Содержание
- 2. Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов.
- 3. Представляет собой монокристалл полупроводника, в котором созданы три области с чередующимися типами электропроводности. На границах этих
- 4. Среднюю область транзистора, расположенную между электронно-дырочными переходами, называют базой (Б).
- 5. Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей заряда в базу, называют эмиттером (Э), а p–n-переход
- 6. Область транзистора, основным назначением которой является собирание, экстракция носителей заряда из базы, называют коллектором (К), а
- 7. В зависимости от типа электропроводности крайних слоев (эмиттера и коллектора) различают транзисторы p–n–p и n–p–n типа.
- 10. Физические процессы в биполярном транзисторе
- 11. ЭДС E1 подключается так, чтобы эмиттерный переход был смещен в прямом направлении, а ЭДС E2 должна
- 12. Не все носители, инжектированные из эмиттера в базу, достигают коллекторного перехода; часть из них рекомбинирует в
- 13. Для увеличения коэффициента передачи по току область базы делают тонкой (чтобы меньшее количество носителей рекомбинировало в
- 14. Схемы включения транзистора
- 17. Статические характеристики для схемы с общим эмиттером 1. Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимость
- 18. При Uкэ = 0 эта характеристика представляет собой прямую ветвь вольт-амперной характеристики эмиттерного перехода. При этом
- 19. 2. Выходные статические характеристики представляют собой зависимости
- 20. При Iб = 0 эта характеристика представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики коллекторного перехода. При Iб
- 21. При больших значениях Uкэ характеристики идут значительно положе, так как практически все носители, инжектированные из эмиттера
- 22. Кроме того, по этой же причине несколько снижается базовый ток Iб , а поскольку характеристики снимаются
- 23. Биполярные транзисторы характеризуются h-параметрами. Входное сопротивление транзистора Коэффициент передачи по напряжению
- 24. Коэффициент усиления по току Выходная проводимость транзистора Численные значения h-параметров обычно составляют: h11 =103–104 Ом; h12
- 25. Режимы работы транзистора Рассмотрим каскад усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером.
- 26. При изменении величины входного сигнала будет изменяться ток базы Iб. Ток коллектора Iк изменяется пропорционально току
- 27. Изменение тока коллектора можно проследить по выходным характеристикам транзистора.
- 28. Линия нагрузки описывается уравнением: Наклон линии нагрузки определяется сопротивлением Rк .
- 29. В зависимости от тока базы Iб , протекающего во входной цепи транзистора, рабочая точка транзистора, определяющая
- 30. Зона отсечки характеризуется тем, что оба перехода транзистора –эмиттерный и коллекторный смещены в обратном направлении. Зоной
- 31. Динамические характеристики транзистора В большинстве случаев транзистор усиливает сигналы переменного тока, т. е. на вход транзистора
- 32. Смещение усиливаемого сигнала
- 33. Источник напряжения смещения создает во входной цепи транзистора постоянный по величине ток смещения I см .
- 34. Это можно сделать при помощи делителя напряжения R1 и R2 . Ток Iд , протекающий по
- 36. Характеристики транзистора, когда в его выходную цепь включают различные виды нагрузок, называют динамическими, а режимы, возникающие
- 38. Скачать презентацию