Содержание
- 2. Введение Биполярный точечный транзистор был изобретен в 1947 году, в течение последующих лет он зарекомендовал себя
- 3. Общие сведения Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из трёх областей с чередующимися типами электропроводности,
- 4. Режим работы 1.Режим отсечки - оба э-д перехода закрыты, при этом через транзистор обычно идёт сравнительно
- 5. Устройство и принцип действия Биполярный транзистор состоит из трех различным образом легированных полупроводниковых зон: эмиттера E,
- 6. Упрощенная схема поперечного разреза биполярного NPN транзистора
- 7. Схемы включения Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх. Входное
- 8. Схема включения с общей базой Усилитель с общей базой. Среди всех трех конфигураций обладает наименьшим входным
- 9. Схема включения с общим эмиттером Iвых = Iк Iвх = Iб Uвх = Uбэ Uвых =
- 10. Схема с общим коллектором Iвых = Iэ Iвх = Iб Uвх = Uбк Uвых = Uкэ
- 11. Применение транзисторов Усилители, каскады усиления Генератор Модулятор Демодулятор (Детектор) Инвертор (лог. элемент) Микросхемы на транзисторной логике
- 13. Скачать презентацию
Введение
Биполярный точечный транзистор был изобретен в 1947 году, в течение последующих
Введение
Биполярный точечный транзистор был изобретен в 1947 году, в течение последующих
Общие сведения
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из трёх областей
Общие сведения
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из трёх областей
Эти области разделяются электронно-дырочными переходами(э-д переходами). Особенность транзистора состоит в том, что между его э-д переходами существует взаимодействие - ток одного из электродов может управлять током другого. Такое управление возможно, потому что носители заряда, инжектированные через один из э-д переходов могут до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток.
Каждый из переходов транзистора можно включить либо в прямом, либо в обратном направлении. В зависимиости от этого различают три режима работы транзистора:
Режим работы
1.Режим отсечки - оба э-д перехода закрыты, при этом через
Режим работы
1.Режим отсечки - оба э-д перехода закрыты, при этом через
2.Режим насыщения - оба э-д перехода открыты;
3.Активный режим - один из э-д переходов открыт, а другой закрыт.
В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. В активном режиме такое управление осуществляется наиболее эффективно, причём транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы.
Область транзистора, расположннная между переходами называется базой(Б). Примыкающие к базе оласти чаще всего делают неодинаковыми. Одну из них изготовляют так, чтобы из неё наиболее эффективно происходила инжекция в базу, а другую - так, чтобы соответствующий переход наиличшим образом осуществлял экстракцию инжектированных носителей из базы.
Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей в базу, называют эмиттером(Э), а соответствующий переход эмиттерным.
Область, основным назначением которой является экстракцией носителей из базы - коллектор(К), а переход коллекторным.
Если на Э переходе напряжение прямое, а на К переходе обратное, то включение транзистора считают нормальным, при противоположной полярности - инверсным.
Основные характеристики транзистора определяются в первую очередь процессами, происходящими в базе. В зависимости от распределения примесей в базе может присутствовать или отсутстввать электрическое поле. Если при отсутствии токов в базе существует электрическое поле, которое способствует вижению неосновных носителей заряда от Э к К, то транзистор называют дрейфовым, усли же поле в базе отсутствует - бездрейфовый(диффузионный).
Устройство и принцип действия
Биполярный транзистор состоит из трех различным образом легированных
Устройство и принцип действия
Биполярный транзистор состоит из трех различным образом легированных
Упрощенная схема поперечного разреза биполярного NPN транзистора
Упрощенная схема поперечного разреза биполярного NPN транзистора
Схемы включения
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями:
Коэффициент усиления по
Схемы включения
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями:
Коэффициент усиления по
Входное сопротивление Rвх=Uвх/Iвх
Схема включения с общей базой
Усилитель с общей базой.
Среди всех трех конфигураций
Схема включения с общей базой
Усилитель с общей базой.
Среди всех трех конфигураций
Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх=Iк/Iэ=α [α<1]
Входное сопротивление Rвх=Uвх/Iвх=Uбэ/Iэ.
Входное сопротивление для схемы с общей базой мало и не превышает 100 Ом для маломощных транзисторов, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.
Достоинства:
Хорошие температурные и частотные свойства.
Высокое допустимое напряжение
Недостатки схемы с общей базой :
Малое усиление по току, так как α < 1
Малое входное сопротивление
Два разных источника напряжения для питания.
Схема включения с общим эмиттером
Iвых = Iк
Iвх = Iб
Uвх = Uбэ
Uвых
Схема включения с общим эмиттером
Iвых = Iк
Iвх = Iб
Uвх = Uбэ
Uвых
Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх=Iк/Iб=Iк/(Iэ-Iк) = α/(1-α) = β [β>>1]
Входное сопротивление: Rвх=Uвх/Iвх=Uбэ/Iб
Достоинства:
Большой коэффициент усиления по току
Большой коэффициент усиления по напряжению
Наибольшее усиление мощности
Можно обойтись одним источником питания
Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.
Недостатки:
Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой
Схема с общим коллектором
Iвых = Iэ
Iвх = Iб
Uвх = Uбк
Uвых =
Схема с общим коллектором
Iвых = Iэ
Iвх = Iб
Uвх = Uбк
Uвых =
Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх=Iэ/Iб=Iэ/(Iэ-Iк) = 1/(1-α) = β [β>>1]
Входное сопротивление: Rвх=Uвх/Iвх=(Uбэ+Uкэ)/Iб
Достоинства:
Большое входное сопротивление
Малое выходное сопротивление
Недостатки:
Коэффициент усиления по напряжению меньше 1.
Схему с таким включением называют «эмиттерным повторителем»
Применение транзисторов
Усилители, каскады усиления
Генератор
Модулятор
Демодулятор (Детектор)
Инвертор (лог. элемент)
Применение транзисторов
Усилители, каскады усиления
Генератор
Модулятор
Демодулятор (Детектор)
Инвертор (лог. элемент)
Микросхемы на транзисторной логике