Содержание
- 2. Обзор Оперативная память Принцип работы Основные характеристики микросхем памяти 3.1. Емкость и разрядность 3.2. Быстродействие памяти
- 3. Оперативная память Оперативная память (RAM, ОЗУ) — временная память, т. е. данные хранятся в ней только
- 4. Оперативная память Рис. 1. Классификация элементов памяти Недостаток оперативной памяти состоит в том, что она временная,
- 5. Оперативная память Чтобы пояснить этот процесс, представим элемент памяти как ведро с водой, которое может быть
- 6. Оперативная память – принцип работы Рис. 2. Структурная схема динамической памяти. Ячейки памяти организованы в матрицу,
- 7. Оперативная память – принцип работы Когда CPU обращается к памяти для чтения информации, на входы микросхемы
- 8. Основными характеристиками элементов (микросхем) памяти являются: тип; емкость; разрядность; быстродействие; временная диаграмма. Основные характеристики микросхем памяти.
- 9. На рис. 2 представлена структура микросхемы памяти, имеющая одну линию ввода/вывода. Из такой микросхемы CPU может
- 10. Производительность микросхемы динамической памяти характеризуется временем выполнения элементарных действий между двумя операциями чтения либо записи данных.
- 11. Быстродействие памяти
- 12. Банки и каналы памяти Быстродействие микросхем (модулей) памяти (точнее, запоминающих ячеек) всегда отставало от скорости работы
- 13. Тайминг памяти Для того чтобы прочитать или записать данные в микросхеме динамической памяти, которые используются в
- 14. Тайминг памяти Таблица 2. Расшифровка временных задержек (тайминг 2-3-2-6-1) Часто в документации на модули памяти указывается
- 15. Разгон памяти - overclocking Когда мы смотрим на характеристики процессоров и видеокарт, то теперь везде фигурируют
- 16. Если обратить внимание на маркировку модулей памяти, то можно увидеть, что в настоящее время предлагаются модули
- 17. Буква "D" в аббревиатуре "DRAM" означает "динамическая" (Dynamic), т. е. для сохранения данных, записанных в микросхеме
- 18. FPM DRAM Память типа DRAM, реализующая быстрый страничный режим, называется FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM).
- 19. В микросхемах FPM DRAM сигнал CAS используется не только для адресации столбца, но и для указания
- 20. Память этого типа появилась в последних моделях РС с CPU 80486 и получила широкое распространение. Время
- 21. EDO DRAM В компьютерах на базе CPU Pentium применяется память типа EDO DRAM (Extended Data Output).
- 22. SDRAM До 1997 г. производились только асинхронные микросхемы DRAM, т. е. такие, работа которых не была
- 23. SDRAM В 1997 г. для синхронизации работы памяти и системной шины использовалась микросхема синхронной динамической памяти
- 24. SDRAM Рис. 7. Структурная схема SDRAM
- 25. SDRAM За счет исключения циклов ожидания сократилось время выполнения команд и передачи данных. Современные микросхемы SDRAM
- 26. DDR SDRAM Следующим этапом в развитии памяти SDRAM явилась память DDR SDRAM. В отличие от "обычной"
- 27. Рис. 8. Временные диаграммы выполнения команд чтения DDR SDRAM DDR SDRAM
- 28. DDR SDRAM Архитектурно микросхема состоит из четырех независимых банков (рис. 9). При тактовой частоте 100, 133,
- 29. DDR 2 и 3 SDRAM Основная особенность технологии DDR SDRAM это возможность передавать данные по обоим
- 30. DDR 2 и 3 SDRAM Рис. 10. Частотные принципы работы микросхем памяти SDRAM
- 31. DDR 2 и 3 SDRAM Рис 11. Блок-схема микросхемы памяти DDR2 объемом 512Мбайт (компания Micron)
- 32. DDR 2 и 3 SDRAM Рис 12. Блок-схема микросхемы памяти DDR3 объемом 1 Гбайт (компания Micron)
- 33. В табл. приведены характеристики микросхем памяти трех поколений DDR SDRAM. На рис. 11 приведена блок-схема микросхемы
- 34. DDR 2 и 3 SDRAM В настоящее время используются модули памяти трех поколений, т. к. DDR
- 36. Скачать презентацию
Обзор
Оперативная память
Принцип работы
Основные характеристики микросхем памяти
3.1. Емкость и разрядность
3.2. Быстродействие памяти
3.3.
Обзор
Оперативная память
Принцип работы
Основные характеристики микросхем памяти
3.1. Емкость и разрядность
3.2. Быстродействие памяти
3.3.
3.4. Тайминг памяти
3.5. Разгон памяти
DRAM
FPM DRAM
EDO DRAM
SDRAM
DDR SDRAM
DDR3 иDDR3 SDRAM
Rambus DRAM
Оперативная память
Оперативная память (RAM, ОЗУ) — временная память, т. е.
Оперативная память
Оперативная память (RAM, ОЗУ) — временная память, т. е.
Чтобы CPU мог выполнять программы, они должны быть загружены в оперативную рабочую память, т. е. в память, доступную для программ пользователя. К данным, находящимся в оперативной памяти (Random Access Memory, RAM — память с произвольным доступом), CPU имеет непосредственный доступ, а к периферийной, или внешней памяти (гибким и жестким дискам) — через буфер, являющийся также разновидностью оперативной памяти, недоступной пользователю. Только после того как программа будет загружена в RAM с внешнего носителя данных, возможна дальнейшая ее работа.
Время доступа к данным, находящимся в RAM, чрезвычайно мало. Для сравнения можно привести простой пример. Пусть время доступа к памяти составляет порядка 200 нс, в то время как время доступа к данным на жестком диске составляет 12 000 000 нс. Если предположить, что 1 нс равна 1 с, то время обращения к памяти составит 3,3 мин, а время обращения к жесткому диску — 4,5 месяца.
Оперативная память
Рис. 1. Классификация элементов памяти
Недостаток оперативной памяти состоит
Оперативная память
Рис. 1. Классификация элементов памяти
Недостаток оперативной памяти состоит
Запоминающим элементом динамической памяти является полупроводниковый конденсатор. Если конденсатор заряжен, то в ячейку записана логическая 1, если разряжен — логический 0. В идеальном конденсаторе заряд может сохраняться неограниченное время. В реальном конденсаторе существует ток утечки, поэтому информация, записанная в динамическую память, со временем будет утрачена, т. к. конденсаторы запоминающих элементов полностью разрядятся.
Оперативная память
Чтобы пояснить этот процесс, представим элемент памяти как
Оперативная память
Чтобы пояснить этот процесс, представим элемент памяти как
Единственным способом регенерации хранимой в памяти информации является выполнение операции чтения/записи данных. Если информация заносится в динамическую память, а затем в течение нескольких миллисекунд остается невостребованной, она будет утрачена, т. к. конденсаторы запоминающих элементов полностью разрядятся.
Регенерация памяти происходит при выполнении каждой операции чтения или записи. Однако нет гарантии, что при выполнении любой программы произойдет обращение ко всем ячейкам памяти, поэтому имеется специальная схема, которая через определенные промежутки времени (например, каждые 2 мс) будет осуществлять доступ (для считывания) ко всем строкам памяти. В эти моменты CPU находится в состоянии ожидания. За один цикл схема регенерирует все строки динамической памяти.
В 1966 г. ученый компании IBM Роберт Деннард (Robert Dennard)
разработал однотранзисторную динамическую оперативную память (DRAM).
Оперативная память – принцип работы
Рис. 2. Структурная схема динамической памяти.
Оперативная память – принцип работы
Рис. 2. Структурная схема динамической памяти.
Оперативная память – принцип работы
Когда CPU обращается к памяти
Оперативная память – принцип работы
Когда CPU обращается к памяти
С незначительной задержкой после сигнала RAS на входы динамической памяти подается адрес столбца и сигнал CAS (Column Address Strobe). При чтении данные выбираются из буфера ввода/вывода и поступают на выход динамической памяти в соответствии с адресом столбца.
При считывании информации из ячеек памяти в буфер ввода/вывода происходит ее разрушение, поэтому необходимо произвести перезапись считанной информации: выходы регистра строки снова соединяются с общими шинами столбцов памяти, чтобы перезаписать считанную информацию из строки. Если ячейка имела заряд, то она снова будет заряжена еще до завершения цикла чтения. На ячейки, которые не имели заряда, напряжение не подается.
Если выполняется запись в память, то подается сигнал стробирования записи данных WE (Write Enable) и информация поступает на соответствующую шину столбца не из буфера, а с входа памяти в соответствии с адресом столбца. Таким образом, прохождение данных при записи задается комбинацией сигналов, определяющих адреса столбца и строки, а также сигналом разрешения записи данных в память.
Основными характеристиками элементов (микросхем) памяти являются:
тип;
емкость;
разрядность;
быстродействие;
временная
Основными характеристиками элементов (микросхем) памяти являются:
тип;
емкость;
разрядность;
быстродействие;
временная
Основные характеристики микросхем памяти.
Емкость и разрядность
Рис.3. Структурная схема микросхемы памяти 1D4.
На рис. 2 представлена структура микросхемы памяти, имеющая одну линию
На рис. 2 представлена структура микросхемы памяти, имеющая одну линию
Количество линий ввода/вывода определяет разрядность шины ввода/вывода
микросхемы.
Количество бит информации, которое хранится в ячейках каждой матрицы, называется глубиной адресного пространства (Depth Address) микросхемы памяти.
Таким образом, общая емкость микросхемы памяти определяется произведением глубины адресного пространства на количество линий ввода/вывода (разрядов). Например, емкость микросхемы памяти, имеющей глубину адресного пространства 1 Мбайт и 4 линии ввода/вывода (четырехразрядную шину ввода/вывода), составляет 1 Мбайт D 4 = 4 Мбайт. Такая микросхема обозначается 1D4 либо 1МD4.
Емкость и разрядность
Производительность микросхемы динамической памяти характеризуется временем выполнения элементарных действий между
Производительность микросхемы динамической памяти характеризуется временем выполнения элементарных действий между
Время, необходимое для чтения (записи) данных, хранящихся по случайному адресу, называется временем доступа (Access time). Для микросхем памяти FPM, EDO и SDRAM, которые выпускались длительное время для компьютеров с процессорами 486 и Pentium, время доступа составляло 40—50 нс, а тактовая частота шины памяти не превышала 50—133 МГц. Для современных микросхем время доступа составляет порядка 3—6 нс, а тактовая частота шины памяти увеличилась до 800 — 4000 МГц. В табл. 1 показаны этапы развития технологии DRAM.
Таблица 1. Развитие технологии DRAM
Быстродействие памяти
Быстродействие памяти
Быстродействие памяти
Банки и каналы памяти
Быстродействие микросхем (модулей) памяти (точнее, запоминающих ячеек)
Банки и каналы памяти
Быстродействие микросхем (модулей) памяти (точнее, запоминающих ячеек)
Наиболее популярный вариант увеличения производительности подсистемы памяти — это использование банков памяти. Банки памяти используются как на уровне чипсетов, так и на внутреннем уровне организации запоминающих матриц микросхем памяти.
Банк памяти физически представляет собой набор микросхем (один или два модуля памяти), разрядность которого равна ширине шины памяти. Если ширина шины памяти равна 64 битам (8 байтов), то и разрядность банка памяти равна 64 битам.
Когда используются два банка памяти, то синхронизация микросхем банков происходит в противофазе, т. е. когда данные считываются из одного банка, то во втором банке производится переключение адреса. В результате, если частота шины данных позволяет, происходит увеличение производительности в два раза.
В новых процессорах используют двух- или трехканальную память. В этом случае производительность увеличивается за счет увеличения ширины (разрядности) шины данных, например, с 64 бит до 128 бит. В процессорах с интегрированным контроллером памяти каждый канал памяти имеет свою шину для подключения к процессору. Для старых процессоров принцип распределения данных от многоканальной памяти на шину данных определяет чипсет, в частности, можно выдавать данные на шину в два раза чаще, чем это позволяет частота работы модулей памяти.
Тайминг памяти
Для того чтобы прочитать или записать данные в микросхеме
Тайминг памяти
Для того чтобы прочитать или записать данные в микросхеме
Каждая цифра в тайминге — это количество тактов шины на выполнение той или иной операции. Различных операций при обращении к ячейкам памяти очень много, но пользователи оперируют ограниченным числом. В частности, для современных модулей памяти может указываться пять операций или таймингов, например, 2-3-2-6-1. Расшифровка данной последовательности дана в табл. 2. Наиболее идеальный случай, когда все тайминги равны 1, например, 1-1-1. Но так может быть только для очень низкой тактовой частоты процессора, равной нескольким сотням мегагерц.
Тайминг памяти
Таблица 2. Расшифровка временных задержек (тайминг 2-3-2-6-1)
Часто в документации
Тайминг памяти
Таблица 2. Расшифровка временных задержек (тайминг 2-3-2-6-1)
Часто в документации
Оверклокеры (от англ. overclocking - ), когда разгоняют память, не только увеличивают тактовую частоту и напряжение питания, но пытаются подобрать наиболее оптимальный тайминг. Причем оптимизация задержек позволяет существенно увеличить общую производительность компьютера.
Разгон памяти - overclocking
Когда мы смотрим на характеристики процессоров и
Разгон памяти - overclocking
Когда мы смотрим на характеристики процессоров и
Наиболее "древняя" методика разгона памяти, но эффективно использующаяся и сегодня — это увеличение опорной тактовой частоты, подающейся на модули памяти, которая, как правило, привязана к тактовой частоте системной шины. Повышая, скажем, на 25 МГц тактовую частоту, мы существенно увеличиваем производительность системы, что даже эффективнее замены процессора на более мощную модель. Заметим, результирующая частота для модулей DDR3 будет в 8 раз выше.
Если обратить внимание на маркировку модулей памяти, то можно увидеть, что
Если обратить внимание на маркировку модулей памяти, то можно увидеть, что
Другим эффективным методом разгона памяти является принцип уменьшения таймингов (задержек). Например, если вместо варианта 4-4-4 использовать 3-3-3, то мы существенно увеличим производительность памяти. Но производители записывают в микросхему для хранения информации SPD (Serial Presence Detect) (находится на каждом модуле памяти) характеристики, которые они гарантируют для всех случаев применения. Пользователь может самостоятельно подобрать тайминги для конкретных экземпляров модулей памяти и системной платы, правда, это кропотливая и нудная работа, требующая аккуратности и внимательности (обязательное тестирование системы на всех этапах разгона!).
Увеличение тактовой частоты и уменьшение таймингов почти всегда сопровождается увеличением уровня напряжения питания модулей памяти. К сожалению, просто так увеличить напряжение для современных модулей памяти нельзя, т. к. это сопровождается довольно вредными и неприятными эффектами. В частности, это увеличение тепловыделения, поэтому при разгоне модулей памяти приходится использовать конструкции модулей с теплоотводами и принудительным охлаждением.
Разгон памяти - overclocking
Буква "D" в аббревиатуре "DRAM" означает "динамическая" (Dynamic), т. е. для
Буква "D" в аббревиатуре "DRAM" означает "динамическая" (Dynamic), т. е. для
ПРИМЕЧАНИЕ
Цикл регенерации происходит при фиксации адреса столбца и циклическом изменении адреса строки. Следовательно, чем меньше строк в матрице микросхемы, тем короче цикл регенерации.
Часто в описании микросхем можно встретить следующую характеристику: 2k refresh, 4k refresh и т. п. Число nk означает длину строки, т. е. количество столбцов. Дело в том, что "нормальное" количество столбцов и строк для чипа организации 4 D 4 численно равно 2 Кбит (4 Мбит = 1024 D 1024 D 4 = 1 048 576 D 4 = 4 194 304 бит, 4 194 304 = 2048 бит). Однако с целью повышения быстродействия были разработаны микросхемы с "неквадратной" матрицей, имеющие 1 Кбит строк и, соответственно, столбцов, что позволило сократить время регенерации.
В процессе совершенствования технологии изготовления DRAM были разработаны различные типы памяти: FPM, EDO, SDRAM, DDR SDRAM.
DRAM
FPM DRAM
Память типа DRAM, реализующая быстрый страничный режим, называется FPM
FPM DRAM
Память типа DRAM, реализующая быстрый страничный режим, называется FPM
Рис. 4. Структура микросхемы FPM DRAM
В микросхемах FPM DRAM сигнал CAS используется не только для адресации
В микросхемах FPM DRAM сигнал CAS используется не только для адресации
FPM DRAM
Рис. 5. Временная диаграмма микросхем DRAM и FPM DRAM
Память этого типа появилась в последних моделях РС с CPU
Память этого типа появилась в последних моделях РС с CPU
Временная диаграмма работы FPM DRAM представлена на рис. 5.
FPM DRAM
EDO DRAM
В компьютерах на базе CPU Pentium применяется память
EDO DRAM
В компьютерах на базе CPU Pentium применяется память
Структурная схема EDO DRAM похожа на схему FPM DRAM. Отличие состоит в том, что для FPM DRAM линии ввода/вывода данных отключались от системной шины, как только начиналось задание адреса следующего бита, а в режиме EDO линии остаются подключенными до окончания ввода нового адреса и, соответственно, начала вывода следующего бита. Вместо сигнала CAS для указания конца операции чтения используется сигнал OE (Output Enable). Таким образом, память EDO позволяет одновременно считывать данные и задавать адрес следующих данных, что, в свою очередь, сокращает длительность рабочего цикла (см. нижний рисунок).
Модули памяти EDO работают на 10—15% быстрее, чем FPM DRAM. Они работают без задержки с системными шинами, работающими на тактовой частоте 50 МГц (1 : 20 нс = 50 МГц). Тем не менее, преимущество EDO перед FPM проявляется лишь при чтении данных — одновременное выполнение операций записи и адресации невозможно.
SDRAM
До 1997 г. производились только асинхронные микросхемы DRAM, т.
SDRAM
До 1997 г. производились только асинхронные микросхемы DRAM, т.
П РИМЕЧАНИЕ
Асинхронные элементы имеют только информационные входы и срабатывают непосредственно после изменения сигнала на входах. Сигнал на выходе появляется через некоторое время. Оно не регламентируется и может изменяться в зависимости от температуры и от старения полупроводниковых элементов. Основным недостатком асинхронных элементов является их низкая помехоустойчивость, проявляющаяся в сбоях при работе PC.
Для срабатывания синхронных элементов смены сигналов на входах недостаточно. Необходим дополнительный тактирующий сигнал, который подается на соответствующий вход. В качестве такого сигнала выбран тактовый сигнал системной шины. Этот сигнал задает частоту смены информации в определенные моменты времени. В эти же моменты обновляется информация на выходах элементов. Таким образом, процессы записи и считывания информации в память строго привязаны к тактам CPU или шины.
Все рассмотренные выше элементы памяти (FPM и EDO) работают асинхронно с тактовой частотой системной шины. Поэтому для передачи данных из памяти в CPU необходимо подтверждение связи между CPU и контроллером памяти.
Процесс чтения данных организован следующим образом. CPU сообщает контроллеру памяти с помощью сигнала ADS, что ему необходимы данные, располагающиеся по определенному адресу. Затем осуществляется цикл чтения данных из DRAM. Когда данные прочитаны и находятся на выходных линиях DRAM, контроллер памяти посылает процессору сигнал BRDY и только тогда данные поступают на CPU. Если данные еще не готовы, то CPU вынужден осуществлять холостые циклы (Wаit state) в ожидании данных.
SDRAM
В 1997 г. для синхронизации работы памяти и системной шины
SDRAM
В 1997 г. для синхронизации работы памяти и системной шины
микросхема синхронной динамической памяти SDRAM (Sychronous DRAM). Метод доступа к строкам и столбцам данных в микросхемах SDRAM и стандартной DRAM реализован одинаково. Отличие заключается в следующем: все операции в микросхемах SDRAM синхронизированы с тактовой частотой CPU, т. е. память и CPU работают синхронно без циклов ожидания (рис. 6).
Рис. 6. Временная диаграмма SDRAM в пакетном режиме
SDRAM
Рис. 7. Структурная схема SDRAM
SDRAM
Рис. 7. Структурная схема SDRAM
SDRAM
За счет исключения циклов ожидания сократилось время выполнения команд
SDRAM
За счет исключения циклов ожидания сократилось время выполнения команд
Кроме того, для сокращения времени выборки данных в микросхеме SDRAM предусмотрено чередование адресов, а также пакетный режим; используется трехступенчатая конвейерная адресация, которая позволяет осуществить доступ к запрошенным данным до завершения обработки предыдущих.
Все это позволило сократить время рабочего цикла микросхемы до 8—10 нс
(1 : 10 нс = 100 МГц) и повысить скорость передачи данных до 800 Мбайт/c при тактовой частоте системной шины 100 МГц.
Внутренняя архитектура SDRAM предполагает два или более банка. Структурная схема SDRAM, имеющая 4 банка емкостью по 2 Мбайт и 4 линии ввода/вывода, представлена на рис. 7.
При тактовой частоте системной шины 100 МГц многие микросхемы SDRAM работали неустойчиво, поэтому для такой системной шины корпорация Intel разработала спецификацию микросхем памяти, получившую название PC100.
Микросхемы памяти PC100 SDRAM выпускаются в корпусе TSOP, а количество выводов зависит от глубины адресного пространства микросхемы.
С увеличением тактовой частоты системной шины до 133 МГц появились микросхемы SDRAM, поддерживающие данную тактовую частоту. Они получили название PC133 SDRAM.
DDR SDRAM
Следующим этапом в развитии памяти SDRAM явилась память DDR
DDR SDRAM
Следующим этапом в развитии памяти SDRAM явилась память DDR
Подобная схема передачи данных весьма критична даже к самой незначительной задержке тактового сигнала, поэтому, в отличие от SDRAM, для синхронизации передачи данных помимо сигнала тактового генератора применяется дополнительный сигнал (DQS — Data Strobe Signal). Этот сигнал передается параллельно с тактовым сигналом и корректирует процесс передачи данных для каждой линии шины данных. Для выдачи сигнала DQS, означающего доступность данных на выходе, используется специальный цикл с фиксированной задержкой DLL (Delay Locked Loop).
Для точной синхронизации сигналов DQS и передачи данных (DQ) соответствующие проводники имеют одинаковую длину и емкость. Таким образом, колебания напряжения и температуры одинаково отражаются на обоих сигналах, что обеспечивает отсутствие нарушения синхронизации между контроллером памяти и микросхемами модулей памяти. Дополнительный контроль синхронизации передачи данных обеспечивает более надежную и высокую скорость передачи данных, чем при использовании только сигнала тактового генератора. Чтение и запись данных производятся не в соответствии с тактовым сигналом, а синхронизируются сигналом DQS (рис. 8, 9).
Первые образцы 64-мегабитных микросхем DDR SADRAM появились в 1998 г., а в 1999 г. появились первые DIMM-модули DDR SDRAM. Новая технология памяти была поддержана многими производителями, среди которых были IBM и VIA Technologies.
Рис. 8. Временные диаграммы выполнения команд чтения DDR SDRAM
DDR SDRAM
Рис. 8. Временные диаграммы выполнения команд чтения DDR SDRAM
DDR SDRAM
DDR SDRAM
Архитектурно микросхема состоит из четырех независимых банков (рис.
DDR SDRAM
Архитектурно микросхема состоит из четырех независимых банков (рис.
При тактовой частоте 100, 133, 150 и 166 МГц пропускная способность шины памяти DDR SDRAM составляет соответственно 1600, 2100, 2400 и 2700 Мбайт/с.
Рис. 9. Структурная схема DDR SDRAM
DDR 2 и 3 SDRAM
Основная особенность технологии DDR SDRAM
DDR 2 и 3 SDRAM
Основная особенность технологии DDR SDRAM
данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что дает возможность удвоить пропускную способность памяти. То есть при передаче блоков (пакетов) данных за один машинный такт передается двойная порция данных. Это путь увеличения производительности памяти оказался весьма привлекательным, поэтому при дальнейшем развитии этой технологии в микросхемах DDR2 удалось за один тактовый импульс передавать уже 4 порции данных, а в DDR3 уже и восемь.
Следует отметить, что увеличение производительности происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтения/записи ячеек памяти, а вот тактовая частота работы запоминающей матрицы практически не изменяется (очень незначительно увеличивается за счет использования более совершенной технологии изготовления микросхем). Поэтому общая производительность компьютера не увеличивается в два и четыре раза, а всего на десятки процентов. На рис. 10 показаны частотные принципы работы микросхем DDR различных поколений.
DDR 2 и 3 SDRAM
Рис. 10. Частотные принципы работы микросхем
DDR 2 и 3 SDRAM
Рис. 10. Частотные принципы работы микросхем
DDR 2 и 3 SDRAM
Рис 11. Блок-схема микросхемы памяти DDR2
DDR 2 и 3 SDRAM
Рис 11. Блок-схема микросхемы памяти DDR2
DDR 2 и 3 SDRAM
Рис 12. Блок-схема микросхемы памяти DDR3
DDR 2 и 3 SDRAM
Рис 12. Блок-схема микросхемы памяти DDR3
В табл. приведены характеристики микросхем памяти трех поколений DDR SDRAM. На
В табл. приведены характеристики микросхем памяти трех поколений DDR SDRAM. На
DDR 2 и 3 SDRAM
DDR 2 и 3 SDRAM
В настоящее время используются модули
DDR 2 и 3 SDRAM
В настоящее время используются модули
Рис 13. Смена поколений памяти SDRAM по прогнозам компании Elpida
Новое поколение памяти DDR4 SDRAM (с 2013 года) обладает более высокими частотными характеристиками и низким напряжением. Поддерживаются частоты от 2133 до 4266 МГц при напряжении питания 1,2 В.