Содержание
- 2. Энергетические зоны в кристалле Взаимодействие между атомами в кристалле приводит к тому, что энергетические уровни атомов
- 5. Каждая разрешенная зона «вмещает» в себя столько близлежащих дискретных уровней, сколько атомов содержит кристалл Расстояние между
- 6. Разрешенные энергетические зоны разделены зонами запрещенных значений энергии - запрещенными энергетическими зонами. Разрешенная зона, возникшая из
- 7. Энергетическая зона , образованная из энергетических уровней внешних , «коллективизированных» электронов, - зона проводимости Зона проводимости
- 8. Зонная теория объясняет различие электрических свойств металлов, диэлектриков и полупроводников на основе: Неодинакового заполнения электронами разрешенных
- 10. Полупроводники Полупроводниками являются твердые тела, которые при T=0 характеризуются полностью занятой электронами валентной зоной, отделенной от
- 11. Полупроводники: элементы IV, V и VI групп Периодической системы элементов Менделеева ( Si, Ge, As, Se,
- 12. Качественное отличие полупроводников от металлов проявляется прежде всего в зависимости удельного сопротивления от температуры. С понижением
- 13. Электропроводность собственных полупроводников увеличивается с ростом температуры по закону
- 14. Различают собственные и примесные полупроводники. Собственными полупроводниками являются химически чистые полупроводники, а их проводимость называется собственной
- 17. При нагревании или облучении полупроводника электронам верхних уровней валентной зоны сообщается дополнительная энергия – энергия активации
- 18. Движение электронов проводимости и дырок в отсутствие электрического поля является хаотическим Под действием электрического поля электроны
- 19. Примесная проводимость Проводимость полупроводников, обусловленная примесями, называется примесной проводимостью, а полупроводники — примесными полупроводниками. Примесная проводимость
- 20. при введении в кремний примерно 0,001 ат.% бора его проводимость увеличивается примерно в 106 раз.
- 21. Электронная примесная проводимость
- 23. Введение примеси искажает поле решетки, что приводит к возникновению в запрещенной зоне энергетического уровня D валентных
- 24. в полупроводниках с примесью, валентность которой на единицу больше валентности основных атомов, носителями тока являются электроны;
- 25. Примеси, являющиеся источником электронов, называются донорами, а энергетические уровни этих примесей — донорными уровнями.
- 26. Дырочная примесная проводимость
- 27. Ввведение трехвалентной примеси в решетку кремния приводит к возникновению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня А,
- 30. В полупроводниках с примесью, валентность которой на единицу меньше валентности основных атомов, носителями тока являются дырки
- 31. Примеси, захватывающие электроны из валентной зоны полупроводника, называются акцепторами, а энергетические уровни этих примесей — акцепторными
- 32. В отличие от собственной проводимости, осуществляющейся одновременно электронами и дырками примесная проводимость полупроводников обусловлена в основном
- 34. p-n-переход Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой — дырочную проводимость, называется
- 35. Электроны из n-полупроводника, где их концентрация выше, будут диффундировать в р-полупроводник, где их концентрация ниже, дырки
- 36. В n-полупроводнике из-за ухода электронов вблизи границы остается нескомпенсированный положительный объемный заряд неподвижных ионизованных донорных атомов
- 37. Эти объемные заряды образуют у границы двойной электрический слой
- 38. Если приложенное к p-n-переходу внешнее электрическое поле совпадает с направлением поля контактного слоя, то запирающий слой
- 39. Направление внешнего поля, расширяющего запирающий слой, называется запирающим В этом направлении электрический ток через p-n-переход практически
- 40. Если приложенное к p-n-переходу внешнее электрическое поле направлено противоположно полю контактного слоя , то оно вызывает
- 41. В этом направлении электрический ток проходит сквозь p-n-переход в направлении от p-полупроводника к n-полупроводнику;
- 43. Лазер
- 44. Спонтанное излучение - излучение, испускаемое при самопроизвольном переходе атома из одного состояния в другое. Спонтанное излучение
- 45. Индуцированное излучение
- 46. Индуцированное (вынужденное) излучение - излучение возбужденных атомов под действием падающего на них света. При индуцированном излучении,
- 47. Принцип действия лазера. В 1940 г. советский физик В. А. Фабрикант указал на возможность использования явления
- 48. Лазер - источник излучения, усиливаемого в результате индуцированного излучения. Усиление излучения, падающего на среду, возникает тогда,
- 49. Инверсная населенность энергетических уровней - неравновесное состояние среды, при котором концентрация атомов в возбужденном состоянии больше,
- 50. Принцип действия рубинового лазера Рубин представляет собой кристалл оксида алюминия Аl203, в котором часть атомов алюминия
- 51. Через 10-8 с ионы, передавая часть энергии кристаллической решетке, переходят на метастабильный энергетический уровень Е2 Малая
- 53. Основные элементы лазера оптический резонатор, состоящий из полностью отражающего зеркала (1) и частично пропускающего (около 50%)
- 57. Индуцированное излучение, распространяющееся вдоль оси цилиндрического кристалла рубина, многократно отражается от его торцов и быстро усиливается.
- 59. Скачать презентацию