Граничные условия для электромагнитного поля

Слайд 2

Граничные условия для нормальных составляющих электрического поля q — заряд, сосредоточенный на поверхности ΔS

Граничные условия для нормальных составляющих электрического поля

q — заряд, сосредоточенный на

поверхности ΔS
Слайд 3

Граничные условия для нормальных составляющих магнитного поля μ1 и μ2 —

Граничные условия для нормальных составляющих магнитного поля

μ1 и μ2 — абсолютные

магнитные проницаемости первой и второй среды соответственно.
Слайд 4

Граничные условия для тангенциальных составляющих магнитного поля размеры контура очень малы

Граничные условия для тангенциальных составляющих магнитного поля

размеры контура очень малы и

в его пределах поле однородно

Поверхностным током будем называть приведенный в движение поверхностный заряд.
Плотность поверхностного тока определяется формулой

При наличии поверхностного тока на границе раздела тангенциальная составляющая напряженности вектора магнитного поля терпит разрыв, равный его плотности.

Слайд 5

Граничные условия для тангенциальных составляющих электрического поля

Граничные условия для тангенциальных составляющих электрического поля

Слайд 6

1. Граница двух идеальных диэлектриков. В этом случае нет свободных зарядов,

1. Граница двух идеальных диэлектриков. В этом случае нет свободных зарядов,

т.е. σ = 0, следовательно, D1n = D2n .
2. Граница «идеальный диэлектрик – идеальный проводник». Поле в идеальном проводнике равно нулю, значит, D2n = 0 и D1n = σ. E2τ = 0, то E1τ = 0. Значит, линии вектора E и D всегда перпендикулярны поверхности идеального проводника. Таким образом, для отыскания поверхностной плотности заряда достаточно определить нормальную компоненту вектора электрического смещения на границе с проводником. H2τ = 0, тогда H1τ = ηN на границе с идеальным проводником при наличии магнитного поля всегда возникает поверхностный ток.
Слайд 7

Слайд 8

Монохроматическое поле, метод комплексных амплитуд

Монохроматическое поле, метод комплексных амплитуд

Слайд 9

Слайд 10