Лекции по ФОЭ. Транзисторы. (Часть 3)

Слайд 2

Лекции по ФОЭ. Слайд №19

Лекции по ФОЭ. Слайд №19

Слайд 3

Лекции по ФОЭ. Слайд №20

Лекции по ФОЭ. Слайд №20

Слайд 4

Лекции по ФОЭ. Слайд №16 Диффузионная ёмкость p-n – перехода образуется

Лекции по ФОЭ. Слайд №16

Диффузионная ёмкость p-n – перехода образуется при

подключении внешнего источника в прямом направлении (U>0).
Инжекция носителей заряда при этом из одной области кристалла в другую приводит к возникновению около запирающего слоя зарядов противоположной полярности

где ΔQинж – изменение величины инжектированного заряда из одной области в другую;
Δ U – изменение величины приложенного к p-n переходу напряжения.

Другие типы p-n – переходов . Контакт «металл-полупроводник» (отсутствует диффузионная ёмкость) – переход Шоттки

Полупроводниковый диод – прибор, содержащий один электронно-дырочный переход, либо контакт «металл-полупроводник», обладающий вентильными свойствами.