Содержание
- 2. 1 сурет: а – диодтың шартты белгісі; б - диодтың идеалды біржақтылық (вентильдік) сипаттамасы; б –
- 3. Жартылай өткізгіштердегі электр тогы Жартылай өткізгіштердің металдардан айырмашылығы а) әртүрлі меншікті кедергі ә) R(t) –тәуелділігі әртүрлі
- 4. Жартылай өткізгіштердегі электр тогы 2 жартылай өткізгіштіктердің түйісуі Кері өткізгіштік Тура өткізгіштік Негізгі емес q жүзеге
- 5. Металдардағы электр тогы Заряд тасушылар Рикке тәжірибесі Қала желісі – 1жыл-Q=3,5млн.Кл Салмағын өлшеу Заряд тасымалдауда иондар
- 6. Диэлектриктер-дистелген су. Өткізгіштер- тұздардың, қышқылдардың судағы ерітінділері. Жартылай өткізгіштер-балқытылған селен Электролиттік диссоциация(бөлу) Электролиз Иондық өткізгіштік! Зат
- 7. Ауа - диэлектрик электр тасымалдау желілері ауалық конденсатор - контактілі қосқыштар Ауа - өткізгіш найзағай электр
- 8. Вакуумдегі электр тогы Термоэлектрондық эмиссия Вакуум q тасушылар жоқ Катодты қыздырсақ ,ток пайда болады Керек: Т.Э.Э.-
- 9. р-n ауысуындағы физикалық процестер р-n ауысуы р және n жартылай өткізгіштерінің өзара қосылуымен пайда болады. Жеке
- 10. Суретен көріп отырғанымыздай, оң зарядтар сол жақта (жылжитыны бар, жылжымайтыны бар) жиналып, конденсатор құрылысына ұқсас құрылым
- 11. Жалпы алғанда, р-n ауысуы жылжымалы зарядтарынан айрылған, қозғалыссыз иондардан тұратын орталық бөлік. Оның ұзындығы 2 б-
- 12. Эквиваленттік ұқсастыққа жүгінетін болсақ, диффузия қозғалысы металл шариктерінің екпінді қозғалысына ұқсас,ал потенциал өзгерсі кәдімгі биік асуға
- 13. 3 сурет - р-n ауысуының кері (a) және тура (б) қосылуы Суретте бастапқы кернеу жоқ кездегі
- 14. Бұл сұраққа былай жауап беруге болады: тоқ бар, бірақ оның шамасы жоқтың қасы. Өйткені сырттан түсірілген
- 15. Идеалдық тұрғыдан қарағандағы вентильдің біржақты өткізгіштік сипаттамасын біз 1 б - суретте көрсеткен едік. Ал енді
- 16. 4 сурет - Диодтың жасалу әдістері мен құрылымы: а – балқыту технологиясы; б - диффузия технологиясы;
- 17. Диодтың вольтамперлік сипаттамасы р-n ауысуының жоғарыда (1 б - сурет) келтірілген сипаттамасына ұқсас келеді. Дегенмен де
- 18. Бұл құбылыс өндірісте кернеуді тұрақтандыруға пайдаланылып, ал диод кремнийлік стабилитрон (негізінен Si – ден жасалынатын болғандықтан)
- 19. Жартылай өткізгіштік триод – транзистор. Жартылай өткізгіш приборлардың ішіндегі ең маңыздысы – транзисторлар. Транзистор – үш
- 20. Ток түзуге қатысытын заряд тасушыларына байланысты транзистор биполяр және униполяр екіге бөлінеді. Біріншісінде ток екі түрлі
- 21. Биполярлық транзистор. Жұмыс істеу принципі. Өндірісте жиі кездесетін биполярлық транзистор кезектесе орналасқан үш р және n
- 22. n–р–n және р–n–р транзисторларының жалпы жұмыс істеу принциптері бірдей, айырмашылығы тек біріншісінде, ток түзетін заряд тасушылары
- 23. Ал база тоғының пайда болу себебі, ондағы электрондар мен кемтіктердің бір – бірімен қосылып,өзара бейтарап бөлшектер
- 24. 4.3 сурет – Транзистордың тәсімдік қосылуы. Енді осы режимде өтетін физикалық процестерге көз жүгіртіп өтейік (4.2
- 25. Физикалық ұқсастыққа жүгінетін болсақ, бұл өзен сарқырамасына ұқсайды (4.4 а - сурет): өзен суын тек сарқырама
- 26. Тағы бір физикалық ұқсастыққа жүгіне отырып транзистордағы әртүрлі шамалардың бір – біріне сәйкестігін және коллектор тоғына
- 27. Сипаттамалар тобынан көріп отырғанымыздай, Іэ шамасын арттыра түссек, Ік шамасы да арта түседі. Ал осы екі
- 28. Транзистордың ОЭ тәсіміне арналған сипаттамалар тобы 4.6 – суретте келтірілген. Онда бірінші шаршымада (квадрантта) жағарыда көрсетілген
- 29. Биполярлық транзисторының қосылу тәсімдері мен сипаттамалары. Кіріс,шығыс нүктелерінің өзара орналасуына байланысты транзистор әртүрлі қосылу тәсімдерінде жұмыс
- 30. 4.7 сурет - Транзистордың қосылу тәсімдері Транзистор теориясында тоқ беру коэффициенттерімен қатар кернеу беру коэффициенттері де
- 32. Скачать презентацию
1 сурет: а – диодтың шартты белгісі; б - диодтың идеалды
1 сурет: а – диодтың шартты белгісі; б - диодтың идеалды
сипаттамасы; б – диодтың нақты вольтамперлік сипаттамасы.
Ұшбұрыштың үш жағы катод (К) да, сырт жағы анод (А) деп аталады. Ток әрқашанда анодтан катодқа қарай ағады. Идеалдық тұрғыдан қарағанда диодтың біржақтылық (вентильдік) вольтамперлік сипаттамасы 3.1,б-суреттегідей болуы керек: егер де анод мпен катод арасындағы керену оң болса, ток шексіздікке, ал теріс болса, нөлге ұмтылады, яғни
Uа > 0 болса, онда І →∞;
Uа ≤ 0 болса, онда І = 0.
Жартылай өткізгіштік диодтардың (бұдан былай - диод) көпшілігінің негізі, 1940 жылдары келген, р-n ауысуы болып табылады. Енді осы ауысуда өтетін физикалық процестерге тоқталып өтелік.
Жартылай өткізгіштердегі электр тогы
Жартылай өткізгіштердің металдардан айырмашылығы
а) әртүрлі меншікті кедергі
ә) R(t)
Жартылай өткізгіштердегі электр тогы
Жартылай өткізгіштердің металдардан айырмашылығы
а) әртүрлі меншікті кедергі
ә) R(t)
б) жартылай өткізгіштердегі “R” жарықтандыруға байланысты (ішкі фотоэффект)
Өздіндік өткізгіштік
Коваленттік байланыс
Электронды- кемтіктік өткізгіштік
Қоспалы өткізгіштік
5валентті→ 4валентті Электронды өткізгіштік
n- типті. Кемтіктер аз
3валентті→ 4валентті Кемтікті өткізгіштік
p- типті. Электрондар аз
Жартылай өткізгіштердегі электр тогы
2 жартылай өткізгіштіктердің түйісуі
Кері өткізгіштік
Тура өткізгіштік
Негізгі емес q
Жартылай өткізгіштердегі электр тогы
2 жартылай өткізгіштіктердің түйісуі
Кері өткізгіштік
Тура өткізгіштік
Негізгі емес q
Негізгі q жүзеге асады
үлкен
3 жартылай өткізгіштіктердің түйісуі
Жартылайөткізгішті диод:
Жартылай өткізгішті транзистор:
Металдардағы электр тогы
Заряд тасушылар
Рикке тәжірибесі
Қала желісі – 1жыл-Q=3,5млн.Кл Салмағын өлшеу
Заряд тасымалдауда
Металдардағы электр тогы
Заряд тасушылар
Рикке тәжірибесі
Қала желісі – 1жыл-Q=3,5млн.Кл Салмағын өлшеу
Заряд тасымалдауда
Мандельштам-Папалекси (1913ж) Стюарт-Толмен(1916ж)
Үдету-тежеу-инерция-ток
L=500м v=300м/c
Металдағы заряд тасушылар- электрондар!
Вольт-амперлік
сипаттама
Диэлектриктер-дистелген су.
Өткізгіштер- тұздардың, қышқылдардың судағы ерітінділері.
Жартылай өткізгіштер-балқытылған селен
Электролиттік диссоциация(бөлу)
Электролиз
Иондық өткізгіштік!
Зат тасымалдануы
Фарадей
Диэлектриктер-дистелген су.
Өткізгіштер- тұздардың, қышқылдардың судағы ерітінділері.
Жартылай өткізгіштер-балқытылған селен
Электролиттік диссоциация(бөлу)
Электролиз
Иондық өткізгіштік!
Зат тасымалдануы
Фарадей
Қолданылуы:
1. Таза металдарды алу.
2. Гальваностегия.
3.Гальванопластика
Вольт-амперлік
сипаттама
Сұйықтардағы электр тогы
Ауа - диэлектрик
электр тасымалдау желілері
ауалық конденсатор
- контактілі қосқыштар
Ауа - өткізгіш
Ауа - диэлектрик
электр тасымалдау желілері
ауалық конденсатор
- контактілі қосқыштар
Ауа - өткізгіш
электр ұшқыны
- металды пісіру
Газдардағы электр тогы
Ионизатордың әсерінен газ өткізгішке айналады.
Ионизаторлар: жалын, ультракүлгін, рентген, радиактивті сәулелер
Газдағы разряд түрлері:
А) солғын разряд
Ә) доғалық разряд
Б)тәждік разряд
В) ұшқындық разряд
Вакуумдегі электр тогы
Термоэлектрондық эмиссия
Вакуум
q тасушылар жоқ
Катодты қыздырсақ ,ток пайда болады
Керек:
Т.Э.Э.- t
Вакуумдегі электр тогы
Термоэлектрондық эмиссия
Вакуум
q тасушылар жоқ
Катодты қыздырсақ ,ток пайда болады
Керек:
Т.Э.Э.- t
Диод
Триод
Электрондық шоқтар. Э.С.Т.
-денеге тигенде оларды қыздырады;
e -тежелген кезде рентгендік сәулелер шығады;
кейбір заттардың жарқырауы;
магнит өрісінде ауытқиды
р-n ауысуындағы физикалық процестер
р-n ауысуы р және n жартылай өткізгіштерінің өзара
р-n ауысуындағы физикалық процестер
р-n ауысуы р және n жартылай өткізгіштерінің өзара
Суретен көріп отырғанымыздай, оң зарядтар сол жақта (жылжитыны бар, жылжымайтыны бар)
Суретен көріп отырғанымыздай, оң зарядтар сол жақта (жылжитыны бар, жылжымайтыны бар)
2 сурет - р және n жартылай өткізгіштеріндегі зарядтар құрамы (а, б) және р-n ауысуындағы олардың қозғалысы (в) мен ондағы потенциал диаграммасы (г).
Жалпы алғанда, р-n ауысуы жылжымалы зарядтарынан айрылған, қозғалыссыз иондардан тұратын орталық
Жалпы алғанда, р-n ауысуы жылжымалы зарядтарынан айрылған, қозғалыссыз иондардан тұратын орталық
Потенциалдар айырымы φк-ге тең де, түйісу потенциалдар айырымы немесе биіктігі деп аталады. Потенциал диаграммасы кішігірім асуға ұқсас келеді де, оның биіктігі негізгі заряд бөлшектерінің диффузиялық қозғалысына тосқауыл ретінде әсер етеді. Сондықтан да р-n түйісуін р-n асуы деп атаса да болатын сияқты.
Эквиваленттік ұқсастыққа жүгінетін болсақ, диффузия қозғалысы металл шариктерінің екпінді қозғалысына ұқсас,ал
Эквиваленттік ұқсастыққа жүгінетін болсақ, диффузия қозғалысы металл шариктерінің екпінді қозғалысына ұқсас,ал
Енді жоғарыда көрсетілген р-n ауысуын ток көзіне қосып көрелік. Ток көзінің оң полюсін n жартылай өткізгішіне, ал сол полюсін р жартылай өткізгішіне жалғайық (3 a-сурет).
3 сурет - р-n ауысуының кері (a) және тура (б) қосылуы
Суретте
3 сурет - р-n ауысуының кері (a) және тура (б) қосылуы
Суретте
Бұл сұраққа былай жауап беруге болады: тоқ бар, бірақ оның шамасы
Бұл сұраққа былай жауап беруге болады: тоқ бар, бірақ оның шамасы
Ол тек n аймагындағы кемтіктерден немесе р аймағындағы электрондардан ғана (3 б - суретте доғалық жебелермен көрсетілген), яғни тек негізгі емес заряд тасушыларының тууы мүмкін. Ал бұл заряд тасушыларының саны өте аз екндігі айдан анық. Олай болса, токтың шамасы да жоқтың қасында. Сондықтан да жоғарыда келтірілген кернеудің қосылу бағыты, р-n ауысуының кері бағытта қосылуы деп аталады. Кернеудің түсуі бағытын қарама – қарсыға ауыстыратын болсақ (+ - р аймағына, - n аймағына), р-n ауысуының тура бағытта қосылуын аламыз. 3 б - суретте көрстеілгендей, бұл қосылу негізгі заряд тасушыларының диффузиялық қозғалысына сәйкес келеді. Ал негізгі заряд тасушыларының негізгі емес заряд тасушыларына қарағанда әлдеқайда көп екендігін ескерсек (мысалы, р аймағындағы негізгі заряд тасушылар - кемтіктер саны рр =10l7 см -3, ал негізгі емес заряд тасушылар – электрондар саны n =1010 см -2, сонда кемтіктер саны р/ n =10l7 / 1010 =107 есе артық), тура қосылу тоғының сан мәні кері қосылу тоғынан әлеқайда артық болады. Сондықтан р-n ауысуы тура қосылуда ток шамасын тежемейді деп есептейміз.
Сондықтан, қорытындылай келгенде, р-n ауысуы кері қосылуда ток өткізбейді де, ал тура қосылуда тоққа кедергі жасамайды.
Идеалдық тұрғыдан қарағандағы вентильдің біржақты өткізгіштік сипаттамасын біз 1 б -
Идеалдық тұрғыдан қарағандағы вентильдің біржақты өткізгіштік сипаттамасын біз 1 б -
- Жартылай өткізгіштік кедергілер;
- Жартылай өткізгіштік диодтар;
- Биполярлық транзисторлар;
- Тиристорлар.
Диодтың жасалу әдістері мен сипаттамалары.
Жартылай өткізгіштік диод р-n ауысуынан немесе Шотки түйіспесінен тұрады. Жасалу негізі балқыту немесе диффузия технологиясына негізделген. Балқыту технологиясы бойынша жартылай өткізгіш бетіндегі қоспа балқытылып, ыстық вакуум пешінің ішінде р-n ауысуын құрады (4 a-сурет). Осы алынған ауысуды ауасы жоқ корпус ішіне орналастырып,екі жағынан анод пен катод электродтарын шығаратын болсақ, диодымыз дайын болды деп есептеуге болады (4 б - сурет).
Жалпы жасалынған р-n ауысуын корпус ішінде орналастырмаса да болады. Мұндай корпуссыз диодтар интегралдық тәсімдерді жиі қолданылады. Диодтар әртүрлі корпустарда орналасуы мүмкін. Олардың өндірісте жиі тараған түрлері 3.5 - суретте көрсетіліп отыр.
4 сурет - Диодтың жасалу әдістері мен құрылымы: а – балқыту
4 сурет - Диодтың жасалу әдістері мен құрылымы: а – балқыту
б - диффузия технологиясы; в – диодтың құрылысы
а) б) в) г) д) е)
5 сурет - Диодтардың түрлері: а - өте жоғары жиіліктік детекторлық диод; б - жоғары жиіліктік аз қуатты импульстік диод; в, г – орташа қуатты импульстік диодтар; д-орташа қуатты стабилитрон; е – жоғары қуатты вентиль (диод).
Диодтың вольтамперлік сипаттамасы р-n ауысуының жоғарыда (1 б - сурет) келтірілген
Диодтың вольтамперлік сипаттамасы р-n ауысуының жоғарыда (1 б - сурет) келтірілген
Көріп отырғанымыздай, диодтасы кернеудің түсуі база кедергісі (Rб) мен р-n ауысуындағы кеереулердің қосындысына тең. База деп диодтың қоспасы аз (кедергісі жоғары) бөлігін ( әрдайым бұл n аймағы) айтады).
6 сурет – Диодтың вольтамперлік сипаттамасы
р-n ауысуынның кері қосылуына келетін болсақ (ІІІ шаршыма), мұндағы өзгеріс одан да күшті. Бі ріншіден, р-n ауысуын диод ретінде пайдалағанда, ол тек белгілі бір кернеу шамасына ғана төтеп беріп, одан ары электрлік және жылулық тесіп өтуге ұшырауы мүмкін. Электрлік тесіп өту кезінде (6 - суретте 1-2 нүктерлер аралығы) ток мәнінің елеулі өзгеруіне қарамастан кернеу шамасы тұрақты қалады.
Бұл құбылыс өндірісте кернеуді тұрақтандыруға пайдаланылып, ал диод кремнийлік стабилитрон (негізінен
Бұл құбылыс өндірісте кернеуді тұрақтандыруға пайдаланылып, ал диод кремнийлік стабилитрон (негізінен
Сонымен диодтың негізгі сипаттамасы оның 6 - суретте келтірілген вольт-амперлік сипаттамасы болып табылады. Ал оның температураға байланысты тәуелділігін зерттейтін болсақ, оны жартылай өткізгіш кедергісінің өзгерісіне байланысты анықтауға болады.
Жартылай өткізгіш кедергісінің температура өскен сайын төмендей түсетінін ескере отырып, диодтың қай қосылуында болмасын (тура, кері) токтың да өсе түсетінін білеміз. Осы өзгеріс едәуір шамаға детіп, өмірде жартылай өткізгіштік электрондық аспаптардың ең бір басты кемшілігі – температуралық тұрақсыздыққа әкеп соқтырады.
Жартылай өткізгіштік триод – транзистор.
Жартылай өткізгіш приборлардың ішіндегі ең маңыздысы –
Жартылай өткізгіштік триод – транзистор.
Жартылай өткізгіш приборлардың ішіндегі ең маңыздысы –
Транзистор – үш электродты, электр сигналдарын күшейту мен түрлендіруге арналған жартылай өткізгіштік аспап немесе транзистор деп – күшейткіш қасиеті негізгі емес заряд тасушылардың инжекциясымен экстракциясына (қабылдағыш, втягивание, тартылуы) негізделген бір-бірімен өзіне әсер алатын (p-n) ауысуы болатын жартылай өткізгішті приборды айтады.
Ток түзуге қатысытын заряд тасушыларына байланысты транзистор биполяр және униполяр екіге
Ток түзуге қатысытын заряд тасушыларына байланысты транзистор биполяр және униполяр екіге
Транзистор үш қабаттан тұрады және белгілі жағдайда тоқты және кернеуді күші алатын қасиеті бар. Қасиетіне байланысты қазіргі кезде радиотехникада, электроникада кеңінен қолданып отыр.
Оның транзистор - деген аты (transistor) екі ағылшын сөзден алынған:
- transit (тапсыру, өткізу, тасымалдау);
- resistor (кедергі).
Тоқ жасауға (тізуге) қатысатын заряд тасушына байланысты транзистор биполярлы және өрістік болып екіге бөлінеді.
Биполярлық транзистор. Жұмыс істеу принципі.
Өндірісте жиі кездесетін биполярлық транзистор кезектесе орналасқан
Биполярлық транзистор. Жұмыс істеу принципі.
Өндірісте жиі кездесетін биполярлық транзистор кезектесе орналасқан
Әр аймақтан тоқ жүретін шықпалар (электродтар) шығарылып, олар эмиттер (Э), коллектор (К) және база (Б) деп аталады. Латын тілінен аударғанда emitto – эмиттер – «шығарушы» да, транзисторды заяд тасушылармен қамтамасыз ететін электрод болып табылады; соllector – коллектор - «жинаушы» ретінде эмиттерден шыққан заряд тасушыларын қабылдайды. Ал заряд тасушыларының эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын реттейтін – база. Ол транзистордың реттеуші, басқарушы электроды болып саналады.
а) б) в)
4.1 сурет - n–р–n (а) және р – n– р (б) транзисторларының құрылымдық суреттері,
шартты белгілері және биполяр транзисторының құрылысы (в).
n–р–n және р–n–р транзисторларының жалпы жұмыс істеу принциптері бірдей, айырмашылығы тек
n–р–n және р–n–р транзисторларының жалпы жұмыс істеу принциптері бірдей, айырмашылығы тек
Өндірісте жиі қолданылуына байланысты n–р–n транзисторының жұмыс атқару принципіне жеке тоқталып өтейік. 4.2 - суретте n–р–n транзисторының құрылымы келтіріліп, ондағы тоқ жолдары аумақты жебелермен көрсетілген. (Тек еске ұстайтын жайт: жебе бағыттары заряд тасушылары – электрондардың қозғалыс бағытын көрсетеді, ал ток бағыты оған қарама – қарсы).
Суретте көрсетілгендей эмиттер тоғы (Іэ) коллектор (Ік) және база (Іб) токтарының қосындысына тең: Іэ = Ік + Іб. Оның үстіне Ік – ның сан мәні Іэ–ге жақын да, Іб өте аз болады. Транзистордың күшейткіштік қасиетінің өзі осында: өте аз шамалы база тоғымен үлкен коллектор тоғын басқаруға мүмкіндік аламыз.
4.2 сурет – Биполяр транзисторындағы тоқ жолдары (а) мен оңдағы заряд тасушыларының қозғалысы (б)
Ал база тоғының пайда болу себебі, ондағы электрондар мен кемтіктердің бір
Ал база тоғының пайда болу себебі, ондағы электрондар мен кемтіктердің бір
Ол екі түрлі жолмен жүргізіледі: біріншіден, база аймағының қоспа мөлшерін эмиттер қоспасынан әлдеқайда аз жасап, эмиттерден келген электрондарға базадан табылатын кемтіктерді жеткіліксіз етеді; екіншіден, эмиттерден келген электрондардың базадағы кемтіктермен рекомбинацияға түсіп үлгермей коллекторға бірден өтіп кетуі үшін базаның енін өте тар жасаыды (микрондармен өлшінеді). Міне, осы айтылған екі себептің арқасында база тоғының шамасын өте азайтын транзистордың күшейткіщтік қасиетін әлдеқайда арттыруға болады.
Электрондарына түсірілген кернеулерге байланысы транзистор әртүрлі қанығу, күшейту және токсыз режимдерде жұмыс істей алады. Өмірде жиі қолданылатын күшейткіштік режимдегі база, коллектор кернеулерінің қосылуы 4.3 - суретте көрсетілген.
Дәлірек айтқанда, аталған режимге көшу үшін эмиттерлік р–n ауысуын тура, ал коллекторлық р–n ауысуын кері қосылуға жеткізу керек. Аталған ауысуларды шартты түрде диод белгілерімен белгілеп, сәйкесінше ЭД (эмиттер диоды) және КД (коллектор диоды) деп атап, түсірілген кернеулердің әсерін қарайтын болсақ, шындығында күшейткіщтік режимде тұрғагымызға көзіміз жетеді (4.3 б - суретті қараңыз).
4.3 сурет – Транзистордың тәсімдік қосылуы.
Енді осы режимде өтетін физикалық процестерге
4.3 сурет – Транзистордың тәсімдік қосылуы.
Енді осы режимде өтетін физикалық процестерге
Эмиттерден келген электрондардың бәріне бірдей база аймағынан кемтік табыла бермейді. Сондықтан да олардың дерлік көпшілігі коллектор ауысуына жетіп, коллектор тоғының тікелей өтетін бөлігін (Ік) құрайды. Коллекторға түсірілген электр қозғаушы күші Ек бұл бөлшектердің қозғалысына қосымша әсер етіп, олардың жылдамдығын күшейте түседі.
Ал коллектор ауысуын келетін болсақ, онда потенциал псуының биіктей түсуіне байланысты, ондағы диффузия қозғалысы мүлдем жойылуы мүмкін (кері қайтқан Jкдиф-мен көрсетілген).
Физикалық ұқсастыққа жүгінетін болсақ, бұл өзен сарқырамасына ұқсайды (4.4 а -
Физикалық ұқсастыққа жүгінетін болсақ, бұл өзен сарқырамасына ұқсайды (4.4 а -
Ал осы суды сарқырама деңгейінің төмен тұсынан тоқтатуға болар ма еді? Тосқауылдап кедергі қойсақ су тасқыны өзгерер ме еді? Өзгермейді! Демек, коллектор тізбегіне кедергі жалғасаңыз (мысалы, R – ді, 4.3 - суреттегі коллектор тізбегін қараңыз), одан коллектор тоғының шамасы өзгермейді, ал бірақ жалғанған кедергіге сәйкес алынатын кернеудің шамасын өсіруге мүмкіндік туады.
«Транзистор кернеуді күшейте алады», - деген ұғым осыдан пайда болған.
4.4 сурет - Транзистордағы процестердің табиғи баламалары
Тағы бір физикалық ұқсастыққа жүгіне отырып транзистордағы әртүрлі шамалардың бір –
Тағы бір физикалық ұқсастыққа жүгіне отырып транзистордағы әртүрлі шамалардың бір –
Жердің тартылыс күшін коллектор кернеуіне баласақ, онда Ік – нің Uк – ға тәуелділігі шамалы деуге болады. Сондықтан да осы тәуелділіктің сипаттамасын алып қарағанда (4.5, а- сурет), айтқан болжамымыздың дәл келгенін көреміз. Дегенмен бұл тәуелсіздік транзистордың тек ортақ базалы естен шығармағанымыз жөн! Сонымен қатар транзистордың ортақ эмиттерлі (ОЭ) схемасында бұл тәуелсіздік онша қатаң сақтала қоймайды (4.5 б- сурет).
4.5 сурет - Транзистордың ортақ базалы (а) және ортақ эмиттерлі (б)
тәсімдерінің шығыс сипаттамалары.
Сипаттамалар тобынан көріп отырғанымыздай, Іэ шамасын арттыра түссек, Ік шамасы да
Сипаттамалар тобынан көріп отырғанымыздай, Іэ шамасын арттыра түссек, Ік шамасы да
Суретте келтірілген сипаттама транзистордың шығыс сипаттамасы деп аталып, оның негізі сипаттмаларының бірі болып саналады.
4.4 – суретке қайта оралатын болсақ, төменгі тақтайдың жоғарғы тақтайдан асып тұрған бөлігі ωб – мен, ал олардың бір – бірінен ара қашықтығы εэ – мен белгіленіпті. Мұндағы ωб –транзистор базасының ені де, εэ –эмиттер ауысыуна түсірілген кернеу шамасы. Құмдағы ұқсастыққа қарай отырып, коллектор тоғының аталған шамаларға өте тәуелді болатындағын байқауға болады.
Оның үстіне төгіліп жатқан құмды белгілі бір қима арқылы (мысалы, құбырмен өткізетін болсақ, онда осы қиманың ауданы коллектор кедергісінің рөлін атқарады: құмды қанша көп құйғанымызбен оны құбыр қимасынан артық мөлшерде өткізуге болмайды, яғни белгілі бір күйге жеткеннен кейін транзисторды қанша ашқанымызбен де (εэ арқылы) коллектор тізбегінде Іққ =εк/R тоғынын артық ток ала алмаймыз.
Бұл режим транзистордың қаңығу режимі, ал Іққ – коллектордың қаңығу тоғы деп аталады.
Транзистордың ОЭ тәсіміне арналған сипаттамалар тобы 4.6 – суретте келтірілген. Онда
Транзистордың ОЭ тәсіміне арналған сипаттамалар тобы 4.6 – суретте келтірілген. Онда
4.6 сурет - ОЭ тәсімінің бір графикте жинақталған сипаттамалары
Биполярлық транзисторының қосылу тәсімдері
мен сипаттамалары.
Кіріс,шығыс нүктелерінің өзара орналасуына байланысты транзистор әртүрлі
Биполярлық транзисторының қосылу тәсімдері
мен сипаттамалары.
Кіріс,шығыс нүктелерінің өзара орналасуына байланысты транзистор әртүрлі
Эмиттері ортақ болса, ортақ эмиттері (ОЭ), ал коллекторы ортақ болса, ортақ коллекторы (ОК) тәсім болып саналады. Бұл тәсімдердің қарапайым түрлері 4.7 – суретте бейнеленген.
Схемалардың төменгі жағында тоқ беру коэффициенттері көрсетілген. Олар әр тәсімнің өзіне сәйкес белгілермен белгіленіп (ОБ – α, ОЭ - β), шамалары әртүрлі болып келеді.
ОБ тәсімінің ток беру коэффициенті бірден кем (сондықтан да ток күшейту емес, ток беру коэффициенті).
Ал ОЭ мен ОК тәсімдерінің ток беру коэффициенттері бірден әлдеқайда артық (бірнеше жүз, мыңдарға жетуі мүмкін). Сондықтан оларды тоқ күшейту коэффициенттері деп атайды.
4.7 сурет - Транзистордың қосылу тәсімдері
Транзистор теориясында тоқ беру коэффициенттерімен қатар
4.7 сурет - Транзистордың қосылу тәсімдері
Транзистор теориясында тоқ беру коэффициенттерімен қатар