Б) В неоднородных полупроводниках (Карбид кремния – SiC, Кремний-германий — SiGe, Индий-Галлий
фосфид InGaP и другие) наряду с изменением проводимости наблюдается также образование разности потенциалов (фото – э.д.с.). Это явление фотогальванический эффект обусловлено тем, что в силу однородностей проводимости полупроводников происходит пространственное разделение внутри объема проводника оптически возбужденных электронов, несущих отрицательный заряд и дырок, возникающих в непосредственной близости от атомов, от которых оторвались электроны, и подобно частицам несущих положительный элементарный заряд.