Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе

Содержание

Слайд 2

Процессы образования кристаллов в жидкой фазе Три этапа процесса кристаллизации: 1

Процессы образования кристаллов в жидкой фазе

Три этапа процесса кристаллизации:
1 массоперенос реагентов

к границе раздела фаз;
2 реакции на границе раздела фаз;
3 отвод продуктов реакции от границы раздела фаз.

Первая теория роста кристаллов (Коссель, Странский)

Рисунок 1 – Схема устойчивого поселения на гладкой поверхности кристалла не одного (а), а группы (б) атомов – двумерного зародыша [1]

Слайд 3

Технологические методы выращивания полупроводниковых кристаллов Рисунок 2 – Тигельные методы выращивания

Технологические методы выращивания полупроводниковых кристаллов

Рисунок 2 – Тигельные методы выращивания монокристаллов

из расплавов: а, б – метод Бриджмена «вертикальный» и «горизонтальный»; в – зонная плавка в лодочке; г – метод Чохральского. [2]

Рисунок 3 – процесс выращивания кристалла в тигле.

Слайд 4

Фундаментальные проблемы выращивания монокристаллов "Человечество напоминает мне чудака, который, решив отогреться,

Фундаментальные проблемы выращивания монокристаллов

"Человечество напоминает мне чудака, который, решив отогреться, ломает

на дрова стены своего дома вместо того, чтобы съездить за ними в лес" С. П. Королев
Существенное уменьшение силы тяжести меняет глобальным образом характер конвекции - беспорядочное перемешивание разных по температуре потоков жидкости. Она практически прекращается. Роль диффузии - постепенного взаимопроникновения, внедрения атомов одного вещества между атомами другого, - напротив, становится более заметной.
Слайд 5

Первые эксперименты космических технологий

Первые эксперименты космических технологий

Слайд 6

Особенности оборудования для космических технологий Рисунок 4 – Ампула для выращивания

Особенности оборудования для космических технологий

Рисунок 4 – Ампула для выращивания кристаллов

в условиях микрогравитации.
1 – корпус; 2 - демпфирующая шайба из углеграфитового войлока; 3 – графитовая вставка; 4 – кварцевый тигель; 5 - загрузка поликристаллического GaSe; 6 – кварцевая пробка; 7 – графитовая вставка; 8 – кварцевая пробка.
Слайд 7

Особенности оборудования для космических технологий Рисунок 5 – Автоматическая поворотная виброзащитная платформа

Особенности оборудования для космических технологий

Рисунок 5 – Автоматическая поворотная виброзащитная платформа

Слайд 8

Образцы кристаллов, выращенных в космосе Рисунок 6 – Выращенные на борту

Образцы кристаллов, выращенных в космосе

Рисунок 6 – Выращенные на борту

орбитальной станции бесприместные кристаллы антимонида индия.

Рисунок 7 – Структурные особенности Ge (Ga)

Слайд 9

Выводы 1 На сегодняшний день выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе не

Выводы

1 На сегодняшний день выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе не стало

промышленной технологией.
2 Ряд экспериментов по выращиванию совершенных кристаллов увенчался успехом (Ga As, CdHgTe, GaSe).
3 Технологические эксперименты в космосе стали существенным подспорьем в отработке технологических процессов в земных условиях.
Слайд 10

Список источников 1 Гегузин, Я.Е. Живой кристалл. М: Наука, 1981. 2

Список источников

1 Гегузин, Я.Е. Живой кристалл. М: Наука, 1981.
2 Медведев, С.А.

Введение в технологию полупроводниковых материалов. М: Высшая школа, 1970.