Inżynieria materiałowa i konstrukcja urządzeń

Содержание

Слайд 2

* ORGANIZACJA ZAJĘĆ WYKŁAD (II semestr) – 15 godzin I połowa

*

ORGANIZACJA ZAJĘĆ

WYKŁAD (II semestr) – 15 godzin
I połowa semestru– 2

godziny/tydzień
LABORATORIUM (II semestr) – 15 godzin
II połowa semestru – 2 godziny/tydzień
ZASADY ZALICZENIA - WSPÓLNA OCENA:
Skala 0-100 pkt:
0-60 pkt. – wykład – jeden/dwa sprawdziany pisemne (każdy musi zostać zaliczony)
0-40 pkt. – laboratorium – zaliczenie laboratorium
Konieczność uzyskania połowy punktów z każdej części!
-------------------------------------------------------------------------------
PROJEKT (III semestr) – 15 godzin
Слайд 3

* LITERATURA Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa

*

LITERATURA

Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1998 (2005)
Karol

Radecki i wsp., „Materiały i elementy elektroniczne bierne”, Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1991
Marek Blicharski, „Wstęp do inżynierii materiałowej”, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa 1998
Henryk Rawa, „Podstawy elektromagnetyzmu”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1996
S.O. Kasap, „Principles of Electronic Materials and Devices”, McGraw-Hill International Edition 2006
Franciszek Kostrubiec, „Podstawy fizyczne materiałoznawstwa dla elektryków”, Politechnika Łódzka 1999
Слайд 4

*

*

Слайд 5

* TEMATYKA ZAJĘĆ Jak działają układy (urządzenia) elektroniczne ? Jak projektować

*

TEMATYKA ZAJĘĆ

Jak działają układy (urządzenia) elektroniczne ?
Jak projektować urządzenia/układy?
Z

czego budować? (materiały)
W jaki sposób budować? (technologia montażu)
DZIAŁY MATERIAŁOZNAWSTWA:
Nauka o materiałach
Technologia materiałów
Zastosowania materiałow
Слайд 6

* TEMATYKA ZAJĘĆ Podstawy budowy materii struktura atomu i wiązania chemiczne

*

TEMATYKA ZAJĘĆ

Podstawy budowy materii
struktura atomu i wiązania chemiczne
struktura krystaliczna
Materiały i elementy

magnetyczne
oddziaływanie materiałów z polem magnetycznym
cewki indukcyjne i transformatory
magnesy
inne zastosowania magnetyków
Materiały i elementy dielektryczne
właściwości fizyczne i polaryzacja dielektryków
kondensatory
materiały konstrukcyjne
inne zastosowania dielektryków
Materiały i elementy rezystywne
rezystory liniowe
rezystory nieliniowe
Слайд 7

* PODSTAWY BUDOWY MATERII Kryterium podstawowe - oddziaływanie materiału z falą elektromagnetyczną Hz

*

PODSTAWY BUDOWY MATERII

Kryterium podstawowe - oddziaływanie materiału z falą elektromagnetyczną

Hz

Слайд 8

* FALE ELEKTROMAGNETYCZNE A- fale radiowe bardzo długie B - fale

*

FALE ELEKTROMAGNETYCZNE

A- fale radiowe bardzo długie B - fale radiowe
C -

mikrofale D - podczerwień
E – pasmo widzialne F - ultrafiolet
G – promieniowanie rentgenowskie (pasmo X) H – promieniowanie gamma
I - pasmo widzialne
Слайд 9

* PASMO RADIOWE

*

PASMO RADIOWE

Слайд 10

* POSTAĆ MATERIAŁÓW ELEKRTONICZNYCH MATERIAŁY ELEKRTONICZNE GAZY CIECZE CIAŁA STAŁE KRYSZTAŁY

*

POSTAĆ MATERIAŁÓW ELEKRTONICZNYCH

MATERIAŁY ELEKRTONICZNE

GAZY

CIECZE

CIAŁA STAŁE

KRYSZTAŁY

CIEKŁE
KRYSZTAŁY

CIAŁA
AMORFICZNE

MONOKRYSZTAŁY

POLIKRYSZTAŁY

PLAZMA

Слайд 11

*

*

Слайд 12

* PODSTAWY BUDOWY MATERII Pojęcie struktury materiału obejmuje: Charakterystykę uporządkowania atmowego

*

PODSTAWY BUDOWY MATERII

Pojęcie struktury materiału obejmuje:
Charakterystykę uporządkowania atmowego
Opis wielkości, kształtu i

jednorodności, ewentualnie uprzywilejowanej orientacji ziaren w układach polikrystalicznych
Rodzaj, liczbę i rozmieszczenie faz w układach wieloskładnikowych
Opis makrostruktury – niejednorodności i defektów odnoszących się do większych obszarów materiału
Charakterystykę naprężeń własnych
Слайд 13

* BUDOWA ATOMU

*

BUDOWA ATOMU

Слайд 14

* BUDOWA ATOMU Główna liczba kwantowa n określa numer porządkowy powłoki

*

BUDOWA ATOMU

Główna liczba kwantowa n
określa numer porządkowy powłoki elektronowej i rozmiary

orbity; przybiera wartości kolejnych liczb naturalnych: 1 (powłoka K), 2 (L), 3 (M), 4 (N), 5 (O), 6 (P), 7 (Q)…
Orbitalna liczba kwantowa l
określa możliwość istnienia w poszczególnych powłokach warstw orbit o jednakowych kształtach – podpowłok; określa kształt orbity; może przybierać skończoną ilość wartości (maksymalnie n)
Слайд 15

* ORBITALNA LICZBA KWANTOWA Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1998 (2005)

*

ORBITALNA LICZBA KWANTOWA

Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa

1998 (2005)
Слайд 16

* BUDOWA ATOMU Główna liczba kwantowa n określa numer porządkowy powłoki

*

BUDOWA ATOMU

Główna liczba kwantowa n
określa numer porządkowy powłoki elektronowej i rozmiary

orbity; przybiera wartości kolejnych liczb naturalnych: 1 (powłoka K), 2 (L), 3 (M), 4 (N), 5 (O), 6 (P), 7 (Q)…
Orbitalna liczba kwantowa l
określa możliwość istnienia w poszczególnych powłokach warstw orbit o jednakowych kształtach – podpowłok; określa kształt orbity; może przybierać skończoną ilość wartości (maksymalnie n)
Magnetyczna liczba kwantowa m
określa orientację przestrzenną orbity; może przybierać 2l+1 całkowitych wartości, zawartych między –l i +l
Слайд 17

* MAGNETYCZNA LICZBA KWANTOWA Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1998 (2005)

*

MAGNETYCZNA LICZBA KWANTOWA

Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa

1998 (2005)
Слайд 18

* BUDOWA ATOMU Główna liczba kwantowa n określa numer porządkowy powłoki

*

BUDOWA ATOMU

Główna liczba kwantowa n
określa numer porządkowy powłoki elektronowej i rozmiary

orbity; przybiera wartości kolejnych liczb naturalnych: 1 (powłoka K), 2 (L), 3 (M), 4 (N), 5 (O), 6 (P), 7 (Q)…
Orbitalna liczba kwantowa l
określa możliwość istnienia w poszczególnych powłokach warstw orbit o jednakowych kształtach – podpowłok; określa kształt orbity; może przybierać skończoną ilość wartości (maksymalnie n)
Magnetyczna liczba kwantowa m
określa orientację przestrzenną orbity; może przybierać 2l+1 całkowitych wartości, zawartych między –l i +l
Spinowa liczba kwantowa s
może przyjmować tylko dwie wartości: +1/2 i -1/2; opisuje dwa możliwe kierunki wirowania elektronu wokół własnej osi
Слайд 19

* Table 1.1 Maximum possible number of electrons in the shells

*

Table 1.1
Maximum possible number of electrons in the shells and subshells

of an atom.
----------------------------------------------------------------------------------------------------
Subshell
l = 0 1 2 3
s p d f
n Shell
----------------------------------------------------------------------------------------------------
1 K 2
2 L 2 6
3 M 2 6 10
4 N 2 6 10 14
----------------------------------------------------------------------------------------------------
From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S.O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
http://Materials.Usask.Ca

BUDOWA ATOMU

Слайд 20

* BUDOWA ATOMU Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1998 (2005)

*

BUDOWA ATOMU

Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa

1998 (2005)
Слайд 21

* BUDOWA ATOMU

*

BUDOWA ATOMU

Слайд 22

* BUDOWA ATOMU

*

BUDOWA ATOMU

Слайд 23

* BUDOWA ATOMU

*

BUDOWA ATOMU

Слайд 24

* BUDOWA ATOMU Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1998 (2005)

*

BUDOWA ATOMU

Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa

1998 (2005)
Слайд 25

* BUDOWA ATOMU Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1998 (2005)

*

BUDOWA ATOMU

Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa

1998 (2005)
Слайд 26

* WIĄZANIA MIĘDZY ATOMAMI Wiązania metaliczne metale Wiązania kowalencyjne półprzewodniki, polimery,

*

WIĄZANIA MIĘDZY ATOMAMI

Wiązania metaliczne
metale
Wiązania kowalencyjne
półprzewodniki, polimery, ceramiki i szkła
Wiązania jonowe
sole, ceramiki

i szkła
Wiązania międzycząsteczkowe (van der Waalsa)
polimery
Слайд 27

* WIĄZANIA MIĘDZY ATOMAMI Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1998 (2005)

*

WIĄZANIA MIĘDZY ATOMAMI

Zdzisław Celiński, „Materiałoznawstwo elektrotechniczne”, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa

1998 (2005)
Слайд 28

* WIĄZANIA KOWALENCYJNE

*

WIĄZANIA KOWALENCYJNE

Слайд 29

* WIĄZANIA KOWALENCYJNE

*

WIĄZANIA KOWALENCYJNE

Слайд 30

* WIĄZANIA METALICZNE

*

WIĄZANIA METALICZNE

Слайд 31

* WIĄZANIA JONOWE

*

WIĄZANIA JONOWE

Слайд 32

* WIĄZANIA JONOWE

*

WIĄZANIA JONOWE

Слайд 33

* WIĄZANIA VAN DER WAALS’A

*

WIĄZANIA VAN DER WAALS’A

Слайд 34

* WIĄZANIA VAN DER WAALS’A

*

WIĄZANIA VAN DER WAALS’A

Слайд 35

* WIĄZANIA VAN DER WAALS’A

*

WIĄZANIA VAN DER WAALS’A

Слайд 36

*

*

Слайд 37

* WIĄZANIA POMIĘDZY ATOMAMI

*

WIĄZANIA POMIĘDZY ATOMAMI

Слайд 38

* STRUKTURA KRYSTALICZNA Monokryształy – pojedyńcze duże kryształy. Polikryształy – ciała

*

STRUKTURA KRYSTALICZNA

Monokryształy – pojedyńcze duże kryształy.
Polikryształy – ciała składające się z

wielu zrośniętych kryształów makroskopijnej lub mikroskopijnej wielkości – krystalitów.
Ciała amorficzne (bezpostaciowe) – istnieje uporządkowanie jedynie bliskiego zasięgu – na przestrzeni kilku odległości międzyatomowych występują wyraźnie odchylenia od regularnej struktury przestrzennej; uzyskiwane (szkła) poprzez przechłodzenie cieczy poniżej temperatury topnienia; izotropowe.
Nanokryształy
Слайд 39

* STRUKTURA KRYSTALICZNA

*

STRUKTURA KRYSTALICZNA

Слайд 40

* STRUKTURA KRYSTALICZNA

*

STRUKTURA KRYSTALICZNA

Слайд 41

* STRUKTURA KRYSTALICZNA

*

STRUKTURA KRYSTALICZNA

Слайд 42

* STRUKTURA KRYSTALICZNA

*

STRUKTURA KRYSTALICZNA

Слайд 43

* STRUKTURA KRYSTALICZNA PROCESY ZESTALANIA CIECZY: 1. ZESTALANIE POPRZEZ KRYSTALIZACJĘ 2.

*

STRUKTURA KRYSTALICZNA

PROCESY ZESTALANIA CIECZY:
1. ZESTALANIE POPRZEZ KRYSTALIZACJĘ

2. ZESTALANIE POPRZEZ SZYBKI WZROST

LEPKOŚCI CIECZY
Слайд 44

* IZOTROPIA i ANIZOTROPIA Anizotropia (an- 'nie'; gr. isos 'równy, jednakowy';

*

IZOTROPIA i ANIZOTROPIA

Anizotropia (an- 'nie'; gr. isos 'równy, jednakowy'; gr. trópos

'zwrot, obrót') – zależność od kierunku. Wykazywanie odmiennych właściwości (np. rozszerzalność termiczna, przewodnictwo elektryczne, współczynnik załamania światła, szybkość wzrostu i rozpuszczania kryształu) w zależności od kierunku.
Przeciwieństwem anizotropii jest izotropowość.
Kryształ jest anizotropowy ze względu na rozpatrywaną własność.
Wielkości niezależne od kierunku: masa, objętość -> gęstość
Od kierunku pomiaru mogą zależeć:
przewodność elektryczna,
przewodnictwo cieplne,
polaryzacja dielektryka pod wpływem pola elektrycznego (podatność dielektryczna),
zmiana indukcji magnetycznej w para- i diamagnetykach pod wpływem pola magnetycznego (przenikalność para- i diamagnetyczna),
polaryzacja kryształu wywołana przez naprężenia mechaniczne (piezoelektryczność),
odkształcenie spowodowane działaniem naprężenia mechanicznego (sprężystość),
dwójłomność pod wpływem pola elektrycznego (zjawisko elektrooptyczne) lub naprężenia (zjawisko elastooptyczne).
Слайд 45

* IZOTROPIA i ANIZOTROPIA Materiał izotropowy: j1 = σE1, j2 =

*

IZOTROPIA i ANIZOTROPIA

Materiał izotropowy:
j1 = σE1, j2 = σE2, j3 =

σE3
Kryształ anizotropowy:
j1 = σ11E1+ σ12E2+ σ13E3
j2 = σ21E1+ σ22E2+ σ23E3
j3 = σ31E1+ σ32E2+ σ33E3
Слайд 46

* STRUKTURA KRYSTALICZNA SIEĆ + BAZA = STRUKTURA KRYSTALICZNA sieć –

*

STRUKTURA KRYSTALICZNA

SIEĆ + BAZA = STRUKTURA KRYSTALICZNA
sieć – regionalny i periodycznyczny

układ punktów w przestrzeni
baza – powtarzana grupa atomów
Слайд 47

* SIECI KRYSTALICZNE Sieciowa elementarna komórka ukośnokątna Karol Radecki i wsp.,

*

SIECI KRYSTALICZNE

Sieciowa elementarna komórka ukośnokątna

Karol Radecki i wsp., „Materiały i elementy

elektroniczne bierne”, Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1991
Слайд 48

* OPIS STRUKTURY KRYSTALICZNEJ Parametry komórki elementarnej; Liczba koordynacyjna – ilość

*

OPIS STRUKTURY KRYSTALICZNEJ

Parametry komórki elementarnej;
Liczba koordynacyjna – ilość sąsiadów dla każdego

atomu w sieci;
Odległość pomiędzy dwoma najbliższymi atomami w krysztale – zawiera się w zakresie od 0,1 nm (1 Å ) dla kryształów prostych do ok. 2 nm dla kryształów złożonych;
Liczba atomów tworzących komórkę elementarną;
Współczynnik upakowania – stosunek objętości zajmowanej przez atomy (modelowane jako kulki) do całkowitej objętości kryształu.
Слайд 49

* SIECI KRYSTALICZNE Sieci przestrzenne Bravais’go Karol Radecki i wsp., „Materiały

*

SIECI KRYSTALICZNE

Sieci przestrzenne
Bravais’go

Karol Radecki i wsp., „Materiały i elementy elektroniczne bierne”,

Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1991
Слайд 50

*

*

Слайд 51

* WSKAŹNIKI MILLERA Wskaźniki węzłów x = m a, y =

*

WSKAŹNIKI MILLERA

Wskaźniki węzłów
x = m a, y = n b, z

= p c
[[m n p]]
wewnątrz komórki – wartości ułamkowe
Wskaźniki kierunków

prosta przechodząca przez początek układu współrzędnych i węzeł (najbliższy) [[m n p]]
[m n p]

Слайд 52

* WSKAŹNIKI MILLERA Płaszczyzna (2 3 3) Przecina osie w 3a,2b,2c

*

WSKAŹNIKI MILLERA

Płaszczyzna (2 3 3)
Przecina osie w 3a,2b,2c
Odwrotności 1/3, ½, ½


Wsp. mianownik:
2/6, 3/6, 3/6
Najmniejsze trzy liczby
całkowite
2 3 3

Слайд 53

* SIECI KRYSTALICZNE

*

SIECI KRYSTALICZNE

Слайд 54

* SIECI KRYSTALICZNE

*

SIECI KRYSTALICZNE

Слайд 55

* ALOTROPIA

*

ALOTROPIA

Слайд 56

* Z: Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S.O.

*

Z: Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S.O. Kasap(©

McGraw-Hill, 2002), http://Materials.Usask.Ca

ALLOTROPIA

(ρ - gęstość, Y – moduł sprężystości Younga )

Слайд 57

* DEFEKTY SIECI KRYSTALICZNYCH Defekty powierzchniowe powierzchnie zewnętrzne, powierzchnie wewnętrzne, granice

*

DEFEKTY SIECI KRYSTALICZNYCH

Defekty powierzchniowe
powierzchnie zewnętrzne, powierzchnie wewnętrzne, granice ziaren,

itp.
Defekty liniowe
dyslokacje
Defekty punktowe
luki, atomy międzywęzłowe, atomy domieszkowe, atomy substytucyjne, atomy zanieczyszczeń
Drgania cieplne atomów
Слайд 58

* DEFEKTY POWIERZCHNIOWE

*

DEFEKTY POWIERZCHNIOWE

Слайд 59

* DEFEKTY POWIERZCHNIOWE

*

DEFEKTY POWIERZCHNIOWE

Слайд 60

* DEFEKTY POWIERZCHNIOWE „nieobsadzone” wiązanie granica ziarna obcy atom „naprężone” wiązanie niezwiązany atom wolna przestrzeń

*

DEFEKTY POWIERZCHNIOWE

„nieobsadzone” wiązanie

granica ziarna

obcy atom

„naprężone” wiązanie

niezwiązany atom

wolna przestrzeń

Слайд 61

* DEFEKTY LINIOWE Model dyslokacji krawędziowej Model dyslokacji śrubowej Karol Radecki

*

DEFEKTY LINIOWE

Model dyslokacji krawędziowej

Model dyslokacji śrubowej

Karol Radecki i wsp., „Materiały

i elementy elektroniczne bierne”, Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1991
Слайд 62

* DEFEKTY PUNKTOWE

*

DEFEKTY PUNKTOWE

Слайд 63

* DEFEKTY PUNKTOWE A B C A – defekt Schottky’ego, B

*

DEFEKTY PUNKTOWE

A

B

C

A – defekt Schottky’ego, B – defekt Frenkla, C -

podstawienie
Слайд 64

* WYTWARZANIE

*

WYTWARZANIE

Слайд 65

* WYTWARZANIE

*

WYTWARZANIE

Слайд 66

* WYTWARZANIE

*

WYTWARZANIE