Биполярные транзисторы

Слайд 4

Биполярные транзисторы
В 1947 г. американские ученые Дж. Бардин (J. Bardin) и

В. Браттейн (W. Brattain) создали полупроводниковый триод, или транзистор (Нобелевская премия В. Шокли (W.Shockley), Дж. Бардина, У. Браттейна).

Слайд 5

На фото - первый в мире полупроводниковый транзистор на прижимном контакте

Слайд 6

Биполярные транзисторы
Это событие имело громадное значение для развития полупроводниковой электроники.

Транзисторная структура легла в основу обширного класса усилительных приборов – биполярных транзисторов.
Определение "биполярный" указывает на то, что работа транзистора связана с процессами, в которых принимают электроны и дырки, то есть основные и неосновные носители.

Слайд 7

Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя расположенными на близком расстоянии параллельными

электронно-дырочными pn-переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов.

Слайд 8

Полупроводниковый транзистор
Различают npn-транзисторы и pnp-транзисторы
Стрелкой обозначен эмиттер, направление стрелки, как

и в случае диода, от p-типа к n-типу

Слайд 9

Центральную часть транзистора называется базой, левая высоколегированная - эмиттер, правая, низколегированная

– коллектор. Переход, разделяющий эмиттер и базу, называется эмиттерным переходом (ЭП), а переход, разделяющий базу и коллектор, - коллекторным переходом (КП).

Слайд 10

Распределение примеси в p-n-p-транзисторе

Слайд 11

Зонная диаграмма p-n-p транзистора в стационарном состоянии

Слайд 12

В электрическую схему транзистор можно включить тремя режимами (в зависимости от

того, какой электрод является общим для входного и выходного напряжения): с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК).

Включение транзисторов в схему

Слайд 13

Варианты включения транзисторов

Слайд 14

.
ОБ
ОЭ
ОК

Слайд 15

Включение транзистора по схеме с общей базой
Пусть эмиттерный переход включен

в прямом направлении, коллекторый – в обратном.

Слайд 16

Зонная диаграмма при включении по схеме ОБ

Слайд 17

Такая полярность напряжения обеспечивает открытое состояние эмиттерного перехода и закрытое состояние

коллекторного перехода, что соответствует активному режиму работы транзистора, когда выходной (коллекторный) ток изменяется в соответствии с входным напряжением или током. Другие режимы – инверсный, насыщения и отсечки – будут рассмотрены ниже.

Напряжение, приложенное к эмиттерному переходу, уменьшает потенциальный барьер, и из эмиттера в базу инжектируются основные носители (дырки в pnp-транзисторе или электроны в npn-транзисторе), становясь в базе неосновными (избыточными, неравновесными) носителями. Этот поток очень сильно зависит от напряжения на эмиттерном переходе VЭБ, экспоненциально возрастая с увеличением VЭБ.

Слайд 18

Вследствие диффузии инжектированные носители движутся через базу к коллекторному переходу, частично

рекомбинируя с основными носителями – дырками в npn-транзисторе и электронами в pnp-транзисторе.
Между базой и коллектором для неосновных носителей барьера нет, поэтому все дошедшие до коллектора носители заряда проходят через коллекторный переход и создают коллекторный ток.
Говорят, что достигнувшие коллекторного перехода носители экстрагируются полем закрытого коллекторного перехода в коллектор

Слайд 19

Поток дырок и, соответственно, ток коллектора IК, являющийся выходным током транзистора,

очень эффективно управляется входным напряжением VЭБ и не зависят от выходного напряжения VКБ.
Эффективное управление выходным током с помощью входного напряжения составляет основу принципа работы биполярного транзистора и позволяет использовать транзистор для усиления электрических сигналов.
Определим характер распределения неосновных носителей и токов в областях базы, эмиттера и коллектора транзистора .

Слайд 20

Распределение концентраций основных и неосновных носителей заряда

Слайд 21

Распределение токов

Слайд 22

Отношение приращения тока коллектора к вызвавшему его приращению тока эмиттера при

постоянном напряжении на коллекторе называют коэффициентом передачи тока эмиттера

Коллекторный ток транзистора обусловлен не всем эмиттерным током, а только его дырочной составляющей. Поэтому коэффициент передачи зависит от того, какую часть тока эмиттера составляет именно его дырочная компонента.

Слайд 23

Для характеристики эмиттерного перехода вводят коэффициент инжекции

Слайд 24

Не все инжектированные эмиттером дырки доходят до коллектора, некоторая их часть

рекомбинирует в базе, поэтому плотность дырочного тока коллектора jpК меньше плотности дырочного тока эмиттера jpЭ, а дырочный ток коллектора меньше дырочного тока эмиттера.
Для отражения этого вводят понятие коэффициента переноса или коэффициента рекомбинации æ, который показывает, какая часть инжектированных носителей достигла коллектора. По определению

Слайд 25

Коэффициент переноса зависит от ширины базы W и диффузионной длины неосновных

носителей в базе Lp.
Именно необходимость обеспечить перенос инжектированных носителей через базу транзистора выдвигает требование, чтобы их диффузионная длина Lp была больше ширины базы транзистора Lp>>W.
Выполнение этого условия позволяет обеспечить высокие значения коэффициента переноса (обычно ).

Слайд 26

Преимущественное легирование одной из областей влечет за собой преимущественное инжектирование электронов

либо дырок.
Если считать ток коллектора чисто дырочным, что справедливо для сильно легированного эмиттера, то коэффициент передачи:

Слайд 27

Найдем аналитическое выражение, связывающее коэффициент передачи с физическими свойствами полупроводниковых материалов

p- и n-областей.
Для этого решим уравнение диффузии, описывающее поведение дырок в n-области базы и электронов в p-области эмиттера.
Решение будем проводить, считая, что модель транзистора одномерная, электрическое поле в базе равно нулю, генерация и рекомбинация в pn-переходах отсутствуют и уровень инжекции эмиттера мал.

Слайд 28

Уравнение диффузии дырок в области базы в стационарном режиме
Граничные условия:
при

x = 0 :

при x = W :

Слайд 29

Решение уравнения имеет вид:

Слайд 30

Плотность дырочного тока найдем, дифференцируя последнее выражение по х:
Полагая х =

0 и х = W, находим дырочные составляющие токов эмиттерного и коллекторного переходов:

Слайд 31

Используя выражения (1) и (2), найдем коэффициент переноса:
Для нахождения коэффициента инжекции

необходимо знать полный ток эмиттера. Для нахождения электронной составляющей тока эмиттера решим уравнение диффузии электронов в p-области эмиттера:

Слайд 32

Граничные условия запишем исходя из того, что протяженность области эмиттера много

больше диффузионной длины электронов . В активном режиме к эмиттеру приложено прямое напряжение, поэтому:

при x = 0 :

при x =

Слайд 33

Электронную компоненту тока эмиттерного перехода на границе с базой получим из

этого выражения при x=0:

Эмиттерный ток имеет две компоненты:

Слайд 34

Если бы эмиттерный ток целиком состоял из неосновных носителей (γ =

1) и все они доходили до коллектора ( ), то коллекторный ток был бы равен току эмиттера, а коэффициент передачи α = 1.

Слайд 35

Для нахождения коэффициента передачи тока эмиттера найдем электронную составляющую тока коллектора,

для этого решим уравнение диффузии для электронов в p-области коллектора:

c граничными условиями:

при x = W:

при

Слайд 36

Решение имеет вид:
Зная электронную и дырочную составляющие тока коллектора, получаем полный

ток через коллекторный переход при x = W :

Слайд 37

Уравнения (3), (4) и (7) примут более простой вид, если гиперболические

функции, входящие в них, разложить в ряд Тейлора. Учитывая, что :

Слайд 38

Слайд 39

Учитывая связь основных и неосновных носителей
,
можно записать:

Слайд 40

Ток базы IБ транзистора будет состоять из трех компонент, включающих электронный

ток в эмиттерном переходе

рекомбинационный ток в базе

и тепловой ток коллектора IКБ0.

Слайд 41

Тепловой ток коллектора при включении по схеме ОБ IКБ0 имеет две

составляющие:

где Is - тепловой ток, Ig - ток генерации коллекторного pn-перехода. Ток IКБ0 - ток обратно смещенного коллекторного перехода.
Таким образом, в биполярном транзисторе реализуются четыре физических процесса:
инжекция из эмиттера в базу;
диффузия через базу;
рекомбинация в базе;
экстракция из базы в коллектор.

Слайд 42

Входные ВАХ в схеме ОБ

Слайд 43

Слайд 44

Выходные ВАХ в схеме ОБ

Слайд 45

Входная и выходная ВАХ p-n-p транзистора в схеме ОБ

Слайд 46

Уравнения транзистора в схеме ОБ

Слайд 47

Распределение неосновных носителей в базе pnp-транзистора в нормальном режиме

Слайд 48

Распределение неосновных носителей в базе pnp-транзистора в режиме насыщения

Слайд 49

Распределение неосновных носителей в базе pnp-транзистора в режиме отсечки

Слайд 50

С увеличением напряжения на коллекторе ширина базы уменьшается, вследствие чего уменьшается

вероятность рекомбинации дырок в базе, и при постоянном токе эмиттера ток дырок, доходящих до коллектора, должен возрастать с повышением напряжения на КП. Поэтому сопротивление коллектора должно уменьшаться.

Слайд 51

Усилитель на транзисторе в схеме ОБ
т.е. в схеме с ОБ усиление

тока отсутствует.

Практически одинаковый ток проходит и через высокое сопротивление и через низкое, вследствие чего в схеме с ОБ имеет место усиление мощности.

Слайд 52

Из-за высокого выходного сопротивления в цепи коллектора может быть включено достаточно

большое сопротивление нагрузки ( ) – до 1 МОм.
Относительно малое изменение напряжения на эмиттере будет вызывать большое изменение напряжения на сопротивлении нагрузки.
В результате различия входного и выходного сопротивлений транзистор дает усиление по мощности.

Слайд 53

Включение транзистора в схеме ОЭ

Слайд 54

Расчет ВАХ в схеме ОЭ

Слайд 55

Часть дырок (1-α)∙Δp рекомбинирует в базе с электронами, поступающими из омического

контакта базы (ток направлен против движения электронов, т.е. из базы).
При увеличении отрицательный заряд инжектированных электронов уменьшает потенциальный барьер эмиттерного перехода, вызывая дополнительную инжекцию дырок в базу

Слайд 56

Входные ВАХ транзистора в схеме ОЭ

Слайд 57

При обратных напряжениях на КП и фиксированном напряжении на ЭП |UБЭ|

постоянной будет концентрация дырок в базе вблизи ЭП.
Увеличение напряжения UКЭ будет сопровождаться расширением ОПЗ КП и уменьшением ширины базы (эффект Эрли) и, следовательно, уменьшением общего количества дырок, находящихся в базе.
При этом ∂pn/∂x в базе будут расти, что приводит к дальнейшему уменьшению их концентрации. Как отмечалось, при термодинамическом равновесии:

Слайд 58

При число рекомбинаций электронов и дырок в базе в единицу времени

уменьшается (возрастает коэффициент переноса). Так как электроны для рекомбинации приходят через базовый вывод, ток базы уменьшается и входные ВАХ смещаются вниз.
При обратном смещении, процесс тепловой генерации будет преобладать над процессом рекомбинации .
Генерированные электроны уходят из базы через базовый вывод, что означает наличие электрического тока, направленного в базу транзистора. Это – режим отсечки, он характеризуется сменой направления тока базы.

Слайд 59

Выходные ВАХ транзистора в схеме ОЭ

Слайд 60

Влияние напряжения Эрли на выходные ВАХ транзистора

Слайд 61

1. Схема с ОЭ обладает высоким усилением как по напряжению, так

и по току. У нее самое большое усиление по мощности. Это самая распространенная усилительная схема.
2. Схема с ОБ усиливает напряжение (примерно, как и схема с ОЭ), но не усиливает ток. Схема находит применение в усилителях высоких и сверхвысоких частот.
3. Схема с ОК (эмиттерный повторитель) не усиливает напряжение, но усиливает ток. Основное применение данной схемы – согласование сопротивлений источника сигнала и низкоомной нагрузки.

Выводы

Слайд 62

Дифференциальные параметры
биполярного транзистора

Слайд 63

Линеаризация входных ВАХ в схеме с ОЭ

Слайд 64

Линеаризация выходных ВАХ в схеме с ОЭ

Слайд 65

Дифференциальные параметры биполярного транзистора

Слайд 66

Зависимость коэффициентов α и β от напряжения на коллекторе

Слайд 67

Зависимость коэффициента усиления β от тока эмиттера и напряжения на коллекторе

Слайд 68

Пусть Iэ = 1 мА, Т = 300 К, φТ =

0.026 В, rэ = 26 Ом.

Слайд 69

Удобство физических параметров заключается в том, что они позволяют наглядно представить

влияние конструктивно- технологических параметров транзистора на его эксплуатационные характеристики.
Так, например, уменьшение степени легирования базы или ее толщины должны приводить к росту rб и, соответственно, к увеличению обратной связи в транзисторе.
К недостаткам физических параметров следует отнести то, что их нельзя непосредственно измерить и значения для них получают пересчетом из других параметров.

Слайд 70

Температурная зависимость параметров биполярных транзисторов

Слайд 71

Сопротивление коллектора в диапазоне от -50 до + 50 С растет,

так как для этого диапазона характерно увеличение подвижности носителей (по механизму рассеяния на ионах примеси).
Коэффициент передачи α с ростом температуры увеличивается, что в первую очередь связано с увеличением диффузионной длины дырок.

Слайд 72

Температурная зависимость коэффициента передачи β связана в первую очередь с возрастанием

времени жизни неосновных носителей заряда в базе транзистора с ростом температуры.
Для большинства биполярных транзисторов коэффициент β увеличивается по степенному закону .

Слайд 73

Работа транзистора в импульсном режиме

Слайд 74

Простейший усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме ОЭ
Схема с

ОЭ поворачивает фазу на 180 градусов. Фаза выходного напряжения в схеме с ОБ по отношению к входному не меняется.

Слайд 75

Иллюстрация работы усилительного каскада

Слайд 76

Линеаризация входных ВАХ в схеме с ОЭ

Слайд 77

Линеаризация выходных ВАХ в схеме с ОЭ

Слайд 78

Слайд 79

Если на постоянные составляющие токов и напряжений наложены достаточно малые сигналы

переменного напряжения u или i, то их амплитуды (или действующие значения) можно рассматривать как малые приращения постоянных составляющих.
В зависимости от того, какие из этих параметров выбраны в качестве входных, а какие в качестве выходных, можно построить три системы формальных параметров транзистора как четырехполюсника.
Это системы r-параметров, g-параметров и h-параметров.

Слайд 80

Эквивалентная схема транзистора для системы r-параметров

Слайд 81

Система r-параметров

Слайд 82

– входное сопротивление транзистора в режиме ХХ в выходной цепи.
– сопротивление

обратной связи в режиме ХХ во входной цепи.

– сопротивление прямой передачи сигнала, измеренное в режиме ХХ в выходной цепи.

– выходное сопротивление транзистора, измеренное в режиме ХХ во входной цепи.

Описание r-параметров

Слайд 83

Эквивалентная схема для g-параметров

Слайд 84

Система g-параметров

Слайд 85

– входная проводимость транзистора при КЗ на выходе.
– проводимость

обратной передачи при КЗ на входе.

– проводимость прямой передачи, которая характеризует влияние входного напряжения на выходной ток при КЗ на выходе.

– выходная проводимость транзистора при КЗ на входе.

Описание g-параметров

Слайд 86

Следует особо подчеркнуть, что , так как r- параметры измеряются в режиме

ХХ, а g–параметры – в режиме КЗ на входе и выходе транзистора.
Поскольку при измерениях задаются напряжения, необходимо осуществлять режим генератора напряжения, т.е. сопротивление генератора на частоте сигнала должно быть много меньше входного или выходного сопротивления транзистора.

Слайд 87

Система h-параметров
Система h-параметров используется как комбинированная система из двух предыдущих, причем

из соображений удобства измерения параметров биполярного транзистора выбирается режим короткого замыкания на в (u2=0) и режим холостого хода на входе (i1=0).
Поэтому для системы h-параметров в качестве входных параметров задаются ток i1 и напряжение u2, а в качестве выходных параметров рассчитываются ток i2 и напряжение u1, U1 = f1(I1, U2), I2 = f2(I1, U2).

Слайд 88

Эквивалентная схема для h-параметров

Слайд 89

Слайд 90

– коэффициент обратной связи при ХХ во входной цепи.
–

коэффициент прямой передачи тока при КЗ на выходе.

– выходная проводимость при ХХ во входной цепи транзистора.

– входное сопротивление при КЗ на выходе.

Описание h-параметров

Слайд 91

В качестве примера определим значения h11Э, h12Э, h21Э, h22Э – параметров

транзистора в рабочей точке, задаваемой величинами IБ(0), IК (0), UБЭ (0), UКЭ (0).
Затем, задавая переменные сигналы тока во входную и выходную цепи, выполнить измерения соответствующих значений напряжений, которые позволят рассчитать малосигнальные параметры транзистора.
Поскольку задаются токи, необходимо осуществлять режим генератора тока, т.е. входное или выходное сопротивление транзистора на частоте сигнала должно быть много меньше сопротивления генератора сигнала.

Слайд 92

Т-образная эквивалентная схема транзистора
При ХХ на входе ( )
При ХХ

в базе

Слайд 93

При ХХ на входе
Учитывая, что rэ<
Расчёт для схемы с

ОЭ

Слайд 94

Связь h-параметров биполярного транзистора с дифференциальными параметрами на примере схемы с

ОБ

– входное сопротивление при коротком замыкании на выходе.

Полагая в эквивалентной схеме выходное напряжение Uкб=0 и считая заданным входной ток эмиттера найдем напряжение на входе:

Слайд 95

Учитывая, что ,
Входное сопротивление:
Найдем с помощью второго уравнения Кирхгофа для

коллекторной цепи, полагая заданным входной ток :

Слайд 96

Коэффициент обратной связи по напряжению при ХХ на входе ( =0)

Слайд 97

Сравнение h-параметров для различных схем включения транзистора

Слайд 98

Формулы Эберса-Молла
Основной моделью биполярного транзистора считается модель, справедливая для любых токов

(как малых, так и больших) и предложенная Дж.Дж. Эберсом и Дж.Л. Моллом в 1954 г., и поэтому носящая их имя.
Эта модель построена на интерпретации работы транзистора как прибора на взаимодействующих pn-переходах для произвольного сигнала. Для примера рассмотрим pnp-транзистор

Слайд 99

Схема замещения Эберса-Молла

Слайд 100

Расчет модели Эберса-Молла

Слайд 101

Продолжение расчета

Слайд 102

Окончательные формулы

Слайд 103

Биполярные транзисторы

Содержание

Биполярные транзисторы В 1958 г. американские ученые Дж. Бардин и В.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторыВ 1947 г. американские ученые Дж. Бардин (J. Bardin) и

На фото - первый в мире полупроводниковый транзистор на прижимном контакте

Биполярные транзисторы Это событие имело громадное значение для развития полупроводниковой электроники.

Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя расположенными на близком расстоянии параллельными

Полупроводниковый транзисторРазличают npn-транзисторы и pnp-транзисторы Стрелкой обозначен эмиттер, направление стрелки, как

Центральную часть транзистора называется базой, левая высоколегированная - эмиттер, правая, низколегированная

Распределение примеси в p-n-p-транзисторе

Зонная диаграмма p-n-p транзистора в стационарном состоянии

В электрическую схему транзистор можно включить тремя режимами (в зависимости от

Варианты включения транзисторов

. ОБОЭОК

Включение транзистора по схеме с общей базой Пусть эмиттерный переход включен

Зонная диаграмма при включении по схеме ОБ

Такая полярность напряжения обеспечивает открытое состояние эмиттерного перехода и закрытое состояние

Вследствие диффузии инжектированные носители движутся через базу к коллекторному переходу, частично

Поток дырок и, соответственно, ток коллектора IК, являющийся выходным током транзистора,

Распределение концентраций основных и неосновных носителей заряда

Распределение токов

Отношение приращения тока коллектора к вызвавшему его приращению тока эмиттера при

Для характеристики эмиттерного перехода вводят коэффициент инжекции

Не все инжектированные эмиттером дырки доходят до коллектора, некоторая их часть

Коэффициент переноса зависит от ширины базы W и диффузионной длины неосновных

Преимущественное легирование одной из областей влечет за собой преимущественное инжектирование электронов

Найдем аналитическое выражение, связывающее коэффициент передачи с физическими свойствами полупроводниковых материалов

Уравнение диффузии дырок в области базы в стационарном режиме Граничные условия: при

Решение уравнения имеет вид:

Плотность дырочного тока найдем, дифференцируя последнее выражение по х:Полагая х =

Используя выражения (1) и (2), найдем коэффициент переноса:Для нахождения коэффициента инжекции

Граничные условия запишем исходя из того, что протяженность области эмиттера много

Электронную компоненту тока эмиттерного перехода на границе с базой получим из

Если бы эмиттерный ток целиком состоял из неосновных носителей (γ =

Для нахождения коэффициента передачи тока эмиттера найдем электронную составляющую тока коллектора,

Решение имеет вид:Зная электронную и дырочную составляющие тока коллектора, получаем полный

Уравнения (3), (4) и (7) примут более простой вид, если гиперболические

Учитывая связь основных и неосновных носителей,можно записать:

Ток базы IБ транзистора будет состоять из трех компонент, включающих электронный

Тепловой ток коллектора при включении по схеме ОБ IКБ0 имеет две

Входные ВАХ в схеме ОБ

Выходные ВАХ в схеме ОБ

Входная и выходная ВАХ p-n-p транзистора в схеме ОБ

Уравнения транзистора в схеме ОБ

Распределение неосновных носителей в базе pnp-транзистора в нормальном режиме

Распределение неосновных носителей в базе pnp-транзистора в режиме насыщения

Распределение неосновных носителей в базе pnp-транзистора в режиме отсечки

С увеличением напряжения на коллекторе ширина базы уменьшается, вследствие чего уменьшается

Усилитель на транзисторе в схеме ОБт.е. в схеме с ОБ усиление

Из-за высокого выходного сопротивления в цепи коллектора может быть включено достаточно

Включение транзистора в схеме ОЭ

Расчет ВАХ в схеме ОЭ

Часть дырок (1-α)∙Δp рекомбинирует в базе с электронами, поступающими из омического

Входные ВАХ транзистора в схеме ОЭ

При обратных напряжениях на КП и фиксированном напряжении на ЭП |UБЭ|

При число рекомбинаций электронов и дырок в базе в единицу времени

Выходные ВАХ транзистора в схеме ОЭ

Влияние напряжения Эрли на выходные ВАХ транзистора

1. Схема с ОЭ обладает высоким усилением как по напряжению, так

Дифференциальные параметры биполярного транзистора

Линеаризация входных ВАХ в схеме с ОЭ

Линеаризация выходных ВАХ в схеме с ОЭ

Дифференциальные параметры биполярного транзистора

Зависимость коэффициентов α и β от напряжения на коллекторе

Зависимость коэффициента усиления β от тока эмиттера и напряжения на коллекторе

Пусть Iэ = 1 мА, Т = 300 К, φТ =

Удобство физических параметров заключается в том, что они позволяют наглядно представить

Температурная зависимость параметров биполярных транзисторов

Сопротивление коллектора в диапазоне от -50 до + 50 С растет,

Температурная зависимость коэффициента передачи β связана в первую очередь с возрастанием

Работа транзистора в импульсном режиме

Простейший усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме ОЭ Схема с

Иллюстрация работы усилительного каскада

Биполярные транзисторы
В 1958 г. американские ученые Дж. Бардин и В.

Биполярные транзисторы
В 1947 г. американские ученые Дж. Бардин (J. Bardin) и

Биполярные транзисторы
Это событие имело громадное значение для развития полупроводниковой электроники.

Полупроводниковый транзистор
Различают npn-транзисторы и pnp-транзисторы
Стрелкой обозначен эмиттер, направление стрелки, как

.
ОБ
ОЭ
ОК

Включение транзистора по схеме с общей базой
Пусть эмиттерный переход включен

Уравнение диффузии дырок в области базы в стационарном режиме
Граничные условия:
при

Плотность дырочного тока найдем, дифференцируя последнее выражение по х:
Полагая х =

Используя выражения (1) и (2), найдем коэффициент переноса:
Для нахождения коэффициента инжекции

Решение имеет вид:
Зная электронную и дырочную составляющие тока коллектора, получаем полный

Учитывая связь основных и неосновных носителей
,
можно записать:

Усилитель на транзисторе в схеме ОБ
т.е. в схеме с ОБ усиление

Дифференциальные параметры
биполярного транзистора

Простейший усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме ОЭ
Схема с