Полевые транзисторы

Идея полевого транзистора была предложена Юлием Эдгаром Лилиенфельдом(1882-1963) в 1926—1928 годах.

Полевой транзистор - – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены

Полевые транзисторы -

Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе

Классификация

Полевой транзистор с p-n-переходом

УГО ПТ с управляющим переходом

n-канальный

p-канальный

Исток - источник носителей тока, управляющий электрод ( на него подают

Управление током стока, то есть током от внешнего относительно мощного источника

В связи с незначительностью обратных токов p-n перехода мощность, необходимая для

Принцип включения

И-С включается так, что бы основные носители в канале двигались

Принцип действия

ПТ с управляющим переходом заключён в изменении площади сечения канала

Режимы работы

Режим насыщения
Режим обеднения
Режим отсечки

Режим насыщения

Пока между затвором и истоком не подано напряжение управления,
под

Режим обеднения

Между затвором и истоком приложено небольшое напряжение, ещё немного закрывающее

у торца пластинки (вывод стока) обеднённые носителями заряда области будут наиболее

Режим отсечки

Если приложить ещё большее напряжение между затвором и истоком,
то

Характеристики ПТ

Стокозатворная характеристика зависимость Ic от Uзи при фиксированном напряжении

Характеристики ПТ

Семейство стоковых характеристик зависимости Ic от Uси при фиксированных

Схемы включения ПТ

Схема с ОИ
на практике чаще всего применяется,
аналогичная

Схемы включения ПТ

Схема с ОС
Применяется для согласования цепей усилительных каскадов
Истоковый повторитель
µ

Схемы включения ПТ

Схема с ОЗ
аналогична схеме с общей базой (ОБ)

ПТ с изолированным затвором
В соответствии с их структурой такие транзисторы называют

ПТ с изолированным затвором

это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом

и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определённой полярности и

В МОП-транзисторах со встроенным каналом

(рис. б)
у поверхности полупроводника под

УГО МДП-транзистора со встроенным каналом

n-типа (а) и
p-типа (б)

Выходные статические (a) и сток-затворная характеристики (b) МДП-транзистора со встроенным каналом.

В МОП-транзисторах с индуцированным каналом

(рис. а)
проводящий канал между сильнолегированными

УГО МДП-транзистора с индуцированным каналом

n-типа (а) и
p-типа (б)

Статические характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом

Получение МДП структуры

В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который

Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка

На слой диэлектрика нанесён металлический электрод — затвор.
Получается структура, состоящая

.

От БТ полевой транзистор отличается

во-первых, принципом действия:
в биполярном

От БТ полевой транзистор отличается

Во-вторых, полевые транзисторы имеют значительно большие входные

От БТ полевой транзистор отличается

В-третьих, полевые транзисторы могут обладать низким

Особенности ПТ

1. Практически полное отсутствие тока во входной цепи затвора, что

Применение полевых транзисторов

схемы ждущих и следящих устройств
схемы малого потребления и

Область применения

широко используются в цифровых и аналоговых интегральных схемах.
потребляют значительно меньше

Область применения

В радиопередающих устройствах позволяет получить повышенную частоту спектра излучаемых радиосигналов,

Преимущества полевых транзисторов перед биполярными:

способен работать при малом значении напряжения