Управления и радиоэлектроники (тусур) комплексный метод измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов

удельного сопротивления полупроводниковых материалов, обладающего высокой локальностью измерения в широком диапазоне рабочих частот.
Задачи:
1) Изучение методов измерения удельного сопротивления электрофизических параметров полупроводников;
2) Изучение работы приборов для комплексного метода измерения удельного сопротивления, которые позволят измерять электрофизические параметры широкозонных полупроводников;
3) Исследование температурных зависимостей удельного сопротивления германия отечественных марок комплексным методом;
4) Исследование случайной составляющей погрешности измерения удельного сопротивления с помощью, используемого СВЧ резонатора.

Резонатор с внешним измерительным отверстием

1 – измерительное отверстие; 2 – индуктивный штырь; 3 – стенка; 4 – выходная и входная петли связи; 5 – металлическая диафрагма; 6 – механизм перемещения индуктивного штыря; 7 – измеряемый образец; 8 – ёмкость для жидкого азота; 9 – нагревательная спираль

устройства на основе RC-генератора с мостом Вина

Резисторы 2 и 3, включенные в цепь отрицательной обратной связи усилителя 1 и служащие для изменения величины коэффициента усиления усилителя 1, резистор 4 и конденсатор 5, образующие параллельную RC-цепь моста Вина, конденсатор 6, в который помещен измеряемый образец и представляющий собой последовательную RC-цепь моста Вина, причем мост Вина включен в цепь положительной обратной связи усилителя 1, конденсатор 6 изображен в виде эквивалентной схемы,
где 7 - сопротивление участка измеряемого образца, заключенного между пластинами конденсатора 6, 8 - емкость участка измеряемого образца, заключенного между пластинами конденсатора 6 без диэлектрической пленки, изолирующей образец от металлических обкладок конденсатора 6, 9 - емкость, образованная диэлектрической пленкой и металлическими обкладками конденсатора 6, частотометр 10, подключенный к выходу RC-генератора

592

 

632

Рисунок – 7 Температурная зависимость удельного сопротивления ОЧГ 596

 

 

595

 

Изучены методики измерений и аппаратура для измерения комплексным методом удельного сопротивления полупроводниковых материалов;
2) Методом измерения температурной зависимости удельного сопротивления показано, что в образцах особо чистого германия присутствует примесь, дающая как мелкие, так и глубокие уровни в запрещённой зоне;
3) Исследована случайная составляющей погрешности измерения удельного сопротивления с помощью, используемого СВЧ резонатора.
4) Результаты проведённой работы показывают возможность применения бесконтактного СВЧ метода измерения электрических характеристик для входного контроля полупроводниковых материалов при изготовлении полупроводниковых приборов.