Электрические переходы

Гетеропереход

электрический переход, возникающий при контакте полупроводников с различной шириной запрещенной зоны

Диод Шоттки

полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл — полупроводник

Достоинства перехода Шоттки

применение диодов Шоттки позволяет снизить падение напряжения до

Недостатки перехода Шоттки

при кратковременном превышении максимального обратного напряжения диод Шоттки

Использование

Свойство барьера Шоттки используется в интегральных микросхемах (рис.1).
Выпрямители на диодах Шоттки

2. по типу электропроводности контактирующих материалов

P-i (n-i) переход между примесным и

3. по соотношению концентрации примесей в контактирующих областях

симметричный - концентрация примеси

несимметричный - концентрация примеси (ОН) в областях n-типа p-типа НЕ равны

односторонние

Понятие базы и эмиттера

Эмиттер-область с максимальной концентрацией ОН
База –область с

односторонние переходы (р++-п, р-п++, p-i, n-i-типа и переходы металл -полупроводник )
с

плавные
концентрация примеси является некоторой функцией расстояния
резкие (ступенчатые)
концентрация примеси

4. по форме переходов

точечные образованы при малых площадях контактирующих поверхностей по

Использование и свойства

Точечные диоды имеют малую емкость p-n перехода и поэтому

5. по технологии производства  

сплавные образованы вплавлением металла или сплава, содержащего

сплавной  

диффузионные образованы введением донорных и акцепторных примесей в нагретую пластину собственного

Планарная технология

совокупность технологических операций создания кремниевых полупроводниковых приборов и ИМС методами

создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего структуру подложки. Полупроводниковые эпитаксиальные

ионолегированные переходы

полученные путем бомбардировки в вакууме нагретой полупроводниковой пластины собственного полупроводника