлектроника
Методы диагностики

и анализа микро и наносистем
Элементы и приборы наноэлектроники
Физико-химия наноструктурированных материалов
Компьютерное моделирование
Инженерная и компьютерная графика

Введение в нанотехнологии и материаловедение

Содержание

1974Тезисы Танигучи:технологию, в которой размеры и допуски в диапазоне 0,1 –

Классификация НТФизика наноструктур содержит следу-ющие подразделы: электронные состоянияи квантовый транспорт; неравновесныеэлектронные

Классификация НТНаноэлектроника включает в себя пять подразделов: элементы, устройства и функциональные

Классификация НТНаноматериалы. Здесь содержитсячетыре подраздела: конструкционныенаноматериалы и наноматериалы со спе-циальными свойствами;

Классификация НТНанобиотехнологии. Раздел состоит из пяти подразделов: наноконструирование биологических узнающих систем

Классификация НТНанодиагностика включает в себя пятьподразделов: методы с использованиемрентгеновского, синхротронного излуче-ний,

Классификация НТНаноОбразование к настояще-му времени детально проработаны направления, связанные с подготовкой

Начало эры наноэлектроники относят к 1999 году когда впервые в производственных

Проблемы, связанные с уменьшением размеров: 1. Высокие напряженности электрического поля, которые могут

Парадоксы наноэлектроники: два требования к диэлектрикам:1. Требуются материалы с БОЛЬШОЙ диэлектрической