Блокинг-генераторы

транзистора.

Wк – обмотка коллекторной нагрузки;
Wос – обмотка обратной связи;
Wн – обмотка внешней нагрузки;
R1 – смещение (задание тока базы)

ток протекает по цепи: +ЕК, R1,, Б-ЭVT, ┴.
VT начинает откры-ваться, UК↓, UWк↑, появляется ЭДС (dIk/dt) на WОС с полярностью - +

UБ↑, IБ↑, IК↑, UК↓, UWк↑, UWос↑, UБ↑, VT включается скачком.

транзистор вошел в насыщение, ток коллектор резко возрастает, ЭДС (dIk/dt) приближается к 0. Транзистор начинает закрываться.
UБ↓, IБ↓, IК↓, UК↑, UWк↓, UWос↓ (меняется полярность), UБ↓.
t2-t3- транзистор заперт отрицательным напряжением на конденсаторе, Е=0. Идет перезарядка конденсатора по цепи: +ЕК, R1, С, ┴ до полярности (+ -) по экспоненте с Т=R1C.
t3: UБ стало положительным, транзистор открывается и повторяется t1.