Развитие базовой технологии производства отечественных подложек полуизолирующего карбида кремния

Август 6, 2022

Главная
Разное
Развитие базовой технологии производства отечественных подложек полуизолирующего карбида кремния

Содержание

2. Технология роста монокристаллов SiC 2
3. Политипы SiC Структурное упорядочение семейства естественных сверхрешеток SiC: вид упаковок А, В, С в пределах слоя;
4. Сублимация синтезированного SiC на затравку 4
5. Методы для достижения высокого удельного споротивления монокристаллов SiC: - высокотемпературное химическое осаждение из газовой фазы (метод
6. Развитие базовой технологии производства подложек SiC Блок-схема технологического маршрута 6
7. Круглая шлифовка монокристаллов 7 Станок круглой шлифовки 3У10 МСМ Диаметры, с которыми работаем: 50.8 мм 76.2
8. Установка рентгеновской ориентации 8 MTI EQ-DX 100 Точность ориентации:
9. Резка слитка на пластины 9 Станок многопроволочной резки Takatori MWS 45 SN Время процесса: 35 ÷
10. Изготовление фаски на подложках 10 Станок изготовления фаски TSK EP-3800 Edge Grinder Время процесса: от 1
11. Шлифовка и полировка подложек SiC 11 Станок двусторонней шлифовки/полировки: Peter Wolters AC470L Процесс шлифоки: Макс. загрузка
12. Химико-механическая полировка подложек 12 Станок ХМП SpeedFam GPAW 32 Атомарно-гладкая поверхность с шероховатостью 1÷2 Å
13. Финишная отмывка и упаковка 13 Каскад УЗ-ванн Центрифуга Вакуумный упаковщик
14. Участок метрики подложек SiC 14 Бесконтактное измерение толщины и прогиба Картографирование удельного сопротивления
15. Промышленная технология производства подложек SiC 15 Полный цикл изготовления подложек качества «epi-ready»: 1 месяц
16. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN на SiC: - метод газофазной эпитаксии из металл-органических соединений (MOCVD) в НТЦ
18. Скачать презентацию

Слайд 2

Технология роста монокристаллов SiC
2

Слайд 3

Политипы SiC
Структурное упорядочение семейства естественных сверхрешеток SiC: вид упаковок А, В,

С в пределах слоя; элементарные ячейки основных слоистых модификаций

Слайд 4

Сублимация синтезированного SiC на затравку
4

Слайд 5

Методы для достижения высокого удельного споротивления монокристаллов SiC:
- высокотемпературное химическое осаждение

из газовой фазы (метод HTCVD);
- компенсационное легирование кристаллов SiC в процессе роста;
- рост монокристаллов SiC методом газофазного транспорта и осаждения (метод PVT) на основе источника SiC с исходным низким содержанием примесей.

Слайд 6

Развитие базовой технологии производства подложек SiC
Блок-схема технологического маршрута
6

Слайд 7

Круглая шлифовка монокристаллов
7
Станок круглой шлифовки 3У10 МСМ
Диаметры, с которыми

работаем:
50.8 мм
76.2 мм

Слайд 8

Установка рентгеновской ориентации
8
MTI EQ-DX 100
Точность ориентации:
< 0,250

Слайд 9

Резка слитка на пластины
9
Станок многопроволочной резки
Takatori MWS 45

Время процесса:
35 ÷ 50 часов
TTV ~10 мкм, Warp\Bow ~15 мкм
Методы оптимизация:
Переход на ролики с меньшим шагом, подбор более экономичных режимов резки. Замена расходных материалов отечественными аналогами.
Цель оптимизации:
Увеличение количества подложек с одного кристалла, сокращение времени процесса при сохранении качества.

Слайд 10

Изготовление фаски на подложках
10
Станок изготовления фаски
TSK EP-3800 Edge Grinder
Время процесса:

от 1 ÷ 8 часов. Ширина фаски от 100 до 400 мкм.

Слайд 11

Шлифовка и полировка подложек SiC
11
Станок двусторонней шлифовки/полировки:
Peter Wolters AC470L
Процесс

шлифоки:
Макс. загрузка на 1 процесс: 6 подложек Ø 76.2 мм
Разброс по толщине: ~5 мкм
Прогиб и коробление: ~10 мкм
Шероховатость: ~10 нм
Процесс полировки:
Макс. загрузка на 1 процесс: 6 подложек Ø 76.2 мм
Разброс по толщине: ~2 мкм
Прогиб и коробление: ~5 мкм
Шероховатость: ~5 нм

Оптимизация:
Переход от двухкомпонентной суспензии для шлифовки (BC+SiC) на алмазную суспензию.
Сокращение времени обработки
снижение стоимости процессов шлифовки;
уменьшение нарушенного слоя

Слайд 12

Химико-механическая полировка подложек
12
Станок ХМП SpeedFam GPAW 32
Атомарно-гладкая
поверхность с
шероховатостью
1÷2 Å

Слайд 13

Финишная отмывка и упаковка
13
Каскад УЗ-ванн Центрифуга Вакуумный упаковщик

Слайд 14

Участок метрики подложек SiC
14
Бесконтактное измерение
толщины и прогиба
Картографирование удельного сопротивления

Слайд 15

Промышленная технология производства подложек SiC
15
Полный цикл изготовления подложек качества «epi-ready»:
1

месяц

Слайд 16

Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN на SiC:
- метод газофазной эпитаксии из металл-органических

соединений (MOCVD) в НТЦ микроэлектроники РАН, СПбГПУ и ЗАО «Элма-Малахит»;
- метод молекулярно-пучковой эпитаксии (MBE) в ЗАО «Светлана-Рост»;
- хлорид-гидридная эпитаксия (HVPE) в ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

Развитие базовой технологии производства отечественных подложек полуизолирующего карбида кремния

Содержание

Технология роста монокристаллов SiC 2

Политипы SiCСтруктурное упорядочение семейства естественных сверхрешеток SiC: вид упаковок А, В,

Сублимация синтезированного SiC на затравку 4

Методы для достижения высокого удельного споротивления монокристаллов SiC:- высокотемпературное химическое осаждение

Развитие базовой технологии производства подложек SiC Блок-схема технологического маршрута 6

Круглая шлифовка монокристаллов 7Станок круглой шлифовки 3У10 МСМДиаметры, с которыми

Установка рентгеновской ориентации 8MTI EQ-DX 100Точность ориентации:< 0,250

Резка слитка на пластины 9Станок многопроволочной резки Takatori MWS 45

Изготовление фаски на подложках 10Станок изготовления фаскиTSK EP-3800 Edge GrinderВремя процесса:

Шлифовка и полировка подложек SiC 11Станок двусторонней шлифовки/полировки: Peter Wolters AC470LПроцесс

Химико-механическая полировка подложек12Станок ХМП SpeedFam GPAW 32Атомарно-гладкаяповерхность сшероховатостью1÷2 Å

Финишная отмывка и упаковка 13 Каскад УЗ-ванн Центрифуга Вакуумный упаковщик

Участок метрики подложек SiC 14Бесконтактное измерение толщины и прогибаКартографирование удельного сопротивления

Промышленная технология производства подложек SiC 15Полный цикл изготовления подложек качества «epi-ready»:1

Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN на SiC:- метод газофазной эпитаксии из металл-органических

Похожие презентации