Транзисторы

Сентябрь 15, 2022

Главная
Физика
Транзисторы

Содержание

2. Транзи́стор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током
3. КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ По структуре Биполярный транзистор Полевой транзистор По основному полупроводниковому материалу Германиевые Кремниевые Арсенид-галлиевые
4. По мощности Маломощные транзисторы до 100мВт Транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт Мощные транзисторы
5. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых
6. ПРИНЦИП РАБОТЫ В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом
7. Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками,
8. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное
9. Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между
10. ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Входные (а) и выходные (б) статические характеристики биполярного Транзистора, включенного по схеме с общей
11. Выходные (а) и входные (б) статические характеристики биполярного транзистора , включенного по схеме с общим эмиттером.
12. РЕЖИМЫ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Нормальный активный режим Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход
13. СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Схема включения с общим эмиттером Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению
14. Схема включения с общей базой Эта схема не дает значительного усиления сигнала, зато хороша на высоких
15. Схема включения с общим коллектором Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно
16. УСТРОЙСТВО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей,
17. СХЕМА ВКЛЮЧЕНИЯ ПТ В ЦЕПЬ К истоку подсоединяют плюс, к стоку - минус источника напряжения, к
18. КОНСТРУКЦИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРА Две основные структуры МДП транзисторов показаны на рисунке. Первая из них (рис.а) характерна наличием
19. Вторая структура (рис. б) характерна отсутствием структурно выраженного канала. Поэтому при нулевом смещении на затворе проводимость
20. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ МДП ТРАНЗИСТОРОВ (РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЗАРЯДОВ ПРИ НУЛЕВЫХ НАПРЯЖЕНИЯХ НА ЭЛЕКТРОДАХ). Принцип работы МОП-транзистора инверсионного типа
21. Если к затвору приложено положительное напряжение (рис 6), вблизи поверхности происходит инверсия типа проводимости, так что
22. При подаче положительного напряжения на сток (рис. в) электроны начинают двигаться от истока к стоку по
23. Когда напряжение на стоке превысит определенную величину (рис.г), происходит перекрытие канала вблизи стока, и ток через
24. УСЛОВНО-ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ Со встроенным каналом n-типа Со встроенным каналом n-типа С изолированным затвором обогащенного типа с
25. СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у
26. ВОЛЬТ - АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТ СО ВСТРОЕНЫМ КАНАЛОМ N- ТИПА: А - СТОКОВЫЕ; Б - СТОКО
27. УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА Усилителями постоянного тока (УПТ) называются устройства, предназначенные для усиления медленно изменяющихся сигналов вплоть
28. ОДНОТАКТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ ПРЯМОГО УСИЛЕНИЯ потенциал эмиттера устанавливается за счет балластного сопротивления Ro применения опорного диода D
29. входной каскад УПТ выходной каскад УПТ
30. УСИЛИТЕЛИ С ПРЕОБРАЗОВАНИЕМ М—модулятор. У—усилитель переменного тока, ДМ—демодулятор. Rн Rн Uн ДМ У М U2 U1
31. временные диаграммы напряжений в основных точках схемы
32. МОДУЛЯТОРЫ компенсированный модулятор простейший транзисторный модулятор
33. один из вариантов демодулятора — фазочувствительный выпрямитель
34. ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ принципиальная схема простейшего варианта дифференциального усилителя
35. СХЕМА ВКЛЮЧЕНИЯ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ принципиальная схема включения ДУ с несимметричным входом и симметричным выходом
37. Скачать презентацию

Слайд 2

Транзи́стор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала,
обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять

током в
электрической цепи.
Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного
напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к
существенно большему изменению выходного напряжения и тока.

Слайд 3

КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ
По структуре
Биполярный транзистор
Полевой транзистор
По основному полупроводниковому материалу
Германиевые
Кремниевые
Арсенид-галлиевые

Слайд 4

По мощности
Маломощные транзисторы до 100мВт
Транзисторы средней мощности от 0,1 до 1

Вт
Мощные транзисторы (больше 1 Вт)

Слайд 5

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора,

на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.

Слайд 6

ПРИНЦИП РАБОТЫ
В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный

переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт).
Для определённости рассмотрим npn транзистор.

Слайд 7

Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу.

Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера.
Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу.

Слайд 8

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше

тока базы в определенное число раз. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h21. Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току. Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается.

Слайд 9

Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно
представляет

собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления.
Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению. Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер- коллектор) и входного (база-эмиттер)
переменных напряжений.

Слайд 10

ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Входные (а) и выходные (б) статические характеристики биполярного
Транзистора, включенного по

схеме с общей базой.

Слайд 11

Выходные (а) и входные (б) статические характеристики биполярного
транзистора , включенного

по схеме с общим эмиттером.

Слайд 12

РЕЖИМЫ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Нормальный активный режим
Переход эмиттер-база включен в прямом направлении

(открыт), а переход коллектор-база — в
обратном (закрыт) UЭБ>0;UКБ<0;
Инверсный активный режим
Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.
Режим насыщения
Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).
Режим отсечки
В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты).
Барьерный режим
В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через
небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмитерную цепь транзистора
включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор
представляет из себя диод, включенный последовательно с резистором. Подобные схемы
каскадов отличаются малым количеством комплектующих схему элементов, хорошей развязкой
по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, неразборчивостью к параметрам
транзисторов.

Слайд 13

СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Схема включения с общим эмиттером
Эта схема дает наибольшее

усиление по напряжению и току
(а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц), в связи с чем
является наиболее распространенной.

Слайд 14

Схема включения с общей базой
Эта схема не дает значительного усиления сигнала,

зато хороша на
высоких частотах, поскольку позволяет более полно использовать
частотную характеристику транзистора. Если один и тот же транзистор
включить сначала по схеме с общим эмиттером, а потом с общей базой,
то во втором случае будет наблюдаться значительное увеличение его
граничной частоты усиления.

Слайд 15

Схема включения с общим коллектором
Особенность этой схемы в том, что входное

напряжение полностью
передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная
связь.
Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим
эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький
(основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но
всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности
получается равным всего нескольким десяткам единиц.

Слайд 16

УСТРОЙСТВО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого

обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. В отличие от биполярных работа полевых транзисторов основана на использовании основных носителей заряда в полупроводнике. В связи с этим их называют униполярными. Униполярными называют такие транзисторы, работа которых основана на использовании основных носителей: только дырок или только электронов.

Слайд 17

СХЕМА ВКЛЮЧЕНИЯ ПТ В ЦЕПЬ
К истоку подсоединяют плюс, к стоку -

минус источника напряжения, к затвору - минус источника.

Сопротивление между стоком и истоком очень велико, так как стоковый р-n-переход оказывается под обратным смещением. Подача на затвор отрицательного смещения сначала приводит к образованию под затвором обедненной области, а при некотором напряжении называемом пороговым, - к образованию инверсионной области, соединяющей p-области истока и стока проводящим каналом. При напряжениях на затворе выше канал становится шире, а сопротивление сток-исток - меньше. Рассматриваемая структура является, таким образом, управляемым резистором.

Слайд 18

КОНСТРУКЦИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРА
Две основные структуры МДП транзисторов показаны на рисунке. Первая из

них (рис.а) характерна наличием специально осуществленного (собственного или встроенного} канала, проводимость которого модулируется смещением на затворе. В случае канала р-типа положительный потенциал Us отталкивает дырки из канала (режим обеднения), а отрицательный - притягивает их (режим обогащения). Соответственно проводимость канала либо уменьшается, либо увеличивается по сравнению с ее значением при нулевом смещении.

Слайд 19

Вторая структура (рис. б) характерна отсутствием структурно выраженного канала. Поэтому при

нулевом смещении на затворе проводимость между истоком и стоком практически отсутствует: исток и сток образуют с подложкой встречновключенные р-п переходы. Тем более не может быть существенной проводимости между истоком и стоком при положительной полярности смещения, когда к поверхности полупроводника притягиваются дополнительные электроны. Однако при достаточно большом отрицательном смещении, когда приповерхностный слой сильно обогащается притянутыми дырками, между истоком и стоком образуется индуцированный (наведенный полем) канал, по которому может протекать ток. Значит, транзисторы с индуцированным каналом работают только в режиме обогащения. В настоящее время этот тип транзисторов имеет наибольшее распространение.

Слайд 20

ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ МДП ТРАНЗИСТОРОВ (РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЗАРЯДОВ ПРИ НУЛЕВЫХ НАПРЯЖЕНИЯХ НА ЭЛЕКТРОДАХ).
Принцип

работы МОП-транзистора инверсионного типа проиллюстрирован на рисунке. Для простоты полагается, что затвор отделен от полупроводника идеальным изолятором, а влияние поверхностных ловушек не учитывается. Распределение зарядов при нулевых напряжениях на электродах показано на рисунке а. Вблизи "+-областей, созданных диффузией для образования истока и стока, имеются области пространственного заряда, возникшие за счет внутренней разности потенциалов на n-р-переходах. Поскольку в p-области электроны практически отсутствуют, сопротивление исток-сток весьма велико и соответствует сопротивлению двух встречно включенных диодов npи нулевом смещении.

Слайд 21

Если к затвору приложено положительное напряжение (рис 6), вблизи поверхности происходит

инверсия типа проводимости, так что в этой области концентрация электронов становится достаточно высокой и сопротивление сток-исток резко уменьшается.

Слайд 22

При подаче положительного напряжения на сток (рис. в) электроны начинают двигаться

от истока к стоку по инверсионному слою. За счет падения напряжения вдоль канала нормальная составляющая поля затвора и соответственно концентрация электронов уменьшаются в направлении от истока к стоку. Толщина же обедненной области под инверсионным слоем в этом направлении увеличивается вследствие возрастания разности потенциалов между подложкой и каналом.

Слайд 23

Когда напряжение на стоке превысит определенную величину (рис.г), происходит перекрытие канала

вблизи стока, и ток через
прибор выходит на насыщение так же, как и в транзисторе с управляющим р-n переходом.

Слайд 24

УСЛОВНО-ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
Со встроенным каналом n-типа
Со встроенным каналом n-типа
С изолированным затвором

обогащенного типа с p- каналом (индуцированным)

С изолированным затвором обогащенного типа с n- каналом (индуцированным)

С изолированным затвором обедненного типа с p- каналом (встроенным)

С изолированным затвором обедненного типа с n-каналом (встроенным)

Слайд 25

СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет

собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов является общим для цепей входа и выхода. В зависимости от того, какой из электродов полевого транзистора подключен к общему выводу, различают схемы: с общим истоком и входом на затвор; с общим стоком и входом на затвор; с общим затвором и входом на исток. Схемы включения полевого транзистора показаны на рис. 6. По аналогии с ламповой электроникой, где за типовую принята схема с общим катодом, для полевых транзисторов типовой является схема с общим истоком.

Слайд 26

ВОЛЬТ - АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТ СО ВСТРОЕНЫМ КАНАЛОМ N- ТИПА: А

- СТОКОВЫЕ; Б - СТОКО - ЗАТВОРНЫЕ.

Слайд 27

УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
Усилителями постоянного тока (УПТ) называются устройства, предназначенные для усиления

медленно изменяющихся сигналов вплоть до нулевой частоты.
УПТ

Однотактные
прямого усиления

Усилители с
преобразованием

Дифференциальные
усилители

Слайд 28

ОДНОТАКТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ ПРЯМОГО УСИЛЕНИЯ
потенциал эмиттера устанавливается за счет
балластного сопротивления Ro

применения опорного диода D

Слайд 29

входной каскад УПТ
выходной каскад УПТ

Слайд 30

УСИЛИТЕЛИ С ПРЕОБРАЗОВАНИЕМ
М—модулятор. У—усилитель переменного тока, ДМ—демодулятор.
Rн
Rн
Uн
ДМ
У
М
U2
U1
Uвх

Слайд 31

временные диаграммы напряжений в основных точках схемы

Слайд 32

МОДУЛЯТОРЫ
компенсированный модулятор
простейший транзисторный
модулятор

Слайд 33

один из вариантов демодулятора — фазочувствительный выпрямитель

Слайд 34

ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
принципиальная схема простейшего варианта дифференциального усилителя

Слайд 35

СХЕМА ВКЛЮЧЕНИЯ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ
принципиальная схема включения ДУ с несимметричным входом и

симметричным выходом

Транзисторы

Содержание

Транзи́стор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять

По мощностиМаломощные транзисторы до 100мВтТранзисторы средней мощности от 0,1 до 1

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОРБиполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора,

ПРИНЦИП РАБОТЫВ активном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный

Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу.

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИКоллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше

Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно представляет

ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИВходные (а) и выходные (б) статические характеристики биполярногоТранзистора, включенного по

Выходные (а) и входные (б) статические характеристики биполярного транзистора , включенного

РЕЖИМЫ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Нормальный активный режимПереход эмиттер-база включен в прямом направлении

СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Схема включения с общим эмиттеромЭта схема дает наибольшее

Схема включения с общей базойЭта схема не дает значительного усиления сигнала,

Схема включения с общим коллекторомОсобенность этой схемы в том, что входное

УСТРОЙСТВО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого

СХЕМА ВКЛЮЧЕНИЯ ПТ В ЦЕПЬК истоку подсоединяют плюс, к стоку -

КОНСТРУКЦИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРАДве основные структуры МДП транзисторов показаны на рисунке. Первая из